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美光的HBM3e大致一致
美光公司表示，它已于2月26日(美国时间)开始批量生产HBM3e。这并不令人意外，因为1)7个月前开始抽样(2023年7月26日);2)最近的指导(12月12日的芯片认证流程，24财年8月底实现几亿美元收入的目标);3)自2023年7月以来公开的技术规格(9.2+Gb/秒速度，1.2+TB/秒带宽，8/12 DRAM模具堆叠24/36GB容量，1-beta节点制造)。由于从原始晶片输入(目前需要4+月，以24gb为中心)，在我们看来，美光的FY24目标收入(HBM3e)可能主要在8月底4季度产生。
三星还确认了HBM3e的大批量生产有
趣的是，三星电子还在2月27日(亚洲时间)宣布了两款36GBHBM3e(12 DRAM死，24GB8):已经向客户交付了样品芯片，并将在1H24开始大规模生产。总的来说，我们认为三星的HBM3e的部署与之前的指导或Street的预期大致一致--1H24首次生产(以8芯24gb为中心)，然后在2小时更有意义的供应(12芯36GB)。三星似乎使用1a节点(5 EUV层)来制造HBM3e DRAM模具。
海力士仍然No.1;NVIDIA/AI增长下的双赢局面
在我们对美光/三星的HBM3e新闻报道看来，SK海力士的股价今天被过度修正(-5%)。我们相信，由于海力士(NVIDIA)的年订单，2024年HBM销量(US$5.0bn+)将增长100%。它似乎支持HBM3e(1b节点，最初以8芯片为中心)发运(3月或至少4月:1b节点，最初以8芯片为中心)，以及24年末至2H24的供应(包括12芯片36GB)。HBM市场将继续强劲增长，不仅是NVIDIA的新图形处理器，而且是非NVIDIA的ASIC芯片(由AMD、英特尔、谷歌、微软、亚马逊、Meta等公司设计)。总的来说，我们的行业模式仍然显示海力士将保留其N0.2024-25年HBM市场份额(50%+)与其他公司相比(低于50%)相比。这也可能为海力士的竞争对手带来100%的+HBM销售增长。
另外，我们仍然认为HBM3e将是A智能训练GPU的主流内存即使在1H26年，由于混合结合的高执行风险(DRAM模具+模具没有非导电MR-MUF或薄膜)。更先进的MR-MUF或电影也可能被用于第一个版本的HBM4(16 DRAM死亡)或新升级的HBM3e之前的混合动力车债券时代(可能是2027年或之后)。因此，海力士的证明Mr-MUF(相对于竞争对手的电影)将会持续保证该公司的No.吗1个位置，在我们看来。我们的买入评级海力士是基于到2024-26年强劲的盈利周转/增长。看到我们的HBM在第2页上的预测展览。
表1:即使在2023年+达到150%之后，2023-27年全球HBM市场预计将增长44%最初的增长主要基于SK海力士的HBM3/3e(2023-24E);三星的贡献仍然很低(主要是以HBM2e为中心的2H23);微光似乎跳过HBM3而专注于HBM3e(2024年)
表2:HBM每GPU的内容-NVIDIA从80GB升级到140GB+良好观察英伟达将于2024年推出的H200/GH200 V2/B100可能使用141-144GBHBM3e(下面的橙色条)，而上一代GH200/H100主要使用80-96GBHBM3(蓝色);AMDMI300X甚至使用192GB HBM3对比之前的MI300(128GB HBM3);Meta的新GPU也显示128GB，但它是LPDDR5(灰色)，谷歌的新TPU v5e仍然使用HBM2
表3:使用HBM内存的人工智能加速器，
很多GPU系列用于人工智能训练/推理，但HBM3/3e内存仍然主要用于NWVIDIA的GPU，其次是AMD的:谷歌的新TPU 5e仍然使用HBM2
表4:按公司划分的全球HBM市场份额，我们自底而上的方法基于大玩家的记录和长期计划;SK海力士的主导地位2024-20-25年继续任职;三星可能在2H24-2025年赶上，但仍在缓慢。
