图1展示了IrNi/N–C催化剂的制备过程及其位错形成与强化机制。首先,通过Schiff碱的脱水缩合反应合成氮掺杂的有机聚合物碳载体,随后在该载体表面螯合等摩尔比的Ir和Ni以及过量的Zn。在非平衡超快热冲击条件下,通过焦耳加热在3–5秒内将温度迅速提升至1500°C,诱导Zn的升华。这一过程不仅因Zn的爆炸性喷射在碳基质中形成空腔,还促进了晶格空位的产生。这些空位随后被Ir和Ni原子占据,通过晶格攀爬机制引发位错,尤其是Frank部分位错的形成。为了增强IrNi纳米颗粒中位错的稳定性并提高催化剂的导电性,将IrNi纳米颗粒在900°C的H₂/Ar气氛中进一步强化。这一高温处理过程不仅牢固地将IrNi合金纳米颗粒锚定在碳载体表面,还通过固溶强化机制进一步稳定了形成的Frank部分位错。ICP-OES分析结果表明,Ir与Ni的摩尔比接近1:1,表明成功合成了IrNi合金。此外,还合成了不含Ir和Ni源的Ni/N–C、Ir/N–C和N–C催化剂用于对比分析。
图2对IrNi/N–C催化剂的结构进行了表征。透射电子显微镜(TEM)显示IrNi纳米颗粒均匀分散在氮掺杂的碳载体上,平均粒径为5–7纳米。高分辨TEM(HRTEM)揭示了IrNi合金中丰富的位错缺陷,尤其是Frank部分位错。这些位错导致晶格压缩,如(111)晶面的晶格间距压缩至0.208纳米,比标准IrNi合金小3.25%。几何相分析(GPA)进一步证实了位错引起的压缩应变效应,优化了催化剂的电子结构和催化活性。
图3通过X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)分析了IrNi/N–C催化剂的电子结构。XRD显示IrNi/N–C的晶格参数因Ni的插入而收缩,与TEM结果一致。XPS表明Ir和Ni之间存在电子转移,Ir的价态降低,Ni的价态升高。这种电子重新分布优化了催化剂的表面电子性质,增强了对反应中间体的吸附能力,从而提高了催化效率。
图4展示了IrNi/N–C催化剂在酸性和碱性条件下的电催化性能。在0.5 M H₂SO₄中,IrNi/N–C仅需15 mV的过电位即可达到10 mA cm⁻²的电流密度,显著优于Ir/N–C和商业Pt/C。其Tafel斜率低至17.32 mV dec⁻¹,表明快速的反应动力学。此外,IrNi/N–C在OER中也表现出低过电位(295 mV)和小Tafel斜率(60.23 mV dec⁻¹)。在整体水分解中,IrNi/N–C仅需1.46 V(酸性)和1.53 V(碱性)即可达到10 mA cm⁻²,远低于商业Pt/C||RuO₂。稳定性测试表明,IrNi/N–C在24小时内保持优异的性能,展现出卓越的稳定性和高效性。
图5通过密度泛函理论(DFT)计算探讨了应变效应对IrNi/N–C催化性能的影响。计算结果表明,压缩应变显著降低了水解离和氢吸附的能量障碍,优化了Ir和Ni活性位点的吸附能力。例如,-10%应变的IrNi合金在水解离过程中表现出最低的能量障碍(0.96 eV)。此外,应变还导致d带中心下移,减弱了H*的吸附强度,从而提高了HER活性。这些理论分析为IrNi/N–C的高性能提供了有力支持。