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思锐智能，半导体前道工艺设备研发商，已在青岛证监局办理辅导备案登记，启动A股上市进程。
思锐智能成立于2018年，主要聚焦关键半导体前道工艺设备，
如原子层沉积（ALD）及离子注入（IMP）设备
。思锐智能业务范围覆盖全球40国及地区，超过500个客户。
一、创始人聂翔：中车系
思锐智能的现任法人、董事长兼总经理聂翔，1978年11月出生于陕西咸阳，拥有对外经济贸易大学企业管理专业硕士学位，是正高级经济师，
具备20多年企业管理及战略投资经验。
他曾在中车集团有多年工作经历，为其在半导体领域的开拓积累了丰富的经验和资源。
2018年9月，聂翔主导并全程参与成功收购原子层沉积设备科研应用级别的世界级解决方案提供商倍耐克公司（BeneqOy），为思锐智能的发展奠定了坚实基础。
2021年，他又带领团队启动离子注入机的研发工作，凭借卓越的领导能力和战略眼光，推动思锐智能在半导体装备领域不断前行。
二、思锐智能发展历程：收购+研发
思锐智能成立于2018年1月，注册资本11.21亿元。成立之初便积极布局，
通过收购芬兰倍耐克公司
，整合海外前沿技术研发资源，开展ALD技术国内外联合研发与国内产业化落地工作。
2021年启动离子注入机研发
，2023年9月成功推出国内首台能量达到8MeV的高能离子注入机交付到国内头部企业，填补国内空白。
2024年完成全国首台高能离子注入机国内主流验证
，月处理产能大概10万片，并获评2024年中国隐形独角兽500强企业。
三、产品布局：ALD与IMP双轨发展
公司产品有ALD设备、薄膜电发光显示器（LDI）设备以及离子注入（IMP）设备三大产品系列。
ALD设备凭借收购倍耐克公司的技术，建立了完善的产品体系，覆盖全球众多头部客户并在众多细分领域取得领先地位。离子注入设备以高能离子注入机和大束流离子注入机为基础，不断扩展覆盖包括碳化硅（SiC）在内的功率半导体领域，满足多样化应用需求。
ALD 业务多领域突破
：在 GaN 领域，2022 年思锐智能加入 IMEC GaN Power IIAP 项目组推进创新，2023 年与英诺赛科、晶湛半导体等国内企业合作，以量产型 ALD 设备支持硅基氮化镓研发生产；在 Micro - LED 领域，其 ALD 设备已在全球头部客户端验证通过，可提升产品发光效率；在 SiC 领域，积极与国内外客户开发 ALD 解决方案，如沉积栅极介质层提升器件性能。
双轨发展布局形成
：思锐智能正式形成 “ALD + IMP” 双轨发展布局，持续聚焦前道工艺设备的创新研发与量产应用，是 “开辟新发展赛道”“攻克量小难度大的设备” 业界共识的先行者。
四、技术实力：300+专利加持
思锐智能及其子公司拥有300余项相关专利，在ALD技术及应用方面技术积累丰富。
公司提供的原位等离子体处理、原位生长高质量的PEALD膜层、热法ALD的一套三步解决方案，已通过国内外GaN领域知名企业的量产验证。
在离子注入技术上，为半导体应用提供精确控制的掺杂、电平修复等解决方案，不断推动技术创新。
五、融资与股东：中车、上汽等
思锐智能发展前景良好，获得诸多资本青睐。
2024年2月完成数亿元B轮融资，由上汽集团战略直投、尚颀资本和鼎晖投资联合领投，众多知名投资者跟投，老股东持续加持。
其后又完成B+轮融资，吸引了多家知名机构参与。
目前公司无控股股东、无实际控制人，第一大股东为中车青岛四方车辆研究所有限公司，持股比例为19.48% ，中车系合计持有约52.54%股份。
六、上市进稳步推进
2025年2月19日，思锐智能在青岛证监局办理辅导备案登记，拟首次公开发行股票并上市，辅导机构为国泰君安证券，辅导周期约为14个月，计划在2026年1 - 4月完成编写发行上市申报文件。
若一切顺利，公司最快或在明年完成上市，届时将为青岛资本市场再添一员猛将，也将为半导体装备行业的发展注入新的活力，
助力国家半导体产业的高质量发展。
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