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埃米时代不远了?Imec擘划先进制程蓝图;半导体前置时间创7年来新高 重复下单恐引消单乱象;数百亿级投资催熟NB-IoT

集微网  · 公众号  · 硬件  · 2017-05-24 07:40

正文

1.埃米时代不远了?Imec擘划先进制程蓝图;

2.日本芯片设备销售额大增4成、创9年7个月新高;

3.半导体前置时间创7年来新高 重复下单恐引消单乱象;

4.数百亿级投资催熟NB-IoT 运营商赢利模式未知;

5.研究人员打造生物可分解的半导体芯片


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1.埃米时代不远了?Imec擘划先进制程蓝图;


随着半导体发展脚步接近未来的14埃米,工程师们可能得开始在相同的芯片上混合FinFET和奈米线或穿隧FET或自旋波电晶体,他们还必须尝试更多类型的存储器;另一方面,14埃米节点也暗示着原子极限不远了…


在今年的Imec技术论坛(ITF2017)上,Imec半导体技术与系统执行副总裁An Steegen展示最新的半导体开发蓝图,预计在2025年后将出现新制程节点——14埃米(14A;14-angstrom)。这一制程相当于从2025年的2nm再微缩0.7倍;此外,新的占位符号出现,显示制程技术专家乐观看待半导体进展的热情不减。


Steegen指出:“我们仍试图克服种种困难,但如何实现的途径或许已经和以前所做的全然不同了。”


14埃米节点也暗示着原子极限不远了。单个砷原子(半导体所使用的较大元素之一)大约为1.2埃。


随着半导体发展脚步接近未来的14埃米,工程师们可能得开始在相同的芯片上混合鳍式场效电晶体(FinFET)和奈米线或穿隧FET或自旋波电晶体。他们将会开始尝试更多类型的存储器,而且还可能为新型的非冯·诺依曼电脑(non-Von Neumann)提供芯片。


短期来看,Steegen认为业界将在7nm采用极紫外光(EUV)微影技术、FinFET则发生在5nm甚至3nm节点,而奈米线电晶体也将在此过程中出现。


如今,14埃米节点还只是出现在简报上的一个希望 (来源:Imec)


Steegen表示:“从事硬体开发工作的人员越来越有信心,相信EUV将在2020年初准备好投入商用化。经过这么多年的努力,这一切看来正稳定地发展中。”


Imec是率先安装原型EUV系统的公司,至今仍在鲁汶(Leuven)附近大学校园旁的研究实验室中持续该系统的开发。


Steegen预计,EUV“将在最关键的层级导入制程,”以便在线路终端处完成通道和区块。使用今天的浸润式步进器,这项任务必须通过3或4次的步骤,但透过EUV更精密的解析度,只需一次即可完成。


工程师在这些先进节点上工作时,必须先检查其设计能够搭配使用浸润式或EUV系统。当他们在将芯片发挥到极致时,将会使用EUV更进一步缩小其设计。


无论如何,还需要3或甚至4次的浸润式图案化过程,才能打造具有小于40nm间距的特征尺寸。工程师不要指望设计规则能很快地变得更简单。


Imec勾勒未来节点可能实现的功率性能


选择抗蚀剂与电晶体


找到合适的抗蚀剂材料是让EUV顺利量产的几项挑战之一。到目前为止,如果研究人员能以20毫焦耳/平方公分的曝光能量进行,就能使EUV顺利进展。


包括ASML、东京电子(Tokyo Electron)和ASM等几家公司正在开发专有(意味着昂贵)的技术来解决问题。它们通常涉及了抗蚀剂处理以及多个制程步骤,才能蚀刻或退火掉粗糙度。


“这项技术看起来非常有希望,所以我们有信心能够克服线边粗糙度(LER)的问题,”Steegen说。


此外,Imec现正开发保护EUV晶圆免于污染的防尘薄膜。它以碳奈米管提供承受EUV曝光超过200W以上所需的强度,而非阻挡大部份光源穿透晶圆。


除了EUV以外,下一个重大障碍是基本电晶体的设计转变——任何元件核心的电子开关。Steegen说:“FinFET的微缩是必须解决的关键问题。”


截至目前为止,研究显示,FinFET可以在5nm时使用,而如果导入EUV的情况顺利,甚至可沿用至3nm节点。Steegen说:“在3nm节点,FinFET和奈米线的效果能几乎一样好,但奈米线闸极间距带来了更多的微缩,”他并展示一项堆叠8根奈米线的研究。


