【产业年终盘点】中国存储产业迎来丰年，全球加速创新

2020 年，中国存储产业迎来丰年。 随着 长鑫存储正式 出售 DDR4 内存芯片、 LPDDR4X 内存芯片，威刚、江波龙、七彩虹、金泰克等内存厂商纷纷推出基于长鑫存储内存芯片的国产内存条。 随着长江存储 3D NAND 产品稳定量产，联芸、 得一微、群联、慧容等主控芯片厂商纷纷 推出 支持长江存储 3D NAND 的主控 ，朗科、光威、台电、国科微等固态硬盘厂商也陆续推出基于长江存储 3D NAND 的纯国产 SSD 产品。

2020 年 2 月份，固态存储协会（ JEDEC ）发布第三版 HBM2 存储标准 JESD235C ，也就是 HBM2e ，将针脚带宽提高到 3.2Gbps ，前两版中依次是 2Gbps 、 2.4Gbps ，环比提升 33% 。目前 JEDEC 在讨论制定 HBM3 产品的标准。

NAND 方面， 2020 年 各主力厂商 等主要是扩大 9x 层 3D NAND 在市场上的普及 提高 1XX 层 3D NAND 的 生产比重，并积极推动在 SSD 产品中的应用。

DRAM 方面， 2020 年 各主力厂商 等主要是从 第二代 1Ynm 全面向 第三代 1Znm 推进 ； 到第四代 将 大规模导入 EUV 工艺 ， 量产 1 α nm 级之后。

下面回顾一下 2020 年 全球 存储产业领域发生的大事。

国内篇

长江存储 YMTC

2020 年 4 月 13 日 ， 长江存储宣布 128 层 QLC 3D NAND 闪存研发成功，并已经在多家控制器厂商 SSD 等终端存储产品上通过验证，该公司此次共发布两款产能品，一款是 128 层 QLC 规格的 3DNAND 闪存 X2-6070 ，一款是 128 层 512GbTLC （ 3bit/cell ）规格闪存芯片 X2-9060 。值得一提的是， 128 层 QLC 规格的 3DNAND 闪存是业界首款，当前各大厂商推出的 QLC 规格基本是在 96 层。

2020 年 6 月 20 日， 长江存储国家存储器基地项目二期正式开工建设 。 国家存储器基地项目总投资达 240 亿美元，分两期建设 3D NAND 芯片工厂 。 项目一期于 2016 年底开工建设，进展顺利， 32 层、 64 层存储芯片产品已实现稳定量产，并成功研制出全球首款 128 层 QLC 三维闪存芯片 ， 并 规划 建成 10 万片 / 月产能，二期规划产能 20 万片 / 月，两期项目达产后月产能共计 30 万片。

2020 年 9 月 10 日，长江存储推出致钛系列两款消费级 S SD 新品，分别为 PCIe 接口 PC005 Active 和 SATA 接口 SC001 Active ，兼具强劲的性能和可靠的品质。

武汉新芯 XMC

2020 年 5 月 13 日，武汉新芯宣布其采用 50nm FloatingGate 工艺 SPI NOR Flash 宽电压产品系列 XM25QWxxC 全线量产，产品容量覆盖 16Mb 到 256Mb 。 XM25QWxxC 系列产品在性能和成本方面进一步提高了竞争力。

长鑫存储 CXMT

2020 年 2 月，长鑫存储正式 出售 DDR4 内存芯片、 LPDDR4X 内存芯片，全部产品都符合国际通行标准规范，并已开始接受上述产品的技术和销售咨询。随着长鑫存储内存芯片 正式 开卖，威刚、江波龙、七彩虹、金泰克等内存厂商纷纷推出基于长鑫存储内存芯片的国产内存条。

2020 年 4 月， 长鑫存储与美国半导体公司 Rambus Inc. 签署专利许可协议。依据此协议，长鑫存储从蓝铂世获得大量 DRAM 技术专利的实施许可 ， 持续强化 公司 知识产权组合 。

2020 年 7 月，长鑫存储开始批量招聘运营人员。

2020 年 11 月 ， 长鑫存储母公司睿力集成获得 149 亿元增资 。 根据出资方兆易创新公告显现，该公司拟出资 3 亿元与长鑫集成、石溪集电、大基金二期、三重一创等多名投资人签署协议，共同参与睿力集成增资事项，增资完成后，公司持有睿力集成约 0.85% 股权。增资前，睿力集成的注册资本为 189 亿元，其中石溪集电持股 69.01% ，长鑫集成持股 30.99% ；增资后，睿力集成的注册资本将增至 337.99 亿元，石溪集电和长鑫集成的持股比例分别将降至 38.59% 和 19.72% ，大基金二期和兆易创新将各自持股 14.08% 。

