【欢迎参会】第三届青芯沙龙即将召开

2019年1月17日， 星 期四

地点：深圳基本半导 体有限公 司

09:00-12:00

CASA标准化委员会管理委员会第三次会议

13:30-17:00

氮化镓HEMT测试标准讨论会

2019年1月17日，星期四

地点：深圳第三代半导体研究院

18:00-20:00

报到注册

2019年1月18日，星期五

地点：南方科技大学

09:00-09:05

主持人介绍会议背景及与会人员

09:05-09:15

领导致辞

09:15-09:35

深圳第三代半导体研究院研究规划

张国旗  深圳第三代半导体研究院副院长

09:35-10:05

碳化硅技术进展及路线分析

盛 况   浙江大学教授，青委会共同主任

10:05-10:30

MicroLED 显示应用的核心技术挑战与产业化机会

闫春辉  深圳第三代半导体研究院首席科学家

10:30-10:45

休息

10:45-11:10

氮化镓与氧化镓电力电子器件研究进展

张进成  西安电子科技大学教授，博士生导师，宽带隙半导体技术国防重点学科实验室副主任

11:10-11:35

基于金刚石的微波功率器件近结散热技术

孔月婵  中国电子科技集团第五十五研究所研究员，博士生导师，微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室副主任

11:35-12:00

第三代半导体专利现状及战略布局

汪勇  北京华创智道知识产权咨询服务有限公司CEO，北京第三代半导体产业技术创新战略联盟专利委员会副主任

12:00-12:05

合影

午餐

分会一：氮化镓主题讨论

主持人：

王新强  北京大学教授，青委会共同主任

张进成  西安电子科技大学教授，博士生导师，宽带隙半导体技术国防重点学科实验室副主任

13:00-13:20

GaN基LED的载流子动力学及效率表征

汪 莱  清华大学电子工程系教研系副教授，特别研究员

13:20-13:40

氮化镓基半导体发光与紫外探测器件研究

刘 斌   南京大学教授，博士生导师

13:40-14:00

硅基GaN功率电子器件研究

孙 钱   中国科学院苏州纳米所研究员、器件部副主任

14:00-14:20

高可靠氮化镓基绝缘栅功率器件

黄 森   中国科学院微电子研究所研究员

14:20-14:40

GaN电力电子材料中的杂质和缺陷研究

杨学林  北京大学宽禁带半导体研究中心高级工程师

14:40-15:00

氮化镓同质集成器件探索

刘召军  南方科技大学Tenu re-track助理教授、副教授、博士生导师

15:00-15:20

茶歇

15:20-16:30

互动讨论

分会二：碳化硅主题讨论

主持人：

张  峰  中科院半导体所研究员

李诚瞻  株洲中车时代电气股份有限公司高级工程师

13:00-13:20

新型碳化硅电力电子器件探索研究

郭 清  浙江大学副教授

13:20-13:40

碳化硅单晶衬底研制进展

王英民  中国电科二所高级专家、宽禁带半导体材料山西省重点实验室主任

13:40-14:00

碳化硅外延生长技术进展及产业化趋势

冯 淦  瀚天天成电子科技(厦门)有限公司总经理

14:00-14:20

基于BASiC先进工艺和外延技术的新型SiC器件

张振中  深圳基本半导体有限公司副总经理

14:20-14:40

SiC及其在电网的应用

戴朝波 全球能源互联网研究院先进输电技术国家重点实验室副主任

14:40-15:00

SiC及其在新能源汽车的应用

吴海平  比亚迪第六事业部IGBT产品中心高级研发经理

15:00-15:20

SiC器件在光 伏发电中的 应用

谢  峰  禾望电气 股份有限 公司高级工程师

15:20-15:35

休息

15:35-16:30

互动讨论

青委会发展建设会暨青委会成员大会

16:40-16:50

碳化硅主题讨论会总结汇报

16:50-17:00

氮化镓主 题讨论会 总结汇报

17:00-17:30

成员工作建议

18:00-19:30

晚餐

2019年1月19日，星期六

青帆考察

9:00

集合，出发

9:00—12:00

参观考察

午餐后结束本次活动，愉快返程

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