表5: SK海力士--显然是HBM的领导者，拥有超过50%的市场份额2023-25E销售CAGR 70%(即使在2023年好转期之后);尽管TSV成本高，但高价溢价保证高0P利润率(42-51%);2024年HBM3仍将成为主流产品，管理层表示1H24的大规模生产已经实现:我们假设2023年的业绩占DRAM总销售额的14.5%(占比特出货量的3.5%)
事件：湖北武汉新芯集成电路制造有限公司发布《高带宽存储芯粒先进封装技术研发和产线建设》招标项目，将利用三维集成多晶圆堆叠技术，打造更高容量、更大带宽、更小功耗和更高生产效率的国产高带宽存储器（HBM）产品，拟实现月产出能力≥3000片（12英寸）。
1、
武汉新芯是湖北武汉的一家专业晶圆代工厂，系长江存储控股子公司
（持股比例高达68.2%），武汉新芯发布该轮招标，预示着
长江存储
或其他潜在客户拥有DRAM产品制造能力，大幅提振了国产化信心。
2、长江存储是国内领先的3D NAND IDM企业，具备强大的电路设计、工艺和产品开发能力
，目前已量产全球领先的X-tracking架构的232层闪存产品。目前，我们尚未知晓长江存储是否正在进行DRAM的开发和制造，但映射全球领先的存储IDM企业，均既生产NAND、又生产DRAM，该策略在设计、工艺、产品、销售等方面均可实现协同，强化厂商的市场竞争力，我们有理由相信，长江存储未来有较强动机进行DRAM产品的开发和量产。
3、目前DRAM行业面临大量技术变革
，HKMG工艺、4F² Cell架构、PBA 架构、无电容架构、3D DRAM架构、HBM产品等的陆续创新，有部分路径甚至可以适当绕过EUV以实现晶圆存储密度的增长，为市场新进入者提供了追平甚至弯道超车的可能性。
4、机构认为，存储厂商的国产化设备基本验证完成，
未来中长期时间里，以两长一晋的国内先进存储厂商都有望持续扩产，甚至交叉拓展闪存和内存业务，显著支撑国产设备厂商业绩放量；
同时伴随着
Hybrid Bonding
技术的大量使用，有望进一步利好具有先进封装设备制造能力的企业。
5、HBM产业链梳理：
超预期点：
1、
专家认为 H 2024 年 910 产量约 50w，HWJ 2024 年产量约 20-30w 颗。
2、
H+长鑫两家公司同时推进 HBM 产线，近两年国内需求约 530w，大头是华为，会切换为国产 HBM，产能缺口大。
3、
深算
3 号性能对标 A100，且已经在生产过程中，进度有望超预期。
Q：长鑫 HBM 的进展和后续节奏？
A：国内目前仅有长鑫有实际产品。2020 年 10 月开始规划，找了通富和长电，和长电的合作项目在 23 年 1 月取消，只有通富继续合作。23 年 5 月中下旬成功在通富微电生产出国内首批基于3D 封装的HBM 颗粒，规格是8 层堆叠HBM2,容量 8GB。24Q1 有一批产品在生产，预计 3 月中旬完成晶圆到封测，出货量 1k颗 8Hi 8GB HBM2，作为最终产品由长鑫销售或送样。
长鑫下一步规划在 23H1 已经在通富同步开展，HBM2E 还是 8 层方案，项目周期持续至 26H2。根据现有项目安排，HBM2 的终端需求逐渐缩小，预计 24Q4会有 10w 颗出货，之后不再做 HBM2，25Q1 开始小批量 HBM2E。
Q：长鑫 HBM 和海外大厂在层数和容量的差异？
A：现在 HBM2E 主流是 8Hi 16GB，4Hi 8GB，HBM3 是 8/12Hi。这与单 die 容易有关，HBM2 制程为 16-19nm，HBM2E 14-16nm，后续单 die 容量更高需要到 1α、1β制程能力。
Q：产品良率情况？
A：HBM2 以 DRAM 裸晶圆模式发给通富微电，裸晶圆现有良率 83%左右；封装良率 72%左右；最终产品良率 50%-60%。后续还有提升空间，晶圆良率需要长鑫提升；国际大厂封装良率在 85%左右，还有 10pct 以上的提升空间。
提升良率的方法：第一，通富现在是一条中试线，设备都是其他事业部凑的，后续做成量产线良率会提升很多。第二，封装过程中最大良率损失在于堆叠， 4Hi/8Hi 目前都是 C2W 的方式，逻辑晶圆放最下面，每个逻辑晶圆的芯片上堆4/8 次形成重组晶圆，最后进行切割，堆叠过程可能歪了，层数越高失败概率越大，解决方式之一是晶圆厂在两片晶圆做 Hybrid Bonding 形成一片晶圆，这样封装厂堆叠的次数可以减半，有效提升封装良率。Hybrid Bonding 对晶圆的良率损失非常大，目前仅用两片做，SK Hynix 和三星都有相关技术，长鑫的工艺已经在通富研发导入，HBM2E 可能会用到。