海外篇

SK 海力士 （ SK Hynix ）

SK 海力士在 2019 年底宣布在 2020 年进行一系列的人事调动和业务重组，其中将 DRAM 和 NAND Flash 两大开发部门整合在一起，实现从开发、制造，以及业务的后期处理等统一的管理。重组后， SK 海力士首席半导体技术专家 Jin Kyo-won 提升为开发制造总裁，负责 DRAM 和 NAND Flash 从开发到批量生产，提高运营效率。

SK 海力士 已经 在韩国利川 M16 工厂 安装 EUV 机台 ， 推动第四代 1 α nm DRAM 量产，将在 2021 年上半投片，下半产品出货。

2020 年 10 月 20 日， 和 英特尔达成了收购协议，根据协议， SK 海力士将向英特尔支付 90 亿美元，收购的范围包括英特尔在美国的固态驱动器业务、 芯 片部门和英特尔在中国大连的工厂，双方需要等到明年年底之前完成批准程序。 但是不包括英特尔 Optane 业务 。

2020 年 12 月 SK 海力士宣布推出 176 层 4D NAND ，与上一代相比， Bit 生产率将提高 35% 以上，读取速度加快了 20% ，数据传输速度也提高了 33% ，达到 1.6Gbps ，稍晚些还将推出基于 176 层的 1Tb 容量 4D NAND ，预计 2021 年中将有基于 176 层 4D NAND 新技术的 UFS 和 SSD 产品面世。

美光 （ Micron ）

2020 年美光宣布进入 HBM 市场， 4 月推出首个 HBM2E 样品， 8 月发布 HBM2E 规格，一是四堆叠、单片容量 2Gb ，二是八堆叠、单片容量 2Gb ，对应单颗容量 8GB 、 16GB ，数据率 3.2Gbps 或更高，搭配 1024-bit 位宽的话就是 410GB/s 的总带宽。如果四颗组合，可以获得总容量 64GB 、总带宽 1.64TB/s 。

2020 年 11 月宣布开始批量生产全球首个 176 层 3D NAND Flash ，其读取延迟和写入延迟将改善 35% 以上，最大数据传输速率 1600 MT/s ，提高了 33% ，混合工作负载性能提高 15% ，紧凑设计使裸片尺寸减小约 30% ，每片 Wafer 将产生更多的 GB 当量的 NAND Flash 。

美光提高 1Znm LPDDR5 产量，以及推动 GDDR6X 不断创新，同时处于研发阶段的 1 α nm DRAM 计划将在 2021 上半年量产，在成熟良率下， 1 α nm 工艺节点比 1Znm 节点每片 Wafer 晶圆增加 40% 的 Bit 量， 1 β nm 工艺正处于初期研发阶段。

美光正在 台湾中科厂扩 建 A3 工厂洁净室，预估将在 2021 年投入量产 1Znm 或 1 α nm DRAM ，同时美光也计划将在 2021 年提出建设 A5 厂项目的申请，持续加码投资 DRAM ，将用于 1Znm 制程之后的微缩技术发展，进一步扩大先进技术的量产规模。

2020 年 12 月 3 日美光桃园工厂发生无预警停电事件。桃园工厂主要使用 10nm 级工艺技术制造 DDR4 和 LPDDR4 内存，每月的产能约为 12.5 万片晶圆，约占全球 DRAM 供应的 8.8% 。

三星 （ Samsung ）

2020 年 2 月，三星正式宣布推出其 16GB HBM2E 产品 Flashbolt ， 8 月开始量产。

2021 年 计划 量产第七代 V-NAND ，使用“双堆栈”技术，具体堆叠层数并未透露，而三星在 128 层工艺节点，采用的是“单堆栈”技术生产 3D NAND 。三星也强调，采用“双堆栈”技术，不仅更具技术竞争力， 3D NAND 也有望堆叠层数达到 256 层，但并不一定意味着三星第七代 NAND 将具有这种配置。

2020 年，三星量产的 16Gb LPDDR5 首次导入 EUV 工艺，基于 1Znm 制程技术，更先进的技术相较于 12Gb 容量提升了 33% ，封装的厚度也薄了 30% 。同时，三星也规划将在 2021 年大量生产基于第四代 10nm 级（ 1 α） EUV 工艺的 16Gb DDR5/LPDDR5 。

2020 年 3 月 ， 三星西安二期 1 阶段正式投产，到 2020 年 7 月二期第一阶段产能接近满载。目前三星西安基地 3D NAND 月产能已经达到 18 万片规模，较 2019 年增幅 50% 。

2020 年 4 月 ， 三星西安二期第二阶段正式开工建设，预计 2021 年下半年竣工 投产 。

2020 年第四季 平泽 P2 工厂批量投产第二代（ 1ynm ）和第三代（