1.华为正开发支持5G网络的麒麟处理器，2019年问世；
2.澎湃崛起的强“芯”路——我国芯片制造核心技术由弱渐强；
3.IC China和CEF两展联动 拉开电子产业升级大幕；
4.中资基金收购莱迪思或被拒 半导体海外并购再受阻；
5.圣邦股份打开一字涨停 累计上涨158.25%；
6.上海微系统所锗辅助绝缘体上石墨烯材料生长研究获进展
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1.华为正开发支持5G网络的麒麟处理器，2019年问世；
这两天华为在自媒体平台又一次震惊全球、沸腾世界了，因为华为Q1季度在核心路由器、以太网交换机市场上首次超越老大思科。这个成绩确实不容易，不过今天再给KOL们提供一个华为震惊世界的材料吧——华为旗下的海思半导体日前表态正在开发支持5G网络的麒麟处理器，预计2019年问世。按照华为现在的命名，这个处理器大概会叫麒麟990，预计很快就能在朋友圈开到有人转“麒麟990处理器再一次震惊世界”之类的文章了。
最近有关5G网络的新闻很多，尽管标准还没最终确定，但是中国、美国、欧洲的华为、中兴、高通、Intel等公司早已经在抢占5G制高点了，目标是在2020年正式商用5G网络，但是2018、2019年5G设备就会问世了。
Computerbase网站日前采访了华为无线解决方案部门的CMO Peter Zhou，他提到了华为在5G网络上的一些进展，指出华为海思半导体的麒麟处理器部门正在开发支持5G网络的SoC处理器，目前进展良好，不过他不能透露更多信息，预计相关设备会在2019年问世。
在基带方面，指标最强的当然还是高通，骁龙835这一代已经用上1Gbps的X20 LTE基带了，在5G基带上高通也是全球首发X50基带，设计频率可达5Gbps。Intel是第二家推出5G基带的，代号金桥（Goldbridge），不仅支持28GHz毫米波，还同时支持6GHz频段，目标速率也是5Gbps。
全球有实力玩5G基带的也没几家了，除了高通、Intel以及海思之外，TOP5基带厂商中还有联发科、展讯，这两家也在布局5G网络，不过联发科的5G基带尚无公开信息，展讯CEO李力游日前在演讲中提到了他们预计在2019年推出第一个R10的5G芯片，不过要到2020年的R16才算真正的5G标准。
目前的麒麟960处理器支持4载波600Mbps网络
华为SoC处理器目前的旗舰是麒麟960，支持全网通，支持4载波及LTE Cat 12/13网络，下载速率600Mbps。今年下半年还会麒麟970处理器，不过LTE基带可能不会有明显升级，华为麒麟处理器往往是隔代升级基带、架构，毕竟600Mbps的LTE网络足够用一两年了。
如果命名规则不变的话，明年海思要推出麒麟980处理器了，2019年的5G处理器大概会叫麒麟990，不过华为在5G时代有可能会改变处理器命名规则，毕竟5G处理器是完全不同的产品了，取个新名字很正常。
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2.澎湃崛起的强“芯”路——我国芯片制造核心技术由弱渐强；
新华社北京６月１５日电 题：澎湃崛起的强“芯”路——我国芯片制造核心技术由弱渐强
新华社记者 陈芳、胡喆
指甲盖大小面积上制造出超１０亿个晶体管、每根导线相当于人体头发丝的五千分之一……作为影响国家综合竞争力的战略性产业，集成电路技术水平和产业规模已成为衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志。
高端装备和材料从无到有，制造工艺与封装集成由弱渐强，技术创新协同机制羽翼渐丰……国家科技重大专项实施以来，打造集成电路制造创新体系的阶段性目标已经实现，着力破解我国在高端芯片领域的“缺芯之痛”。
指甲盖大小面积上制造出超１０亿个晶体管，小小芯片有多难？
这是一场无法回避的创新竞赛，竞赛者不在一条起跑线上。
长期以来，我国集成电路产业一直受到西方在先进制造装备、材料和工艺引进等方面的种种限制，高端芯片主要依赖进口。随着我国国民经济的快速发展尤其是信息化进程的加快，对集成电路产品的需求持续快速增长，从２００６年开始超过石油成为我国最大宗进口产品，２０１３年至今每年进口额超过２０００亿美元。
