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韩国周一表示，已向SK hynixInc.的120万亿韩元（合1,060亿美元）项目的新建项目授予最终批准，该项目将建设一个新的半导体工厂，此举可缓解全球市场的供应短缺。 据韩国贸易，工业和能源部称，韩国第二大芯片制造商已经SK海力士完成了所有必要的行政程序，以便在首尔以南约50公里的龙仁市建设该综合设施。 该声明是在该公司承诺要建立一个415万平方米的工业集群两年后获批的，据报道该集群将容纳四个新的半导体制造工厂。据报道，SK海力士的约50个分包商和供应商也将搬迁到该区域。完成后，该集群的月生产能力将达到80万片。 预计该项目将于今年第四季度破土动工，预计第一座制造厂将于2025年竣工。 龙仁将作为DRAM和SK海力士的下一代存储芯片的基地，而利川市则为80公里首尔以南，将作为研发和DRAM枢纽。据SK hynix称，位于首都以南137公里处的清州将成为NAND闪存芯片中心。 韩国表示，最新的投资有望缓解全球市场的供应短缺。该部补充说：“由于芯片产业是该国出口的关键支柱，政府将不遗余力地解决整个项目中的任何潜在问题，以便于今年开始按计划开始建设。” 2020年，韩国芯片出口额达到991亿美元，同比增长5.6％。该部门占总出货量的20％。 SK 海力士预测存储未来： 3D NAND 600 层以上， DRAM 10nm 以下
SK海力士CEO李锡熙今日在IEEE国际可靠性物理研讨会（IRPS）上作了主题演讲，讲述了SK海力士产品的未来计划，分享了一些概念性技术，比如用EUV光刻生产的DRAM和600层堆叠的3D NAND。 目前为止SK海力士最新的3D NAND是512Gb 176层堆叠的3D NAND，看起来600层还很遥远，目前他们还只是在研究这种可能性，在达到600层堆叠前还需要解决各种问题。SK海力士致力于确蚀刻技术实现高纵横比，以实现业界所需的高密度技术，此外他们还推出了原子层沉积技术，以进一步改善单元的电荷存储性能，并在需要时把电荷放出，同时开发新的导电材料让电荷在一定程度上保持均匀。除此之外为了解决薄膜应力问题，控制了薄膜的机械应力水平，并优化了单元氧化氮材料。为了应对在有限的高度上堆叠更多电池时发生的电池间干扰现象和电荷损失，SK Hynix开发了隔离电荷陷阱氮化物结构来增强可靠性。为了对应在有限高度内堆叠多层时发生的单元间电荷干扰与电荷损失，SK海力士开发了隔离电荷陷阱氧化物结构，以提高可靠性。 在DRAM方面，SK海力士引入了EUV光刻设备来解决以往DUV光刻的局限性，制程工艺能轻松达到10nm以下，以此来提升生产效率。当然还有问题要解决的，比如为了保持单元电容，他们正试图改善电介质厚度，开发具有高介电常数的新材料，并采用新的单元结构。这些单元互连需要尽可能低的电阻，他们正在寻找新一代电极与绝缘材料，并推出新工艺。
李锡熙还提出了整合CPU以及内存的想法。目前内存标准正在准从DDR4过渡到DDR5上，后者相比前者可以带来不少的性能增幅。不过，无论DDR内存有多快，与HBM相比在速度上还是要落后不少。这点也是李锡熙认为CPU以及内存应该要合并整合的基础。 他在研讨会上发表了对于一套“融合存储以及逻辑”、更快的存储标准的愿景。 “高带宽内存的速度提升是通过增加CPU及内存之间的通道而来的，而在CPU以及内存共同处于同一模块的近内存处理（Processing Near Memory，简称PNM）中，速度提升会更多。如果更进一步的话，在内存内处理（Processing In Memory，简称PIM）中，当CPU以及内存都处于单一包裹（package）上的时候，速度可以获得更大加的提升。而最终，CPU以及内存整合在同一芯片中的内存内计算（Computing in Memory，简称CIM）可以让内存速度提升更加多。”
