【天风电子】一周半导体行业动向20170507

随着A股和海外的半导体公司陆续公布年报&一季报，本周我们跟踪相应数据，总结相应公司一季报情况。

国内：

封测板块，营收盈利增长显著

营收数据：2016年4家封测板块企业合计营收297.3亿元，同比大幅增长69.15%，同比增速自2012年以来，不断增加，且呈现指数上升模式。2017年1季度4家封测板块企业合计营收8.1亿元，同比增长52%，Q1作为传统淡季（春节假期），环比略有下滑。

利润数据：2016年4家封测板块企业净利润合计386.6百万元，同比增速-10.2%，较2015年增速有所回升。2017年一季度4家封测板块企业净利润合计107.4百万元，同比增加高达379%，封测板块企业利润受PC出货放缓的冲击+我国股市的影响，在经过2015年Q4的阶段性低点后开始反弹。

盈利能力：封测板块企业盈利能力从2015Q2之后有所下降，在2016年Q2受行业景气回升，净利率和毛利率有略微回升，2017年Q1受季节性因素再次下滑，目前毛利率为12.59%，净利率为1.33%，目前封测板块受到看好，预计今年盈利能力会有所提升。

设计板块，盈利能力小幅下滑

营收数据：2016年设计板块主要企业的营业收入合计87.4亿元，同比增长45.6%，在经过了金融危机后大力投资发展的时期，2012年营收增速高达135.6%，此后回落至2014年的增速低点，2014年后，营收增速稳步增长。2017年一季度设计板块主要企业的营业收入合计7.0亿元，同比增长28.26%。

利润数据：2016年设计板块主要企业的净利润合计19.7亿元，同比增长49.3%，净利润增速走势与营收增速相符，2012年净利润增速高达218.9%，2014年-8.3%。2017年一季度设计板块主要企业的净利润合计1.2亿元，同比下降5.5%。

盈利能力：从2014Q1开始，设计板块主要企业的盈利能力一直都保持在一个稳定的水平，净利率围绕26%上下波动，毛利率围绕45%上下波动。主要企业的净利率有明显的季节驱动因素，受到芯片需求增加的影响，在每年的Q3都会有显著的上涨。2017年Q1的净利率、毛利率较往常的季度规律而言，都有所下降，盈利能力减弱

设备板块，营收突破性高增长

营收数据：2016年设备板块企业北方华创的营业收入为16.2亿元，同比增长高达90%，这是从2012年持续四年负增长或低增长以来实现的营收飞跃式增长。2017年一季度的营业收入为4.1亿元，不同于往年一季度平淡的业绩，在考虑了北方微的并表追溯仍然大幅增长132.6%，这主要得益于公司的电子工艺装备营收同比增长81.12%。

从2014年开始，净利润重回正增长，并持续走强。2016Q4的净利润突增，增长率高达230.5%，这是基于2015年Q4的低基数以及行业的复苏。随后2017年一季度的净利润恢复往年水平，为6.7百万元，同比增加14.8%，保持低速稳定增长。

盈利能力：北方华创的整体盈利水平稳定，毛利率水平大多都在40%左右，净利率有明显的季节变化规律，表现为Q1和Q4平淡、Q2-Q3变强。2016年Q4净利率保持了Q2、Q3的水平，而2017年Q1虽然处于淡季，但净利率相较于14、15、16年一季度3%以上的水平减弱，降至三年来最低点，仅有1.62%。

海外：

日月光

营收数据：一季度集团合并总收入为666亿新台币，环比下降了14％。毛利润从154亿新台币下降至12亿新台币，合并毛利率下降为18％。再次，由于汇率波动，毛利率下降了近0.4个百分点。

营业支出下降了15亿元至68亿新台币。尽管绝对美元下跌，营业费用占销售额的百分比仍从9.4％上升到10.1％。

台积电

营收数据：总营收为50.16亿美元，较上年同期的55.51亿美元下降9.6%；按非美国通用会计准则(Non-GAAP)，总营收为60亿美元，较上年同期的55亿美元增长8%；在QCT方面表现优于预期， MSM需求上升为EPS的上涨贡献了约为0.05美元，汽车，网络和物联网业绩表现强劲。营收上涨主要来自于投资组合收益增加以及年均税率的降低。而QTL部分同样好于预期，主要受到中国licensing的进展好于预期以及3G / 4G需求强劲的带动。

高通

营收数据：二季度总营收为50.16亿美元，较上年同期的55.51亿美元下降9.6%；按非美国通用会计准则(Non-GAAP)，总营收为60亿美元，较上年同期的55亿美元增长8%；在QCT方面表现优于预期， MSM需求上升为EPS的上涨贡献了约为0.05美元，汽车，网络和物联网业绩表现强劲。营收上涨主要来自于投资组合收益增加以及年均税率的降低。而QTL部分同样好于预期，主要受到中国licensing的进展好于预期以及3G / 4G需求强劲的带动。

海外指引

从产业链上下游联动分析的方法来判断行业的趋势有很好的前瞻指导意义。台积电和高通对于二季度的展望和日月光基本一致，主要原因都是2季度智能手机消化库存调整造成。同时，对于下半年的指引，两者都比较乐观，让我们对于2H智能手机的拉货高看一线。从备产情况来看，日月光2季度将设备资本支出上调至全年最高，我们认为也是积极为3季度备产。

