ISPSD2024录用论文141篇，中国78篇论文入选

第 36 届功率半导体器件和集成电路国际会议 (International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs ， ISPSD) 将于 2024 年 6 月 2-6 日在德国不莱梅举办。这是 ISPSD 第二次在德国举办，之前是 1997 年。

作为 IEEE 旗下的功率半导体旗舰会议， ISPSD 涵盖了功率半导体器件、功率集成电路、功率集成、工艺、封装和应用等功率半导体领域的所有方面，是功率器件领域最具影响力和规模最大的顶级国际学术会议，也是功率半导体器件和功率集成电路领域技术讨论的首要会议。 ISPSD 被认为是功率半导体器件和集成电路领域的奥林匹克会议，一直以来都是国内外产业界和学术界争相发表重要成果的舞台。

ISPSD2024会议安排

论文情况

ISPSD2024 共收到 338 篇论文 （包括 7 篇 Late News ），其中 200 篇来自中国（中国大陆 183 篇，中国台湾 17 篇），占比 59% ； 36 篇来自日本， 28 篇来自德国， 23 篇来自美国。

按照论文提交的方向来看，碳化硅（ SiC ）方向超过 100 篇，达到 104 篇；氮化镓（ GaN ）方向为 94 ；低压器件（ LVT ）方向 50 篇；高压器件（ HV ）方向 43 篇；模组与封装（ PK ）方向 26 篇；功率集成设计（ ICD ）方向 14 篇。

经过技术委员会评审，共接收 141 篇，包括口头报告 42 篇（中国 23 篇），海报张贴 99 篇。口头报告接收率为 12.7% ，总体接收率为 42.6% 。

入选的 141 篇论文来自 12 个国家的机构，按国家入选数量统计排名（按第一作者所在国家统计）， 中国是入选论文数量最多的国家，共入选 78 篇论文 （中国内地 68 篇，中国香港 4 篇，中国台湾 6 篇）；日本入选论文数量排名第二，共计 23 篇；德国入选论文数量排名第三，共计 12 篇；美国排名第四，共计 10 篇；英国 6 篇，瑞士 4 篇，法国 3 篇，奥地利、比利时、韩国、加拿大、意大利各 1 篇。

ISPSD2024 共有 59 个机构有论文入选，按第一作者所在机构统计， 学术界方面，电子科技大学以 15 篇高居榜首；东南大学和浙江大学以 9 篇并列第二；北京大学、中国科技大学各有 6 篇，并列第三。 工业界方面 ，东芝以 7 篇排名第一，三菱以 5 篇排名第二，日立和英飞凌以 4 篇并列第三。

从入选论文分布专题来看，碳化硅（ SiC ）方向有 47 篇，接收率为 45.2% ；氮化镓（ GaN ）方向有 36 篇，接收率为 38.3% ；低压器件（ LVT ）方向有 21 篇，接收率为 42% ；高压器件（ HV ）方向 18 篇，接收率为 41.9% ；模组与封装（ PK ）方向有 12 篇，接收率为 46.2% ；功率集成设计（ ICD ）方向有 7 篇，接收率为 50% 。

中国论文入选情况

电子科技大学 共有 15 篇论文入选，全部来自功率集成技术实验室，再次摘取团队论文数量第一名！这是团队自 2017 年以来，第七次（ 2017 年、 2018 年、 2019 年、 2020 年、 2022 年、 2023 年、 2024 年）获得一作论文录取数第一名！功率集成技术实验室（ PITeL ）入选的 15 篇论文分布在氮化镓（ GaN ）方向 3 篇，高压器件（ HV ）方向 2 篇，功率集成设计（ ICD ）方向 3 篇，低压功率器件（ LVT ）方向 4 篇，碳化硅（ SiC ）方向 3 篇。 功率集成技术实验室 现有 16 名教授 / 研究员、 9 名副教授 / 副研究员， 270 多名在读全日制硕士研究生和 50 余名博士研究生，被国际同行誉为 “ 全球功率半导体技术领域最大的学术研究团队 ” 和 “ 功率半导体领域研究最为全面的学术团队 ” 。

东南大学 入选 9 篇论文，都来自 功率集成电路研发部 ，论文分布在氮化镓（ GaN ）方向 2 篇，功率集成设计（ ICD ）方向 1 篇，低压器件（ LVT ）方向 4 篇，模组与封装（ PK ）方向 1 篇，碳化硅（ SiC ）方向 3 篇。

浙江大学 入选 9 篇，都来自电气工程学院电力电子器件实验室，论文分布在氮化镓（ GaN ）方向 1 篇，氧化镓（ Ga2O3 ）方向 1 篇，高压器件（ LVT ）方向 1 篇，碳化硅（ SiC ）方向 6 篇。

北京大学 有 6 篇入选，都是氮化镓（ GaN ）相关论文，是集成电路学院魏进、王茂俊课题组与物理学院沈波、杨学林课题组合作的工作成果。

中国科技大学 入选 6 篇，其中 5 篇来自龙世兵、徐光伟课题组的工作成果的氧化镓（ Ga2O3 ）方向 ；孙钱和周宇团队在氮化镓（GaN） 方向 1 篇）。

香港科技大学 入选 4 篇，全部来自陈敬教授团队，都是氮化镓（ GaN ）的相关研究进展，有 1 篇在模组与封装方向。

西安电子科技大学 入选 3 篇，来自郝跃院士团队张进成教授课题组氮化镓（ GaN ）的相关工作成果。

南京大学 入选 3 篇， 2 篇来自陆海课题组氮化镓（ GaN ）相关的工作成果， 1 篇来自叶建东课题组有关氧化镓（ Ga2O3 ）的工作成果。

西交利物浦大学 入选 3 篇，来自刘雯副教授团队有关氮化镓（ GaN ）的最新研究成果。