详细观察阻抗剂的问题显示,使用化学助剂和不使用化学助剂(CAR和NCAR)的研究结果。LWR/LCDU是指线边粗糙度的测量值应不超过特征间距尺寸的十分之一,图中的范围约为3.2至2.6。


通道微缩与存储器


如果EUV一再延迟,芯片制造商将会调整单元库来缩小芯片。Imec正致力于开发一个3轨(3-track)的单元库,这是将芯片制造商目前用于10nm先进制程的7-track单元库缩小了0.52倍。


其折衷之处在于它能实现3nm节点,但仅为每单元1个FinFET保留空间,较目前每单元3个FinFET减少了。此外,随着单元轨缩小,除了从7nm节点开始的挑战,预计工程师还将面对新的设计限制。


Imec正致力于开发几种得以减轻这些困难的设计,包括所谓的超级通道(super-vias),连接3层(而2层)金属以及深埋于设计中的电源轨,以节省空间。


这项工作显示,设计人员可能被迫在3nm时移至奈米线电晶体,实现完全以浸润式步进器为基础的制程。然而,透过EUV,3nm制程仍可能有足够的空间实现5-track的单元库,因而使用基于FinFET的元件。


仅使用浸润式步进器的制程可缩小单元轨,但却会随着闸极(红色)缩小而牺牲FinFET(绿色)数量。而在底部,Imec展示研究人员正开发的4个结构,用于减缓微缩。


无论如何,到了这些更先进的节点时,系统、芯片和制程工程师都必须比以往更加密切地合作。他们必须确定哪些功能可以被整合于单一芯片上,或者是否需要单独的芯片制作,如果是这样的话,那么这些芯片又该如何进行链接等等。


同时,还有一大堆新的存储器架构仍处于实验室阶段。Steegen说,磁阻式随机存取存储器(MRAM)目前是最有前景的替代技术,可用于取代SRAM快取,甚至是DRAM。然而,MRAM到了5nm以后可能还需要新电晶体结构。


此外,还有其他更多有趣的选择,包括自旋轨道转矩MRAM以及铁电RAM,可用于取代DRAM。业界目前正专注于至少5种备选的储存级存储器技术,主要是交错式(crossbar)和电阻式RAM结构的存储器。


此外,Imec正开发新版OxRAM,将有助于物联网(IoT)的设计。目前已经针对可承受汽车设计所需温度条件的方法进行测试了。


面对诸多极其乏味的选择与严苛挑战,Steegen依然乐观。在开始对1,800位与会者发表演讲之前,她还快速地进行了一项调查,结果显示有68%的人认为半导体产业将顺利过渡到3nm节点。


她说:“谢谢所有对这个可能性回答『是』的人,而对于那些认为『不』的人,我会证明你错了。”


编译:Susan Hong


(参考原文:4 Views of the Silicon Roadmap,by Rick Merritt)eettaiwan



2.日本芯片设备销售额大增4成、创9年7个月新高;


日本半导体制造装置协会(SEAJ)22日公布初步统计指出,因半导体(芯片)需求旺盛,带动2017年4月份日本制芯片设备销售额(3个月移动平均值)较去年同月大增41.2%至1,657.92亿日圆,连续第8个月呈现增长,月销售额连续第10个月突破千亿日圆、创9年7个月来(2007年9月以来、1,761.26亿日圆 )新高纪录。


SEAJ并同时公布,2017年4月份日本FPD(平面显示器)制造设备销售额较去年同月成长13.0%至348.02亿日圆,连续第20个月呈现增长。


SEAJ于19日宣布,因部分会员不再提供订单数据,导致无法汇整订单额相关数据,故自4月份公布的数据起,将不再提供半导体/FPD制造设备订单额数据、且也不再提供接单出货比(book-to-bill ratio;BB值)数值。


日本主要芯片设备厂商包括东京威力科创(Tokyo Electron)、Advantest Corp.、Screen Holdings、日立国际电气(Hitachi Kokusai Electric, Inc.;HiKE)、Nikon Corp. 与Canon Inc. 等。


东京威力科创4月28日宣布,因芯片厂商设备投资持续活络、加上FPD制造设备需求强劲,故今年度(2017年4月-2018年3月)合并营收预估将年增22.5%至9,800亿日圆、合并营益将大增38.7%至2,160亿日圆、合并纯益将大增41.5%至1,630亿日圆。


