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研之成理  · 公众号  · 科研  · 2025-01-08 10:00

正文

▲第一作者:Bitao Dong, Mingyang Wei, Yuheng Li, Yingguo Yang
通讯作者:Wei Ma,Shuai You,Xiong Li,Michael Grätzel,Yuhang Liu
通讯单位:西安交通大学,华中科技大学,海南大学,瑞士洛桑联邦理工学院
DOI:10.1038/s41560-024-01689-2(点击文末「阅读原文」,直达链接)


  


研究背景
钙钛矿太阳能电池(PSCs)需要提高对高温和温度变化的耐受性。选择性自组装单层膜(SAMs)已经在倒置PSCs的性能提升上取得了进展,但由于脱附和弱界面接触,它们可能会影响温度稳定性。


  


研究问题
本文开发了一种通过共价键连接磷酰酸SAM和一个三苯胺上层的自组装双层结构。这个通过Friedel–Crafts烷基化形成的聚合网络,在100℃下200小时抵抗热降解。同时,面向上的上层与钙钛矿表现出粘附接触,与SAM-钙钛矿界面相比,粘附能提高了1.7倍,倒置PSCs的功率转换效率超过了26%。冠军设备在85℃和85%相对湿度下的湿热暴露2,000小时后,以及在40℃和85℃之间超过1,200个热循环后,分别展现出少于4%和3%的效率损失,符合国际电工委员会61215:2021标准中概述的温度稳定性标准。

图1| SAB的构建和结构

要点:
1.一本文通过溶液处理的方法将TATPA沉积在2PACz修饰的氧化铟锡(ITO)衬底上。TATPA用于光交联反应中,其中光酸催化C–O键的异裂解,生成一个作为亲核体的反应性碳正离子,专门取代咔唑的亲核C3或C6位点(图1a)。这个过程最终导致三苯胺(TPA)与咔唑发生Friedel–Crafts烷基化反应,形成聚合物网络。本文推测这些交联反应可能会自发进行,磷酸作为质子供体在2PACz自组装单分子层(SAMs)上进行。

2.本文利用X射线光电子能谱(XPS)和衰减全反射傅里叶变换红外光谱(ATR-FTIR)研究了TATPA在裸露的ITO表面和ITO–2PACz表面上的化学转变。C 1s XPS光谱显示,在涂有TATPA的ITO表面,289.2eV处有一个明显的峰,这归因于TATPA的羰基碳,以及C–N和C–C/C–H键的特征峰,这表明有限的化学反应性(图1b)。相反,在经过100℃热退火处理后的2PACz–TATPA双层中,没有出现羰基峰,这表明在基板上、固态反应过程中酯基团的分解。ATR-FTIR证实了这些发现,显示在与ITO–2PACz表面相互作用后,TATPA的酯羰基拉伸带(在1,740 cm1处)减弱。本文认为,TATPA的解离是由2PACz层内残留的P–OH基团引发的,这由相应的ATR-FTIR光谱中的P–OH振动(在947 cm1和1,024 cm1处)所证明。通过使用氘代甲醇对分解后的TATPA进行甲氧基化,进一步表明形成了碳正离子中间体,可能促进了Friedel–Crafts烷基化。

图2|SAB的温度稳定性

要点:
1.本文使用开尔文探针力显微镜(KPFM)来评估ITO表面分子接触的热稳定性。经过自组装单层膜(SAMs)和自组装双层膜(SABs)修饰的表面表现出相近的接触电位差(CPD),两者的平均CPD均为375mV(见图2a,b)。本文认为,这是由于TPA层对功函数变化的影响较小,可能是因为其面内取向,从而在垂直方向上的净偶极矩可以忽略不计。在100℃下进行200小时的热退火处理后,观察到2PACz SAMs出现了热降解现象,表现为CPD变化从23mV增加到60mV。相比之下,经SAB修饰的表面在相应的CPD图中保持了均匀的电位分布(CPD变化值为30mV),这表明分子接触的结构变化较少(见图2c–f)。

2.然后,通过循环伏安法(CV)测量评估了分子接触的热循环稳定性。在进行1000次从40℃到85℃的温度循环前后,SAMs的面积密度从3.15×1013减少到1.47×1013个分子每平方厘米,这表明覆盖度损失了53%(见图2g,h)。此外,能量色散X射线光谱显示,在经过热循环后,埋藏界面的钙钛矿一侧的磷含量从0.4重量百分比增加到1.6重量百分比。相反,SABs内部的聚合网络赋予了更好的抗脱附能力,以应对温度变化,导致仅有32%的覆盖度损失,且磷酸附着到钙钛矿上的情况减少。还值得注意的是,与SAMs相比,SABs表现出更高的初始面积密度,为2.45×1013个分子每平方厘米,我们将这归因于包含电化学活性的TPA基团。