一方小小的芯片，为何如此之难？中国科学院微电子研究所所长、专项技术总师叶甜春告诉记者，相信大家都没有亲眼见过原子，集成电路（芯片）的制造难度就是原子级的。以２８纳米技术为例，集成度相当于在指甲盖大小面积上制造出１０亿个以上的晶体管，其中每根导线相当于人体头发丝的三千分之一。
“集成电路制造技术代表着当今世界微细制造的最高水平，集人类超精细加工技术之大成，因此集成电路产业是一个国家高端制造能力的综合体现，是全球高科技国力竞争的战略必争制高点。”叶甜春说。
专家指出，我国在芯片领域面临的挑战主要表现在以下几个方面：一是我国集成电路高端装备和材料基本处于空白状态，完全依赖进口，产业链严重缺失；二是制造工艺与封装集成较弱；三是缺乏自主知识产权，严重制约我国集成电路企业自主创新发展。
现代工业的“粮食”：芯片强则产业强
如果说开创工业时代的驱动力是蒸汽机，开创电气时代的驱动力是电力，那么开创信息时代的驱动力就是集成电路。
“芯片强则产业强，芯片兴则经济兴，没有芯片就没有安全。”叶甜春表示，在信息时代，集成电路是核心基石，电脑、手机、家电、汽车、高铁、电网、医疗仪器、机器人、工业控制等各种电子产品和系统都离不开集成电路。没有集成电路产业支撑，信息社会就失去了“根基”，集成电路因此被喻为现代工业的“粮食”。
经过专项实施，一批集成电路制造关键装备实现从无到有的突破。叶甜春表示，目前国产刻蚀机、磁控溅射、离子注入机、等离子化学气相沉积、低压化学气相沉积设备等３０多种关键设备研制成功并通过了大生产线考核，实现了海内外批量销售，总体技术水平达到２８纳米，部分１４纳米关键设备开始进入客户生产线验证。
２００８年国务院批准实施集成电路装备专项，共有２００多家企事业单位和２万多名科研人员参与攻关。９年来，先后有３０多种高端装备和上百种关键材料产品研发成功并进入海内外市场，从无到有填补了产业链空白。
专项实施前我国集成电路行业所需材料几乎全部进口，目前特种气体、靶材、部分化学品等关键材料已研发完成，通过大生产线考核认证后大批量使用，部分产品进入海外市场，国产光刻胶等已开始进入大生产线试用，在专项的引导下，一批公司成功上市。
“核高基”这个听上去“高大上”的名词，其实与每个人的生活息息相关。从手机到电脑，从冰箱到汽车，甚至每一个Ｕ盘，都离不开芯片和软件。这是对核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品的简称，它与载人航天、探月工程等并列为１６个重大科技专项。
“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”专项技术总师、清华大学教授魏少军说：“我们在核心电子器件关键技术方面取得重大突破，技术水平全面提升，与国外差距由专项启动前的１５年以上缩短到５年，一批重大产品使我国核心电子器件长期依赖进口的‘卡脖子’问题得到缓解。”
培育产品、做大企业：我国集成电路产业由弱渐强
面向２０２０年，我国继续加快实施已部署的国家科技重大专项，重点攻克高端通用芯片、高档数控机床、集成电路装备等方面的关键核心技术，形成若干战略性技术和战略性产品，培育新兴产业。
北京市经信委主任张伯旭认为，专项采取产业链、创新链、金融链有效协同的新模式，专项与重点区域产业发展规划协同布局，主动引导地方和社会的产业投资跟进支持，将有效推动专项成果产业化，扶植企业做大做强，形成产业规模，提高整体产业实力。
同时，集成电路制造装备作为基础产业，其成果的辐射带动面很广。上海市科委总工程师傅国庆介绍，利用专项取得的核心技术，辐射应用到ＬＥＤ、传感器、光伏、液晶面板等泛半导体制造领域，使我国相关领域装备国产化率大幅提升。在ＬＥＤ、光伏等领域已实现关键装备成套国产化，国产装备成为市场主流，ＬＥＤ照明、光伏等产业规模跃居世界第一。
关于今后的发展，叶甜春介绍，专项已经在１４纳米装备、工艺、封装、材料等方面进行了系统部署，预计到２０１８年将全面进入产业化。“十三五”期间还将重点支持７－５纳米工艺和三维存储器等国际先进技术的研发，支持中国企业在全球产业链中拥有核心竞争力，实现产业自主发展，形成特色优势。