东京威力科创预估今年度芯片制造设备销售额将年增21.4%至9,100亿日圆、FPD设备销售额将大增41.7%至700亿日圆。精实新闻



3.半导体前置时间创7年来新高 重复下单恐引消单乱象;



内存大厂美光(Micron Technology)、NFC芯片供货商恩智浦半导体(NXP Semiconductors)等半导体业者最好谨慎一些,因为分析发现「前置时间」(lead times)已创2010年新高、产业吹出大泡沫,今(2017)年稍晚或有破灭之虞。 虽然这不代表多头行情已经走完,但却值得投资人关注。


barron`s.com报导(见此),研究机构BlueFin Research Partners分析师Paul Peterson 22日发表研究报告警告,前置时间拉长、接单出货比(book-bill ratio)高涨、再加上积压订单(Backlog)大增,长期而言都对业界不利。


问题在于客户的下单行为。 Peterson在调查供应链后发现,距离本季结束只剩6周,中国却有部分通路商,不但积压订单超过预估需求,接单出货比还高于1.2倍,且现在就在接受9月、10月才要出货的订单。


与此同时,半导体业的前置时间持续拉长,尤其是标准规格的集成电路(commodity IC)以及被动组件。 调查显示,平均前置时间已经创2010年以来新高。 除此之外,市场还传出部分半导体供货商(例如NXP、英飞凌和ON Semiconductor)可能涨价谣言,让客户赶忙在涨价前下订。


Peterson观察到,许多客户因为前置时间延长而重复下单,有的会同时跟两家供货商下订,有的会辗转透过多个通路向同一家供货商下达多笔订单。


不过,重复下单还不是最令人担忧的事。 更严重的议题在于,前置时间延长,会迫使客户增加远期订单。 一般而言,客户只能准确预测12周内的市况,超过这个时间、预测就会失准,若客户被迫为更长远的未来做打算,那他们经常会过于乐观,因为若是需求没有那么多、订单随时都可取消。 目前半导体材料供货商预估,第3季的产量将季增7-8%,远多于正常的季节性趋势。


最重要的是,亚洲已经有延迟订单的初步迹象(亚洲客户能够不事先通知、就要求供货商暂停出货,北美、欧洲客户则必须在30天前通知)。 订单延迟率上扬,显示客户在评估需求时过于乐观,估计接下来下单率会逐步趋缓,然后更为剧烈的修正──取消订单,也会接踵而来。


不过,以当前的市况来看,该证券还是相信,半导体供货商在4-6月当季应能缴出亮眼成绩单,只是初步警讯显示,供应链接下来几季可能面临麻烦。


美银美林首席投资策略师Michael Hartnett则对美国科技泡沫提出警告。 zerohedge.com 22日报导,Hartnett发表最新报告指出,在低成长、低通膨以及低殖利率的推波助澜下,美国成长型股票(MSCI US Growth Index)相对于全球价值型股票(MSCI World Value Index)已超越2000年的科技泡沫水平。


美银美林多空指数目前为7.3、逼近象征卖出讯号的8.0。 Hartnett认为,央行紧缩货币的速度越慢、科技/成长股出现投机性狂热的风险就越高。精实新闻


4.数百亿级投资催熟NB-IoT 运营商赢利模式未知;



4G建设高峰已过,5G尚未来临,这种情况下,NB-IoT(窄带物联网)迅速上位,成为电信行业的投资焦点。


在近期举行的世界电信日期间,中国电信对外宣称建成全球最大的NB-IoT网络,共计31万个NB-IoT基站覆盖全国,已经具备提供新一代物联网服务的全面能力。同一时间,无锡市政府对外宣布,由中国电信无锡分公司投资1.5亿元建设了2000个NB-IoT基站,已建成全国首个物联网全覆盖的地级市。


电信运营商憧憬物联网已久,期望物联网的海量联接给已经饱和的电信市场带来二次增长。但由于2G/3G/4G网络难以满足物联网对于低成本、低功耗、海量联接数量的需求,运营商蜂窝物联网的市场占比一直低于10%。


2014年开始,爱立信、华为、高通、Intel以及多家运营商开始尝试技术革新,以满足物联网需求,经过两年的博弈、妥协,这一技术被命名为NB-IoT,并于2016年6月在3GPP标准组织完成标准冻结。


