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台积电:10nm寿命很短,7nm将领先全球

半导体行业观察  · 公众号  · 半导体  · 2017-03-18 13:23

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来源:内容来自钜亨网,谢谢。


晶圆代工龙头台积电技术论坛自美国起跑,根据外电网站报导指出,台积电预估,今年约当12吋晶圆出货约达1100万片,较去年成长1成,在7纳米制程上,台积电预期,该公司将是第一个采用EUV制程量产7纳米的厂商,进度仍可望超前三星。


台积电在技术论坛上,揭露各项新制程技术发展,其中7 纳米制程采用256MB SRAM 生产的良率已达76%,明年进入量产,预期安谋(ARM) Cortex A72 处理器将采用该制程生产。


在7 纳米制程上,台积电预估,将很快导入EUV 制程,台积电将是第一个使用EUV 量产7 纳米制程的晶圆厂,进度比三星领先量产;根据两家公司释出的技术蓝图,三星订2019 年前量产7 纳米EUV 制程,台积电则估明年6 月就会进入风险性试产(Risk Production)。


台积电预期,采EUV 制程的7 纳米,逻辑晶圆密度可较第一代7 纳米制程增加1.2 倍,速度则可提高10%,功耗减少15%;台积电预估,4 月开始第一代7 纳米进入风险性试产,今年将有12 个设计定案,预期试产第一年内将有20 个设计定案。


台积电同时也透露,10 纳米制程只有较短的寿命,主要是为苹果iPhone 8 所用的A12 芯片设计出的制程,速度将16 纳米会10%,功耗可减少25%。而再往前推进,台积电预估,5 纳米将可在2020 年量产。


三星7纳米2018量产:可造高性能GPU


目前,台积电、三星、Intel等大厂都在积极布局10nm工艺,并筹划未来的7nm、5nm,一个比一个高调。


在近日上海举办的中国国际半导体技术大会(CSTIC)上,三星电子就展示了自己的半导体工艺路线图,并特别提到了7nm、5nm,明确表示会分别在2018年、2020年就投入量产。


三星表示,随着半导体工艺走向后10nm时代,厂商们会面临越来越严峻的挑战,尤其是如何保证足够高的良品率,为此三星特别提出了环绕栅极场效应晶体管(GAA FET)技术,将用在7nm、5nm工艺上。


另外,EUV极紫外光刻技术一旦取得突破并成熟,三星也会立即使用,但从目前的情况看,7nm上的希望很低。


三星指出,他们的7nm工艺将面向高性能芯片制造,包括GPU、AI、服务器、ADAS(先进驾驶辅助系统)等等。


值得注意的是,台积电和三星的10nm工艺都是主打高能效、低功耗的移动芯片应用,不适合高性能的CPU、GPU,所以AMD完全跳过了这一代,直接奔向7nm,NVIDIA据称下代架构也会依然坚持16nm,想必也在观望台积电方面7nm的进展,后者也是预计2018年投产 。


AMD目前使用的GlobalFoundries 14nm工艺其实正是三星提供的,如果未来能继续供应高性能的7nm,无疑是个极大的利好消息。


Intel 7nm工艺跳票至2022年


先进的半导体工艺一直是Intel的杀手锏,不过这些年,即便是技术实力雄厚如Intel,在新工艺之路上也走得步履维艰,如今再有坏消息传来。


14nm工艺连续使用三代之后,Intel终将在今年上马10nm,而按照新的三步走战略,7nm工艺产品应该会在2020年左右诞生。不过考虑到与三星、台积电命名方式的不一样,所以台积电的10nm应该相当于三星7nm水平。


Intel此前的一份招聘启事里也曾经提到过7nm工艺产品,并称时间安排在2020年或更晚,而现在这个时间点有了更明确的说法:2022年。


这意味着,想看到Intel 7nm处理器,还得等六年之久!而在那之前,Intel将会连续优化10nm,预计推出10nm+、10nm++两个优化版本——刚刚发布的Kaby Lake就就号称使用了14nm+工艺。


有趣的是,AMD去年中和代工厂GlobalFoundries签订了为期五年的晶圆供应合同,将携手跳过10nm、直奔7nm工艺,按时间表计算应该在2020年左右实现。


即便是考虑到GlobalFoundries一贯不是特别靠谱,AMD也有望和Intel在差不多的时间里进入7nm时代。


当然,在那之前,AMD将不得不多年使用14nm对抗对手的10nm。


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