3.IC China和CEF两展联动 拉开电子产业升级大幕；
集微网6月15日消息，第十五届中国国际半导体博览会暨第90届中国电子展组委会在上海联手召开新闻发布会，宣布两个大展将于2017年10月25-27日在上海联袂举行。上海市经信委赵炎处长、中国半导体行业协会执行副理事长兼秘书长徐小田、中国电子器材总公司总经理陈雯海、上海浦东软件园股份有限公司董事长何在明、上海市集成电路行业协会秘书长徐伟、上海兆芯集成电路有限公司市场行销总监何英松等与会嘉宾集聚一堂，热议当前中国半导体产业现状。
在 IC China 2017 上看中国半导体行业发展现状
中国半导体产业在“一带一路”、《中国制造2025》计划纲要的推动下，电子信息产业逆流而上，正在进入一个高速发展时期。首先，我国存储器产业市场从零起步，已经逐渐形成三股本土力量，从今年 IC China 展商情况可看出：紫光/长江存储系、福建晋华以及合肥长鑫。同时，我国今年来在开发自主 CPU 上的尝试有很多，IC China 2017上将可以看到兆芯、龙芯、飞腾以及展讯等本土企业在 CPU 自主创新上的努力现状。
根据 IC China 主办单位中国半导体行业协会统计，2016年中国集成电路产业销售额4335.5亿元，其中设计业1644.3亿元，制造业1126.9亿元，封测业1564.3亿元，基本三分天下，设计业首超封测业成为产业最大部分。
中国电子器材总公司总经理陈雯海
据中国电子器材总公司总经理陈雯海介绍，中国 IC 设计公司在两年内数量翻倍，从2014年的681家增至2016年的1362家，去年全球前50名Fabless企业中，中国设计企业数量达到11家，在 IC China 2017 将可以看到紫光展锐、大唐微电子、南瑞智芯、中国华大、士兰微、中兴微、珠海全志等。其中，紫光展锐销售规模达到125亿，成功进入全球 Fabless 前10名。
其次，2016年中国集成电路制造业销售额达到 1126.9 亿元，同比增长25.1%，是近5年来国内半导体制造业增长速度首次超过设计业。陈雯海表示，除台联电等国际制造巨头外，IC China 2017 上将可能一睹风采的几乎所有国内2016年新建的12寸晶圆厂：武汉新芯、中芯国际、华力微、福建晋华等等。
此外，因为技术与资金门槛相对于 IC 制造业较低，我国的封测企业多、结构复杂，封测业长期占据我国 IC 产业的半壁江山。IC China 2017封测领域巨头云集，不仅汇集日月光等国际封测大厂，国内封测领域主要大家基本悉数到齐，包括：长电、通富微电、华天。
在 IC China 2017 上看半导体走中国特色的自主创新发展之路
中国半导体协会执行副理事长兼秘书长徐小田
IC China主办方中国半导体协会执行副理事长兼秘书长徐小田在会上表示：“当今半导体行业发展一方面技术趋于物理极限，另一方面层出的国际并购导致垄断集中，从可控、安全来看，只有实现我国集成电路产业的自主体系，才能实现信息安全，我国集成电路产业才能实现扎实的发展。集成电路产业的发展是个系统工程，除了资金支持以外，还需要有完善的科学研发体系，以及人才引进和培养机制，此外体制和管理都要创新，急不得！”
据悉，国家重大科技专项“02专项”专区也是今年 IC China 2017 特色展区之一：刻蚀机等关键装备实现从无到有，批量应用在大生产线上；成套工艺水平提升五代，55/40/28纳米三代工艺完成研发实现量产，22-14纳米工艺研发取得突破；后道封装集成技术成果全面实现量产，引领全行业技术水平从低端跨入高端，实现与世界同步；抛光机和溅射靶材等上百种关键材料通过大生产线考核进入批量销售。
02专项展区包括北方华创、安集微电子、中微半导体、深南电路、新阳、长川科技、睿励等02专项企业。“十三五”还将重点支持7-5纳米工艺和三维存储器等国际先进技术的研发，支持中国企业在全球产业链中拥有核心竞争力，实现产业自主发展，形成特色优势。
IC China & CEF两展联动拉开电子产业升级大幕