其后,各种基于NB-IoT的水表、电表、燃气表等智能抄表项目,以及智能停车项目在多地开花。除电信之外,移动、联通多省NB-IoT的试商用也已经纷纷启动。同时,共享单车也加入NB-IoT的队伍,ofo在2017年2月与华为、中国电信启动合作,摩拜单车则与爱立信、中国移动在5月15日签约。


数百亿电信投资


经过三年的海量投资,中国4G投资高峰已过。根据三家运营商的财报显示,2015年,三大运营商共计支出1618亿元投资4G网络建设,共建设102万个4G基站。2016年,三大运营商共支出1500亿元,共计建设113万个4G基站。


但2017年,三大运营商均会逐步缩减4G网络投资,电信、移动、联通分别计划建设4G基站27万个、26万个、15万个,总计68万个基站,4G网络投资预算分别约356亿元(估算)、742亿元、180亿元,总计1278亿元。


根据规划,5G商用时间可能在2020年以后,2017-2020年间,中国电信市场将进入投资波谷期。在2011-2013年的投资波谷中,电信行业投资热点从3G向光纤宽带转移,这一次,投资热点转移到NB-IoT上。2016年以来,爱立信、华为、中兴,以及三大运营商均已将物联网纳入宣传重点。


“如果要覆盖全国,三家运营商都得数百亿的投资,”一位中国联通资深专家告诉记者:“如果是完全新建基站,一个NB-IoT站的成本大概是几十万,但如果是升级的话,目前的价格应该是5万元/站左右。”该人士称,该价格包括了硬件、License、网络升级等成本,其中License占比较高。


公开信息显示,中国电信在无锡建设的NB-IoT基站,单站成本约7万元。此外,2017年1月,中国移动在官网发布新闻,江西鹰潭市建设的NB-IoT网络,投资4465万元,开通135个站点,单站成本33万元。


上述联通人士介绍:“电信、联通,绝大多数基站都可以直接升级NB-IoT,成本相对较低。但以30万站覆盖来算,也都得150多亿元投资。”


但中国移动可能需要更多投资。一份来自移动的内部材料显示,目前,中国移动计划在现有GSM网络上升级NB-IoT网络,但只有48%的基站可以支持升级。这也就意味着,中国移动如果建设覆盖全国的NB-IoT网络,新建、升级的比例约各占一半,总投资或许接近400亿-500亿元。


不过,除电信宣布建成全国NB-IoT网络之外,移动、联通暂未就此表态。而且,除了NB-IoT之外,移动、联通同时还在试点eMTC方案,eMTC也是针对低速率、海量联接的物联网技术,其支持的联接数量低于NB-IoT,但提供的速率高于前者。两种技术定位于不同的应用场景,但相比于NB-IoT,目前中国移动建设的TD-LTE网络均可以升级eMTC,可以大幅降低网络投资。


虽然技术路径尚未明确,但大规模建设已经成规划中的必然。根据中信建设证券日前发布的报告统计,2017年,电信、移动、联通分别计划新增物联网用户0.25亿、1亿、0.2亿,计划年底总用户分别为0.47亿、2亿、0.63亿户。根据该计划,2017年,中国蜂窝物联网将新增用户1.45亿,总用户达3.1亿,成为全球蜂窝物联网的标杆市场。


盈利模式未知


2017年4月28日,来自爱立信的NB-IoT工业螺丝刀作为双创典型案例登上新闻联播。爱立信东北亚区研发中心总经理彭俊江向记者介绍:“工业螺丝刀要求精度极高,每使用1万次就需要校准。过去,工厂通过划‘正’字手工记录使用次数,或者每两个月就统一校准,效率较低。使用NB-IoT之后其可以自动记录使用次数,优化管理。”此类工业螺丝刀成本超过1万元/把,爱立信工厂使用此类螺丝刀上千把。此外,爱立信与全球第二大药厂阿斯利康合作研发的物联网呼吸机,也已经在国内商用,并计划在全球推广。


华为也在迅速布局,华为海思研发NB-IoT芯片、收购英国物联网模组企业Neul、打造LiteOS物联网系统平台,并且推出了IoT合作伙伴计划,在水、电、燃气智能抄表、智能停车等多个领域快速推进。


对于电信设备企业而言,NB-IoT带来的不只是运营商的基站设备投资收益,还有跨界提供其他行业解决方案的广阔机会,这也是其动力所在。


但在多位接受记者采访的运营商人士看来:“运营商暂时没有找到NB-IoT盈利的希望。”


