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【专利】紫光同芯“一种SGT器件及其制备方法”专利公布;大普微电子“数据写入方法、存储控制芯片及其闪存设备”专利公布;

集微网  · 公众号  ·  · 2025-02-14 07:42

正文

1.紫光同芯“一种SGT器件及其制备方法”专利公布
2.大普微电子“数据写入方法、存储控制芯片及其闪存设备”专利公布
3.芯华章科技“仿真逻辑系统设计的方法、设备以及存储介质”专利获授权
4.聚飞光电“一种LED支架、LED发光器件及发光装置”专利获授权
5.安路科技“芯片的同步开关噪声测试方法装置及存储介质”专利公布

1.紫光同芯“一种SGT器件及其制备方法”专利公布

天眼查显示,紫光同芯微电子有限公司“一种SGT器件及其制备方法”专利公布,申请公布日为2024年12月31日,申请公布号为CN119230411A。

本发明公开了一种SGT器件及其制备方法,制备方法包括:在衬底上形成外延层;外延层包括相对设置的第一表面和第二表面;第一表面为第二表面远离衬底的表面,外延层包括体区,体区远离衬底的表面与第一表面为同一平面;在第一表面形成至少一个第一沟槽;第一沟槽由第一表面延伸至外延层内;在第一沟槽的侧壁形成保护层;在每一第一沟槽内形成第二沟槽;第二沟槽由第一沟槽的底部延伸至外延层内,每一第一沟槽对应一个第二沟槽;沿第一方向,第二沟槽的宽度大于第一沟槽的宽度,第一方向垂直于衬底指向外延层的方向;在第二沟槽内形成第一栅极结构;去除保护层;在第一沟槽内形成第二栅极结构。本发明可以优化器件的雪崩特性,提高器件的承压能力。

2.大普微电子“数据写入方法、存储控制芯片及其闪存设备”专利公布

天眼查显示,深圳大普微电子股份有限公司“数据写入方法、存储控制芯片及其闪存设备”专利公布,申请公布日为2024年12月31日,申请公布号为CN119225635A。

本申请实施例涉及存储设备应用领域,公开了一种数据写入方法、存储控制芯片及其闪存设备,数据写入方法包括:获取写命令,基于写命令向闪存介质发送第一编程指令并进行数据传输操作;在每一次数据传输操作完成之后,检测是否存在断流标记;在检测到断流标记时,向闪存介质重新发送第一编程指令并重新进行数据传输操作,直至在任一次数据传输操作完成后未检测到断流标记时,向闪存介质发送第二编程指令,以将数据写入闪存介质。本申请能够在写入过程中对数据断流进行处理,使得数据能够正确、完整地写入闪存介质,从而减少因数据断流导致的数据写入错误,提高数据写入的完整性和准确性,进而提高闪存设备的可靠性和稳定性。

3.芯华章科技“仿真逻辑系统设计的方法、设备以及存储介质”专利获授权

天眼查显示,芯华章科技(北京)有限公司近日取得一项名为“仿真逻辑系统设计的方法、设备以及存储介质”的专利,授权公告号为CN118350322B,授权公告日为2024年12月31日,申请日为2024年5月23日。

本申请提供一种仿真逻辑系统设计的方法。所述方法包括:根据所述逻辑系统设计的描述确定所述逻辑系统设计的多个基本逻辑单元;合并所述多个基本逻辑单元为多个任务节点,所述多个任务节点的每一个包括一个或多个子节点;以事件驱动的仿真的方式确定所述多个任务节点的仿真安排,所述多个任务节点包括第一任务节点;以及响应于安排所述第一任务节点仿真,以基于时钟周期的仿真的方式仿真所述第一任务节点的一个或多个子节点。

4.聚飞光电“一种LED支架、LED发光器件及发光装置”专利获授权

天眼查显示,深圳市聚飞光电股份有限公司近日取得一项名为“一种LED支架、LED发光器件及发光装置”的专利,授权公告号为CN113097373B,授权公告日为2024年12月31日,申请日为2021年3月26日。

本发明提供一种LED支架、LED发光器件及发光装置,LED支架包括封装体以及部分被封装体覆盖的基板,封装体包括环绕LED支架的侧壁;基板包括相互绝缘的第一基板区和第二基板区,第一基板区和第二基板区之间包括绝缘区域;第一基板区包括基板主体以及与基板主体连接的设置于侧壁之内的至少一个支撑部,支撑部自基板主体伸出至从基板主体的高度方向上突出,且支撑部向靠近第二基板区的方向延伸进入绝缘区域对应的第一侧壁区域;能够在一定程度上使得LED支架侧壁的强度增加,且形成了立体的加强结构,利于减少LED支架的侧壁受到外力而折断的情况。

5.安路科技“芯片的同步开关噪声测试方法装置及存储介质”专利公布

天眼查显示,上海安路信息科技股份有限公司“芯片的同步开关噪声测试方法装置及存储介质”专利公布,申请公布日为2024年12月31日,申请公布号为CN119224534A。

本发明公开了一种芯片的同步开关噪声测试方法、装置及存储介质,其中方法包括:确定待测芯片的被测I O和干扰源I O;在最大驱动电流下,对被测I O进行同步开关噪声测试,获取被测I O在干扰源I O进行开关切换时的测试结果;基于测试结果和选定的驱动电流,确定选定的驱动电流对应的同步开关噪声,同步开关噪声包括低电平同步开关噪声和高电平同步开关噪声。本发明根据最大驱动电流与选定的驱动电流之间的关系,计算得到选定驱动电流对应的同步噪声测试结果,从而能够在仅测试得到最大驱动电流的情况下,快速、准确确定其他驱动电流下的芯片同步噪声测试结果,无需逐一在每一驱动电流条件下进行测试,进而能够有效提高芯片同步噪声的测试效率。


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