主要观点总结
长飞先进武汉基地项目首批设备正式搬入,该基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产,总投资超过200亿元。基地的建设创造了百亿级投资项目建设的新速度,本次搬入的设备涵盖芯片制造各个环节,为武汉基地构建全链条生产能力和加速通线量产奠定坚实基础。
关键观点总结
关键观点1: 长飞先进武汉基地项目首批设备搬入
设备包括薄膜淀积、离子注入、光刻、刻蚀等,为全链条生产和通线量产打下基础
关键观点2: 长飞先进武汉基地总投资超过200亿元
项目一期总投资80亿元,规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆
关键观点3: 厂房建设创造了百亿级投资项目建设新速度
从打下第一根桩到实现结构封顶,耗时不到10个月
正文
长飞先进武汉基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产,总投资预计超过200亿元,其中项目一期总投资80亿元,规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆。对于半导体行业而言,厂房建设一般主要分为四个阶段:设备选型、设备搬入、工艺验证及产品通线。2023年8月25日,长飞先进半导体第三代半导体功率器件研发生产基地落户武汉新城;7天后,项目正式启动建设。今年6月,主体结构全面封顶。从打下第一根桩到实现结构封顶,厂房建设耗时不到10个月,创造了百亿级投资项目建设新速度。本次搬入的设备涵盖芯片制造各个环节,包括薄膜淀积、离子注入、光刻、刻蚀等,将为武汉基地构建全链条生产能力、加速通线量产奠定坚实根基。