2016年,中国移动物联网用户数达到1亿,物联网收入仅44亿,户均年贡献收入不足5元。中国移动人士介绍:“很多客户一年也就6-7元,还有很多免费的。”同时,2016年,中国联通物联网用户4000万,年收入约30亿,户均年收入80元。联通人士介绍:“移动物联网主要是2G客户,但联通物联网主要发展的是高流量客户,ARPU值相对较高。”


但是,根据目前规划,NB-IoT未来的ARPU值将远低于2G/3G/4G网络。以高价值抄表业务为例,此前,2G网络提供抄表业务收费约5元/月,但NB-IoT抄表业务,收费低于1元/月,未来会进一步下降。中国联通研究院在《NB-IoT运营策略》文章中分析,NB-IoT未来带来的联接数量可能达到蜂窝物联网的70%,但只能贡献10%的收入。


现阶段,用户规模仍然受到成本制约。机智云总经理黄锡雄告诉记者:“NB-IoT低成本、大联接的特点非常符合需求,很多WiFi、蓝牙做不到的场景都可以使用NB-IoT,但现在成本并不够低。”机智云是国内物联网平台服务公司,截至2016年底,6000多家企业使用机智云平台,在线设备累计约700万。


2017年,中国电信计划投入3亿元补贴,其中1亿用于500万台NB-IoT模块补贴,每台补贴20元,运营商目标是将NB-IoT模块价格降低至5美元。“但对于规模发展而言,即使5美元仍然偏高了,”黄锡雄认为:“毕竟WiFi模块已经不到10元。”据记者了解,目前批量采购下,NB-IoT模块价格为80-100元左右,距离运营商“5美元”的目标仍有距离。


此外,技术不确定性也是NB-IoT的制约原因。一位运营商人士介绍:“因为标准组织做出了不少妥协,使得NB-IoT现在不支持切换、不支持定位、信道覆盖增强不足,未来大规模组网可能会影响用户体验,影响规模。”


“即使规模起来了,靠联接盈利也不行。而寄希望通过数据、服务变现,可能性也很低,”上述人士介绍:“运营商物联网平台暂不具备数据沉淀、管理功能,研发能力弱,也缺乏数据分析能力。”目前,三大运营商物联网平台均非自主研发,中国联通使用了思科的Jasper方案,中国移动OneNet则由华为开发,而中国电信则同时使用了华为、爱立信两家的平台方案。


(来源:21世纪经济报道 记者 陈宝亮)


5.研究人员打造生物可分解的半导体芯片


美国史丹佛大学(Stanford university)的研究人员打造了一种像皮肤般柔软且有机的半导体元件,只需添加弱酸(如醋酸)即可使其自行分解,而不至于增加电子废弃物。


这项研究工作的动机一部份来自于减少电子废物产生的必要性。电子产品快速增加,特别是智慧型手机每两年的产品周期,意味着电子废弃物产生的速度越来越快。根据联合国环境署(United Nations Environment Program)的调查报告,电子废弃物预计在2017年将达到5,000万吨,较2015年产生的电子废弃物增加20%以上。


因此,史丹佛大学工程师Zhenan Bao及其研究团队一直在思考电子产品。“我们一直试着模拟人类皮肤的功能,思考如何开发未来的电子元件,”她认为就像皮肤一样可伸展、自愈以及生物可分解,才是电子元件迷人的特性。“我们已经在以往的研究中实现了两项(软性+自愈),生物可分解就成了我们的目标。”


研究人员在以往的研究上添加了生物可分解性,使其成为兼具这三项重要特性的聚合物。这项研究已刊载于美国国家科学院院刊(Proceedings of the National Academy of Sciences),根据该研究作者Zhenan Bao表示,“这是第一次半导体聚合物可自行分解的个例子。”研究人员还开发了生物可分解的纤维素基板材料,可用于安装电子元件。


电子触点通常用这种元件的金(Au)制成,而研究人员则是以铁打造元件;这是一种对人体无毒的环保产品。


研究人员表示,该技术以亚胺化学为基础,使用800nm厚的基板制造伪互补聚合物电晶体以及具有完全可分解的4V逻辑电路。


生物可分解性极其适于穿戴式装置和植入式电子产品应用,以及利用大量感测器微粒进行的大规模环境调查。


此外,研究人员指出,这些柔软如皮肤般的半导体芯片既轻且薄,可直接贴在人们的皮肤上,用于测量血压、葡萄糖值与汗液含量。它甚至可做成特制的贴片,可在一面下载资料的同时,也让人们轻松穿戴一整天。eettaiwan


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