Q：HBM2E 会比 HBM2 封装难度更高吗？
A：如果只是晶圆从 HBM2 升级到 HBM2E，封装环节没有良率变化。但长鑫 HBM2E 还在研发状态，真正量产时通富将有量产线，且长鑫可能会用到 Hybrid Bonding 减少堆叠次数，所以良率会有提升，预计到 80%以上。跟国际头部 85%的良率可能会有 knowhow 部分的差异在。
Q：长鑫是否会导入沛顿？
A：目前长鑫 DRAM 封测合作方：沛顿 50%、通富 30%、长电 20%，长电越来越少，流向通富和沛顿。HBM 封测技术和传统 DRAM 有很大差异，传统 DRAM主要用 FCBGA，HBM 需要类似 TSV 的技术和设备，目前只有通富、长电、
盛合晶微
有这方面工艺。沛顿可能之后会有项目开展。
Q：长鑫 HBM 封装端价值量？价格是否有性价比？
A：目前封装 8Hi HBM 200 元/颗，毛利率 30%左右，净利暂时没有算（至少 20%左右）。
目前长鑫的产品性能对标 SK Hynix，几个指标几乎相当：（1）带宽 300Gb/s 以上（SK Hynix 310Gb/s 左右）；（2）长鑫可以堆更多层数，容量没有差异；（3） I/O 速率与 SK Hynix 相当，2.4Gbps，可以做平行替代。
价格：SK 海力士 HBM2 8GB 120 美金，长鑫还没有定价，内部希望 60-70 元/GB，8GB 500 元左右。
Q：国内其他 DRAM 厂商有做 HBM 的计划吗？
A：国内仅有长鑫+通富一条产线正在生产，长鑫做设计和晶圆制造，通富做封测。还有一条生产链是由 H 牵头，23 年 10 月份立项，现在形成一个小团队，设计端是 H，流片是福建晋华和北京昇维旭，封测端是盛合晶微和长电微电子。计划 24H1 晶圆流片，H2 封测端封装导入，25 年不断调试，26Q3 推出最终产品，项目定义基于 12Hi HBM3，可能先做 4/8Hi。
Q：盛合晶微产能有限，是否有产能去做 HBM？
A：盛合现有能较紧，但其实 CoWoS 产线 99%的设备和流程可以和 HBM 共用，需要增购和开发的只有 1%，技术上不是难点。从产能看，盛合晶微正在扩产， 26 年应该能满足需求。但扩产过程也给了其他家机会，最终不一定在盛合晶微做，也可能在长电微电子。盛合晶微长期做 CoW，oS 和测试是长电做，目前长电微电子是帮盛合晶微做 HBM3 的测试，但长电也在布局 2.5D/3D 封装，24 年长电微电子会形成一条小规模 2.5D/3D 封装线，包括 CoW 和 oS。
Q：长鑫和 H 的 HBM 封装用什么工艺？涉及设备和材料？
A：长鑫 HBM2 目前使用 TCB 热压键合，HBM2E 还是 TCB。H 的 HBM3 现在技术还是 TCB，但盛合晶微和长电微电子在做 Hybrid Bonding 前期调研，可能面向 HBM3E。
TCB 热压键合现有设备都是进口，通富的 TCB 主要以 BESI Datacon 为主，也有个位数的 ASMPT 设备。盛合晶微 TCB 目前全部是 BESI。长点微电子 23 年开始买设备，目前也是 BESI。
Q：海外厂商是用 TCB 还是 Hybrid Bonding？
A：HBM3E 之前的次代都可以用 TCB 覆盖，HBM4 不能用 TCB，因为 HBM4的 I/O 更密集，而 TCB 需要做 Bumping。HBM3E 上三星也有开始用 Hybrid Bonding，主要因为三星的封测端技术由于 SK 海力士，希望在这上面有营销噱头提升市占率。
Q：长鑫和 H 在没有 EUV 的情况下能做到第几代？后续是否有补救办法？
A：HBM3 要求在 14nm 以下，有项目开展必定有解决方法，不清楚是否有 EUV，但可以通过类似重复曝光的方式进行补救。长鑫的产品还不涉及太精细的光刻技术，HBM2E 在 14-19nm 之间。
