同时实现业界超快反向恢复时间和业界超低导通电阻,可进一步降低工业设备和白色家电的损耗
ROHM的600V耐压Super Junction MOSFET PrestoMOS
™
产品阵容中又新增了
“R60xxVNx系列”
(含7款机型)。
此外,高速开关型600V耐压Super Junction MOSFET产品阵容中也新增了导通电阻更低的
“R60xxYNx系列”
(含2款机型)。
PrestoMOS
™
R60xxVNx系列的亮点
✔ 实现业界超快反向恢复时间(trr),同时,与同等的普通产品相比,与trr存在此消彼长关系的导通电阻可降低多达20%
✔ 继承了以往产品已经实现
*2
的105ns
*3
业界超快反向恢复时间,与同等普通产品相比,开关时的功率损耗减少了约17%
✔ 基于这两大特点,与同等的通用产品相比,可大大提高应用产品的效率
✔ 非常适用于EV充电桩、服务器和基站等,需要大功率的工业设备的电源电路
✔ 产品更节能,也非常适用于变频空调等白色家电的电机驱动
✔ 也可通过电商平台购买,1枚起售
*1:截至2022年3月18日 ROHM调查数据
*2:此前发布的PrestoMOS
™
已实现
*3:与TO-220FM同等封装产品的比较
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PrestoMOS
™
R60xxVNx系列的特点
在工业设备和白色家电领域,要求进一步提升产品效率,这也就对功率半导体提出了进一步降低功率损耗的强烈需求。PrestoMOS
™
R60xxVNx系列
是对以往的PrestoMOS
™
改进后的Super Junction MOSFET,不仅保持了PrestoMOS
™
的特点——超快反向恢复时间,还进一步降低了导通电阻。
保持业界超快反向恢复时间,同时实现业界超低导通电阻
PrestoMOS
™
R60xxVNx系列
通过采用ROHM新工艺降低了单位面积的导通电阻。导通电阻和反向恢复时间之间存在此消彼长的权衡关系,该系列产品在保持以往PrestoMOS
™
已实现的业界超快反向恢复时间的同时,还成功地将导通电阻降低多达20%(与TO-220FM同等封装的同等普通产品比较)。导通电阻和反向恢复时间性能的比较结果如下图所示。
实现业界超快的反向恢复时间,开关损耗更低
通常,当工艺向更微细的方向发展时,“导通电阻”等基本性能会得到改善,但“反向恢复时间”特性会变差。PrestoMOS
™
R60xxVNx系列
不仅实现了比同等普通产品更低的导通电阻,还利用ROHM自有的高速技术保持住了以往PrestoMOS
™
已实现的105ns业界超快反向恢复时间(与TO-220FM同等封装产品比较)。超快反向恢复时间可减少功率损耗,与同等普通产品相比,开关时的功率损耗可降低约17%。
下图是效率比较示例,在评估板上搭载追求高效率的同步整流升压电路,比较
R60xxVNx系列
与普通产品(导通电阻60mΩ级产品)的效率。从比较结果可以看出,使用
R60xxVNx系列
可以获得比普通产品更高的效率,这将非常有助于进一步降低应用产品的功耗。
PrestoMOS
™
R60xxVNx系列
和高速开关型R60xxYNx系列产品阵容
下表中列出了此次发布的PrestoMOS
™
R60xxVNx系列
的7款机型和开发中的产品。另外,后面还列出了新增两款机型的高速开关型
R60xxYNx系列
的亮点和产品阵容。为了便于客户根据应用需求选用合适的产品,ROHM正在致力于打造更加丰富的产品阵容。
PrestoMOS
™
R60xxVNx系列产品阵容
测试条件:导通电阻60mΩ级产品、环境温度25℃、输入电压220V、输出电压400V、L=500μH、频率70kHz、关断时的VDS过冲条
输出功率(W)
☆: 开发中
※封装名称采用JEDEC标准。( )内表示ROHM封装名,〈 〉内表示GENERAL代码。
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高速开关型R60xxYNx系列的亮点和产品阵容
✔ 漏极电流密度更高,导通电阻显著降低
✔ 与以往产品相比,单位面积的导通电阻降低了40%,Ron×Qgd降低了30%
✔ 这些性能的提升将非常有助于提高电源效率
☆: 开发中
※封装名称采用JEDEC标准。()内表示ROHM封装名,<>内表示GENERAL代码。
PrestoMOS
™
R60xxVNx系列应用示例
R60xxVNx系列
适用于以下应用领域:
✔ 电动汽车充电桩、服务器、基站、光伏逆变器(功率调节器)、不间断电源(UPS)等
✔ 空调等白色家电
✔ 其他各种设备的电机驱动和电源电路等