后PC时代 移动型DRAM成市场主力

全球半导体销售连续8个月成长 3月金额达到309亿美元

三星投26亿美元扩大工厂 加速生产10nm级DRAM内存

IC Insights对DRAM后市提出示警，预期下半年随着供给增加，产品价格恐将下滑，DRAM市场无可避免将展开周期性修正。IC Insighta指出，DRAM价格自2016年中以来快速走高，据统计，DRAM平均售价已自2016年4月的2.41美元，大幅攀高到今年2月的3.7美元，涨幅高达至54%。在产品价格大涨带动下，ICInsights预估，今年DRAM产值可望达573亿美元规模，将较去年成长达39%。IC Insights预期，DDR4规格DRAM比重继去年窜升至45%后，今年比重可望进一步突破5成大关，将达58%，将跃居DRAM市场主流。IC Insights看好DRAM价格涨势可望延续到今年上半年，只是ICInsights认为，DRAM在经过1年大涨后，随着下半年供应将增加，产品价格恐将下滑，展开周期性修正。

来源：:DIGITIMES

点评：IC Insights的判断和我们不谋而合。一切涨价的根源可以归结为四个字：供需失配。而论到存储的本质，需求端理论上是无限增长的，供给端则由摩尔定律带来的制程升级驱动和扩产带来的产能驱动。供需的失配体现在：1 制程升级中的良率爬升和制程瓶颈突破的时间差造成供需缺口；2 投资收缩带来的产能驱动供给平缓造成供需缺口。本轮存储涨价的背后供需失配，NAND属于前者，DRAM属于后者。同时，摩尔定律带来的技术驱动和扩产带来的产能驱动属于两个维度，前者是纵向驱动，技术升级带来的供给增长是指数级的，一旦释放供给会瞬间增多；后者是横向驱动，增长是线性的，产能扩张能线性填补供需缺口。因此，周期性的修正会在产能释放出来之后开始。

全球半导体每月平均销售额于2016年8月再现年增后，不但已连续8个月成长，并且每月年增幅度也在不断攀高。根据美国半导体产业协会(SIA)最新公布数据，2017年3月全球半导体平均销售额为308.8亿美元，较2016年同期261.5亿美元，成长18.1%。年增幅度创2010年10月以来新高。此外，2017年第1季全球半导体合计销售额为926亿美元，亦较2016年期成长18.1%。不过与2016年第4季销售额相较，微幅下滑了0.4%。SIA总裁暨执行长JohnNeuffer表示，与2016年同期相较，2017年3月全球各地半导体市场平均销售额，都表现出双位数百分比的成长。各主要半导体产品类别销售额也都呈现成长，尤其是存储器产品销售额成长幅度更是强劲。数据显示，2017年3月大陆地区半导体销售额年增26.7%，达100.7亿美元。美洲市场年增21.9%，达59.6亿美元。欧洲、日本，以及亚太／其他地区亦分别年增11.1%、10.71%与11.9%，达29.6亿、28.7亿与90.2亿美元。

来源：中国半导体协会

点评：我们持续关注全球半导体产业协会SIA公布的全球半导体销售数据。自2月全球半导体销售继续创2010年10月以来最大月增幅，同比增长16.5%达304亿美元以来。3月份的数据继续保持动能增长。SIA的数据印证全球半导体行业销售规模同比将继续扩大，半导体市场仍然具有增量空间和规模爬升效应。同时，我们继续认为，本季行业规模同比大幅增长的背后主要原因是存储器（DRAM和NAND）的涨价带来。（存储器销售占全球半导体销售规模的25%）

三星上月底发布了2017年Q1季度财报,营收只增加1.5%的情况下净利润大增46%,其中贡献最多的就是闪存芯片部门,也就是DRAM内存和NAND闪存。时至今日,DRAM、NAND闪存缺货、涨价的情况都没有缓解,现在还是供不应求,好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投资力度提升产能,其中三星也要斥资26.4亿美元扩产Line 17工厂,下半年加速10nm级DRAM内存生产。三星前不久才宣布了全球最大的半导体工厂平泽工厂竣工,那个是针对NAND闪存的,主力产品将是64层堆栈的3D NAND闪存。而在DRAM领域,三星也有新的投资计划,韩国ETNews报道称三星已经通知设备供应商要扩大韩国华城市(Hwasung)的Line 17工厂,预计投资在2.5万亿到3万亿韩元之间,约合22-26.4亿美元。 以300mm晶圆计算,扩建之后每月产能将提升3.5万片晶圆,目前的产能约为4万片晶圆/月。

来源：超能网

点评：存储的本质，需求端理论上是无限增长的，供给端则由摩尔定律带来的制程升级驱动和扩产带来的产能驱动。供需的失配体现在：1 制程升级中的良率爬升和制程瓶颈突破的时间差造成供需缺口；2 投资收缩带来的产能驱动供给平缓造成供需缺口。本轮存储涨价的背后供需失配，NAND属于前者，DRAM属于后者。同时，摩尔定律带来的技术驱动和扩产带来的产能驱动属于两个维度，前者是纵向驱动，技术升级带来的供给增长是指数级的，一旦释放供给会瞬间增多；后者是横向驱动，增长是线性的，产能扩张能线性填补供需缺口。2016-2017年是NAND Flash 的制程转化年，Flash原厂从平面NAND转向3D NAND。在制程转化过程中，产能爬坡和良率提升带来的输出供给不足触发供给紧张引发价格上涨。2017年上半年在原厂3D NAND资源未大量释放之前，供货吃紧仍是主基调。2017下半年是需求旺季，还有需求量较大的苹果新iPhone上市，但3D NAND资源会大量释放出来，届时市场供货紧缺的市况将有望得到缓解。价格将会较上半年有所回调。