图3| 钙钛矿-分子接触界面特性

要点:
1.本文通过反溶剂辅助的一步溶液法,在SAM或SAB修饰的ITO衬底上制备了FA0.84MA0.11Cs0.05Pb(I0.987Br0.013)3钙钛矿薄膜。顶视图扫描电子显微镜(SEM)图像显示,两种薄膜的平均晶粒尺寸相似(SAM为675nm,SAB为720nm),且表面无针孔。掠入射广角X射线散射(GIWAXS)分析显示了几乎相同的散射模式,其中黑相钙钛矿的(100)平面优先沿45°和135°方位角取向,并在qz=0.9Å1处有一个明显的PbI2杂质峰(图3a,b)。

2.尽管在表面形貌和体结构上有这些相似之处,但在时间分辨光致发光(TRPL)测量中,SAB修饰衬底上的钙钛矿表现出更长的光致发光(PL)衰减寿命,平均从484ns增加到1,018ns(每个样品四个独立点,激发通量为718nJcm2)(图3c),相比之下,SAM修饰的衬底则没有这么长。这表明非辐射复合被抑制,这一发现进一步由PL量子效率结果所证实(图3d)。此外,使用传输线模型,SAB-钙钛矿界面显示出较低的接触电阻,为1.18×106Ωcm,而基于SAM的对应物为2.43×106Ωcm(图3e)。本文得出结论,钙钛矿与SAB之间的界面缺陷较少,并且相对于钙钛矿-SAM界面,表现出改善的电学性能。

图4| 光伏性能和稳定性

要点:
1.本文采用倒置器件结构制造了PSCs:ITO–SAM或SAB–钙钛矿–富勒烯(C60)/BCP/Ag(见图4a)。图4b展示了性能最佳的SAM和SAB器件在正向和反向扫描方向上的电流–电压(I–V)特性。冠军SAB器件在前向I–V扫描中表现出26.3%的光电转换效率(PCE),开路电压(VOC)为1.174伏,短路电流(JSC)为26.2毫安每平方厘米,填充因子(FF)为85.5%,且未表现出性能滞后现象。这比冠军SAM器件的PCE值24.4%(反向扫描)和24.0%(前向扫描)有所提升(见图4b)。本文注意到,I–V扫掠得到的JSC值与通过入射光子到电流效率(IPCE)测量得出的积分JSC相匹配:SAM器件为25.5毫安每平方厘米,SAB器件为26.1毫安每平方厘米(见图4c);此外,PCE值与稳态功率输出(SPO)测量结果一致(见图4d)。在一批20个SAB器件中记录到的平均PCE为26.1%,超过了20个SAM器件中获得的平均PCE 24.1%,所有光伏参数均有所提高。

2.本文将一个SAB器件送至中国国家认可服务中心,这是一个获得认证的第三方独立认证机构,该机构测得的PCE为26.08%,VOC为1.185伏,JSC为26.27毫安每平方厘米,FF为83.84%,使其成为迄今为止效率最高的PSCs之一(见图4e)。SAB策略对于更大规模的器件同样有效;本文实现了活性面积为1平方厘米的PSCs的PCE为24.7%,而基于SAM方法的仅为23.1%(见图4f)。当应用于超过2PACz的磷酸SAMs时,它也提高了PSC的性能。此外,本文在ITO–SAB基底上制造了宽带隙为1.68电子伏的三卤化物PSCs,实现了高达22.5%的冠军PCE。


  


总结与展望
本文展示了共价键合的双层结构(SAB)作为钙钛矿太阳能电池(PSCs)的新型空穴选择性分子接触层。双层结构通过在基底上的Friedel–Crafts烷基化反应形成,将三苯胺(TPA)单元通过亚甲基桥与磷酰酸SAM连接起来。这种表面化学方法具有通用性,适用于多种形成SAM的分子和烷基化试剂。形成的交联网络防止了SAB的热脱附,在100℃下200小时抵抗降解。此外,TPA单元与钙钛矿表面表现出粘附接触,最大限度地减少了埋入界面的热机械退化。本研究实现了倒置PSCs超过26%的认证功率转换效率(PCE),在湿热暴露(85℃和85%相对湿度)2,000小时后效率损失不到4%,以及封装的稳定性设备在-40℃和85℃之间进行1,200个热循环后效率损失3%。利用共价层间连接的多层分子接触增强了PSCs对温度相关应力的抵抗力。

原文链接:
https://www.nature.com/articles/s41560-024-01689-2



  


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