此次 IC China 2017 仍紧随产业发展脉动，在往届半导体设计、封装、测试三业并举的基础上，今年特别对物联网、CPU、存储器、MCU、智能制造等新兴领域，有针对性的进行展览布局。同时，携手第90届中国电子展形成电子信息全产业链互动，共同提高中国半导体自给率，打造“国家级”半导体展示平台，并为中国电子信息产业的提升起到关键推动作用。
此外，IC China展会同期，还将举办超过20场精彩的高峰论坛及技术研讨会，包括IC China 2017高峰论坛、中国半导体集成电路封测行业技术交流、西安交大微电子行业校友会论坛、高云半导体新产品发布会、集邦半导体产业大预测、 “微言大义”研讨会--超越人类的电子五官、2017美国静电防护新标准解读专场等。第90届中国电子展同期也将举办超30场涵盖电子信息技术前沿领域内容如嵌入式系统、智能制造、汽车电子等前沿技术应用领域高端论坛与研讨会。
4.中资基金收购莱迪思或被拒 半导体海外并购再受阻；
据外电报道，在经过5个月的长时间审查之后，美国外国投资委员会（CFIUS）最快将在本周决定中资支持的基金收购美国晶片制造商莱迪思半导体（Lattice Semiconductor）的交易，是否会给美国国家安全构成威胁。此交易的买家虽然是设立在硅谷的私募公司，但背后的资金却来自于中国。
近年来种种迹象表明，对于中资资本在美国半导体和芯片领域的收购，美国外国投资委员会开始采取较为强硬的态度。在过去的十年中，中资资本对美国的投资超过1500亿美元。美方认为这可能给美国国家安全带来风险，尤其是在芯片和半导体领域投资。美国外国投资委员会是否放行13亿美元收购莱迪思半导体，也将会表明特朗普政府对此问题的态度。
莱迪思是一家生产汽车、电脑、移动设备和其它装置中使用的通信芯片的公司。作为目前为数不多的几家能够制造可编程逻辑芯片的制造商，该公司制造的产品因为能够通过软件改变芯片属性而拥有广泛用途。此类芯片通常被用于军事通讯当中。
总部位于俄勒冈州波特兰的莱迪思半导体在去年11月表示，该公司已接受Canyon Bridge Capital Partners Inc.（以下简称“Canyon Bridge”）提出的13亿美元的收购提议，后者是一家由中国投资者支持的新私募股权投资公司。虽然从表面上看此收购交易的买家像是美国公司，但这家总部设在加利福尼亚州帕洛阿尔托的私募公司，其主要办公地点是在北京。监管文件显示，Canyon Bridge的投资代表着一家中国风投基金，且该基金得到了国有的国新基金（China Reform Fund Management）的支持。
根据美国外国投资委员会提交的监管文件显示，国新基金在2016年4月曾考虑收购莱迪思，双方曾就交易是否能够获得美国外国投资委员会的批准进行过探讨。因为莱迪思要求国新基金在交易被拒后提供分手费，导致双方最终未能达成收购协议。该文件还称，当时代表国新基金与莱迪思进行谈判的高管本杰明-周（Benjamin Chow），也是去年刚创办的Canyon Bridge的联合创始人之一。
被动投资者
华盛顿律师事务所Simpson Thacher & Bartlett专门从事跨境交易工作的律师彼得-托马斯（Peter Thomas）认为，在2016年4月Canyon bridge提出收购莱迪思之前，就已有种种迹象表明美国外国投资委员会可能会拒绝该项收购。
“如果这就是他们要达到的目标，我认为这种做法不会改变美国外国投资委员会在此问题上的态度，”托马斯说。他认为美国外国投资委员会会得出这样的结论：此交易相当于是中资收购，应当谨慎对待。
截至目前，国新基金对此报道未予置评。莱迪思则在声明中表示，该公司将继续与美国外国投资委员会进行富有成效的探讨。
Canyon Bridge联合创始人本杰明-周在声明中表示，国新基金和其创办的中国风险投资基金（China Venture Capital Fund），“都认为通过Canyon Bridge投资莱迪思是最有效的途径，”因为Canyon Bridge及其合伙人在半导体领域拥有丰富的工作经验。他还表示，国新基金向Canyon Bridge的投资，对美国政府和莱迪思高管都是透明的。
