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存储涨价不止:问存储芯片到底怎么了?

半导体行业观察  · 公众号  · 半导体  · 2017-05-28 11:45

正文

来源:内容来自中关村在线 ,谢谢。

目前存储产品的价格上涨持续已经接近一年,而且这种完全出自于市场行为的状况依然没有要停歇的势头。Garter最新的一份报告中称,他们认为想要等到存储设备降价只能到2019年了。


Garter方面表示,他们就掌握的资料进行了分析,整体来看供应商在2017和2018年的产出量依然难以满足市场需求,而2019年薪的供应商加入则有可能会解决这一问题,也就是紫光的长江存储器项目被予以了厚望。


报告显示,除了只能手机和PC以外,物联网设备、自动驾驶等都对存储芯片有着巨大的需求,缺口也很大。而部分存储芯片可能会在今年年底时涨势有所下滑,但是前提是价格已经涨到一定程度。



存储芯片市场被少数国际大厂垄断


存储芯片中比较常见的是NAND Flash和DRAM。NAND Flash闪存是一种非易失性存储技术,即断电后仍能保存数据,比如手机上16G/32G/64G的闪存和电脑上的固态硬盘用的就是NAND Flash。DRAM是动态随机存取存储器,只能将数据保持很短的时间,而且关机就会丢失数据,电脑上4G/8G/16G内存采用的就是DRAM。


目前,NAND Flash市场被三星与东芝联合的Toggle DDR阵营和英特尔与镁光为首的ONFI阵营把持,三星、东芝、闪迪、镁光、SK海力士等国外巨头占据80%以上的市场份额,其中三星是领头羊,市场份额约38%。


而在DRAM市场,三星、SK海力士、镁光占据了主要市场份额。在2016年第四季度,三星的市场占有率达47.5%,SK海力士的市场份额为27.3%,镁光的市场份额为19.4%。相比之下,市场份额排名4-6的台系厂商的市场份额就比较有限了,南亚科的市场份额为3.1%,邦华电子和力晶科技的市场份额分别为1.3%和0.8%。


可以看出存储芯片供应商被牢牢把持在少数几家厂商手中,而且有着赢者通吃的现象,这对处于市场份额占据优势地位的国际大厂非常有利,对于追赶者来说就很不利了。


技术升级和新产品瑕疵等因素助推价格持续上涨


在存储芯片市场被国外垄断的情况下,最大的影响就是相关产品上价格波动大,以京东商城上的内存条价格为例,在去年年中DDR4-2400 8GB的内存价格在300左右,但如今不少品牌的DDR4-2400 8GB的内存价格已经超过400元,像金士顿的 Fury系列DDR4-2400 8GB内存价格为479,而Savage系列 DDR4 2400 8G 内存价格为549。金士顿的DDR4-2400 16GB*2套装内存的价格更是高达1899元。虽然也有一些品牌的标价要便宜一点,但在京东自营店中都显示为缺货。


不仅京东上的内存条价格高昂,即便是某些电子产品大国的内存价格也在涨。根据日本媒体报道,在3月25日,日本秋叶原地区DDR4-2400 16GB*2套装内存的最低价格为25704日元(约合1600元人民币),而基本上多数店家的报价都在28000-29000日元之间,相当于去年夏天时的两倍。DDR4-24004GB*2套装内存的价格也在过去的一个月中创造了最高涨幅,平均价格升到了7234日元(约合450元人民币),涨幅达到了15%。


而造成这一情况的原因很大程度上是因为三星、镁光等国际大厂在升级技术后生产的新产品出现瑕疵而不得不召回。


据媒体报道,在三星和镁光将DRAM的制程升级到10+nm之后,三星的18nm DRAM和镁光的17nm DRAM都出现了瑕疵。根据PC整机厂的测试,三星的18nm DRAM装机后会导致系统出错及出现蓝屏当机情况,业界估算三星为此不得不回总数达10万条DRAM模组。但即便召回之后,重新出货的产品依然存在瑕疵,并导致PC整机厂的不良率攀升。


镁光在将25nm升级到17nm之后,也出现与三星类似情况的良率问题——镁光的17nm DRAM由于设计及制程上均与25nm DRAM有较大差异,目前的良率连一半都很难达到,为此镁光还要求客户暂停所有认证程序。


而三星和镁光恰恰是DRAM的主要供应商,而其产品存在瑕疵加剧了供应链吃紧情况,像南亚科今年前三季产能已被预订一空……在这种情形下,2017年内存条继续涨价已然是定局。


存储市场何时稳定?


既然存储产品疯狂涨价的根源在于闪存颗粒的量产不足,那么唯有等到所有的闪存原厂在3D制程上实现了完全突破,几大原厂能够在同一体系下进行竞争,存储产品涨价的风波才有可能停歇,正如同当下神州大地疯狂上涨的房价,唯有政府敢于丢卒保车,方破解全局。


现在我们来看一下各大闪存原厂的3D制程都发展阶段?根据公开消息,首先是Intel,不久前发布了全新针对服务器级市场的,基于3D Xpoint产品,并在2017年全年加紧供货服务器级市场;接着是三星,三星最新的Fab18闪存工厂,不久将要投入量产,2017年将是量产的关键之年;同样的东芝Fab2、美光Fab10x以及SK海力士M14等闪存工厂都将在2017年进行量产。


几乎所有的闪存原厂都将在2017年开始量产基于最新堆叠层数的3D NAND技术产品,量产的产品经过最终封装和分发到存储厂商手中,然后经由存储厂商进行产品方案的选择和最终推出到市场,可能还会经历一段时间。


今天是《半导体行业观察》为您分享的第1291期内容,欢迎关注。

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