CFIUS的阻拦
莱迪思的交易也是目前美国外国投资委员会审核的众多交易的一个。美国外国投资委员会受美国财政部领导，其成员包括来自美国商务部、国防部等部门的官员。美国外国投资委员会的审核进程通常十分缓慢，原因是在新一届政府领导下，许多部门都需要等待高层就位。
由于美国外国投资委员会对中国在半导体领域的收购感到担忧，中国多次在美国半导体领域的收购都已被阻止。去年，美国前总统奥巴马就指示美国外国投资委员会阻止中国收购半导体设备厂商Aixron SE，原因是后者的技术主要被用于军事领域。美国现任总统特朗普也在强烈的批评中国，这也让一些分析师和律师质疑华盛顿是否应该对中资投资采取强硬的态度，特别是在科技和关键基础设施领域的投资。
去年12月，超过20位美国国会议员曾致函前财长雅各布·卢，以安全顾虑为由要求阻止收购莱迪思的交易。这些美国议员在信中指出，此交易可能扰乱美国军方供应链，并可能导致美国国防部许多重要计划要依赖源自外国的技术。
莱迪思提供的监管文件显示，在去年10月宣布与Canyon Bridge的交易之前，两家公司就已同美国外国投资委员会的成员进行了会谈，并向他们提供了交易细节。 腾讯科技
5.圣邦股份打开一字涨停 累计上涨158.25%；
新股圣邦股份(300661)今日首次打开一字涨停板，截止(09:26)，最新报价为77.01元，较发行价上涨158.25%。 该股6月6日上市，首日如期上涨44%之外，随后连获6个一字涨停板。
圣邦股份发行价29.82元，发行市盈率22.99倍，其中网上发行1500.00万股。公司主营业务为研发、委托生产集成电路产品、电子产品、软件;销售自产产品;集成电路产品、电子产品、软件的批发;提供技术开发、技术转让、技术咨询、技术培训;技术进出口、货物进出口。 证券时报
6.上海微系统所锗辅助绝缘体上石墨烯材料生长研究获进展
近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI(绝缘体上硅)材料与器件课题组在绝缘体衬底上直接制备石墨烯研究方面取得新进展。制备绝缘体上石墨烯是推动石墨烯在微电子领域应用的重要基础条件，针对这一需求，SOI材料与器件课题组的研究人员使用锗薄膜做催化剂，通过化学气相沉积（CVD）方法成功在二氧化硅、蓝宝石、石英玻璃等绝缘衬底上制备出高质量单层石墨烯材料，并将其成功应用于除雾器等电加热器件。相关研究成果以Germanium-assisted Direct Growth of Graphene on Arbitrary Dielectric Substrates for Heating Devices 为题近期在Small上发表（DOI: 10.1002/smll.201700929）。
石墨烯，由于其优异的物理性质一直受到学术界的广泛关注，为了实现在微电子领域的应用，石墨烯薄膜需要转移或直接生长到绝缘衬底上。直接在绝缘衬底上生长石墨烯，有利于获得晶圆级石墨烯材料，对推动石墨烯材料在集成电路等领域的应用具有重要意义。但由于绝缘衬底本身不具有催化能力，使用Cu（铜）、Ni（镍）等金属催化剂又难免引入金属沾污，因此该项研究一直面临许多挑战。上海微系统所信息功能材料国家重点实验室的汪子文、薛忠营等人基于锗衬底上生长高质量单层石墨烯的研究基础，在绝缘衬底上预先沉积锗薄膜作为催化剂，通过优化石墨烯生长温度和生长时间，在完全蒸发掉锗薄膜的同时实现单层石墨烯在绝缘衬底表面的全覆盖。在研究中他们还发现，石墨烯的形状完全依赖于锗薄膜的形状，因此该方法既可以实现晶圆级石墨烯薄膜的生长，也可以通过预先设计的锗图形定义后续石墨烯器件所需图形化的生长。获得的绝缘体上石墨烯材料表现出良好的电学性能，初步展示了其在除雾、电致变色等加热器件方面的应用。该项研究为获得晶圆级绝缘体上石墨烯奠定了基础，有助于推动石墨烯材料在微电子领域的应用。
该项工作得到了“万人计划”青年拔尖人才项目、中科院前沿科学重点研究项目和上海市优秀学科带头人计划的资助。
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