1.传小米松果高端款V970采用三星10nm制程；
2.东芝64层64GB 3D Flash送样，长江存储32层出样片；
3.联电14nm芯片量产,厦门联芯推进到28nm；
4.松山湖：芯片核心发明专利 每个奖5万；
5.顺络电子:创新提升竞争力,电感龙头再次腾飞；
6.中国半导体产业涨幅高份额小 产业结构亟需调整
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1.传小米松果高端款V970采用三星10nm制程；
集微网消息，小米预告将在2月28日发表自家研发的松果移动处理器，而根据最新传出的消息显示，小米松果处理器可能将有2款，其中高端款产品将采用三星10nm制程。
日本网站Gadget通信23日转述Fudzilla的报导指出，小米自家研发的松果处理器将有2款，其中，中端款型号为V670、高端款型号为V970。
报导指出，V670为采用28nm制程的8核心处理器，由4个高频率Cortex-A53核心和4个低频率Cortex-A53核心组成，并采用ARM Mali-T860 MP2 GPU，该款处理器预估会在2月28日亮相。
V970也为8核心，由4个Cortex-A73核心和4个Cortex -A53核心组成，采用ARM Mali-G71MP12 GPU，而V970将采用三星10nm制程制造，不过可能要等到年底才会问市。
据报导，V970的CPU/GPU虽同于华为的麒麟960，不过因V970采用更细微化的制程(麒麟960采台积电 16nm制程)，因此性能和省电效能可能将优于麒麟960。
不过传闻中麒麟970正在台积电10nm制程调试中，相信上半年会量产上市，不清楚的是松果V970型号是否借鉴了麒麟970的命名。
与海思麒麟970类似，联发科首款10nm芯片Helio X30预计于今年上半年量产，市场预料联发科将在MWC正式发表曦力X30。相比高通、三星、海思和联发科，小米V970真正上市时间估计要晚了不少。
ZDNet、路透社报导，三星去年10月17日发布声明，宣布10nm制程已经进入量产，为业界首见，预计2017年年初的产品，就能搭载10nm制程芯片。采用三星10nm制程工艺的高通骁龙835已经宣布量产。业界传出三星Galaxy S8将作为骁龙835的首发产品。
同样采用10nm制程技术的三星自研处理器「Exynos 9 Series 8895」终于投产，市场猜测，这款强大的处理器未来有望应用于三星旗舰智能机「Galaxy S8」。 Exynos 8895还内嵌5CA科技，下载数据的速度最多可达1Gbps，上传速度则为150Mbps。这款处理器并采用了三星自行研发的64位CPU、安谋的Mali-G71 GPU，可处理UHD和VR影片。
三星表示，和14nm制程相比，10nm效能提升27%、功耗减少40%、每片晶圆的芯片数目也增加30%。
PhoneArena、Engadget报导，小米官方微博2月20日宣布，2月28日下午2点，将在北京国家会议中心发布小米自制的松果芯片。
据传小米5c应该是首款搭载松果芯片的机种，Geekbench测试显示，小米5c具备八核心处理器、3GB RAM、采用Android 7.1.1操作系统。
日本智能手机评价网站sumahoinfo 2月11日转述华尔街日报的报导指出，小米目前主要使用高通、联发科的处理器，而若小米真推出自家处理器，将成为继华为之后第2家拥有自家处理器的中国智能手机厂商，而拥有自家处理器可让小米更好的整合其软硬件，且可让小米手机更多样化、让其在饱和的中国智能手机市场脱颖而出，另外更有助于小米降低成本、因为无须透过第三方购买处理器这项手机的关键零件。
目前成功推出自家处理器的智能手机厂还有三星、苹果、华为、LG等。
根据IDC 2月6日公布的数据显示，2016年小米于中国市场的智能手机出货量年减36.0%至4150万支、市场份额大幅滑落至8.9%退居第5位。 2015年小米份额达15.1%高居首位。
GizmoChina、SlashGear去年10月报导，小米出现代号Meri的机种，猜测可能是小米5c。 微博用户指称，Meri似乎采用了一款未知的新芯片，或许是小米自行研发的处理器。 数据显示，该处理器搭载Mali-T860 GPU、可能采Cortex-A53或Cortex-A57核心，支持5.5吋 1080p的屏幕。
2.东芝64层64GB 3D Flash送样，长江存储32层出样片；
集微网消息，3D 架构的 NAND 型闪存竞争越来越激烈，继去年 7 月东芝便宣布领先全球同业开始提供堆栈 64 层的32GB 3D Flash 样品出货之后，三星于去年第四季度已开售旗下堆栈 64 层的 3D Flash 产品。最新消息显示，东芝宣布将容量提高 1 倍的 64 层 64G 3D Flash 已进行送样，即将在今年下半年量产。
东芝 22 日发布新闻稿宣布，采用堆栈 64 层制程技术的 64GB 3D Flash 已于 2 月上旬进行样品出货，且预计将在 2017 年下半年进行量产，主要用于抢攻数据中心/PC 用 SSD等市场。 另外，堆栈16片 64G 芯片、实现业界最大容量 1TB 的产品预计将在今年 4 月进行样品出货。
东芝表示，和 48 层 32GB 产品相比，64 层64GB产品每单位面积的存储容量扩大至约 1.65 倍，且每片晶圆所能生产的存储容量增加，每 bit 成本也下滑。
据东芝指出，东芝是全球第一家提供 64 层64GB 3D Flash 样品的厂商；东芝已于今年 1 月量产 64 层32GB 3D Flash 产品。东芝推出 64GB 产品，就是要用来对抗三星等竞争对手，而韩国 SK Hynix 则计划在今年下半年量产 72 层产品，研发竞争益发激烈。
转看国内市场，虽然近日长江存储也迎来好消息，其 32 层 3D NAND Flash 产品已经成功实现了工艺器件和电路设计的整套技术验证，顺利通过电学特性等各项指标测试，达到预期要求，据传已经有样品提供。但与 3D NAND 闪存市场的整体发展速度相比，长江存储在技术跟进方面仍需努力。
对于与国外的技术差距方面，长江存储 CEO 杨士宁并不担心。他认为目前这一领域的先进者都有设备折旧的压力在，长江存储只要全力解决技术问题，在折旧期内实现盈利即可。长江存储不会简单的跟随行业的脚步，会通过跳跃式的发展，希望于 2020 年实现与世界前沿技术并行的目标。
长江存储是由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设的国家存储器基地项目，总投资 240 亿美元。2016 年底已经于武汉东湖高新区正式动工，一期计划 2018 年建成投产，2020 年完成整个项目，总产能将达到 30 万片/月，年产值将超过 100 亿美元。
据了解，紫光集团已网罗前晨星创办人杨伟毅出任紫光旗下长江存储公司CTO，带领紫光朝自主研发 3D NAND Flash 等先进内存发展， 但未获本人证实。
3.联电14nm芯片量产,厦门联芯推进到28nm；
集微网消息，半导体市况好热闹，就在台积电透露5nm将在2019年试产之际，联电23日也宣布，自主研发的14nm鳍式场效晶体管(FinFET)制程技术，已成功进入客户芯片量产阶段，良率已达先进制程的业界竞争水平，此制程将帮助客户开拓崭新的应用于电子产品。
联电CEO颜博文表示，这次达成14nm量产的里程碑，象征联电成功携手客户，将先进技术导入市场，同时与其他客户的合作也在顺利进行中，将持续优化此制程，充分发挥14纳米FinFET在效能、功耗和闸密度所具备的优势，以驱动次世代硅芯片于网络、人工智能和各类消费产品等各领域的应用。
联电14纳米 FinFET制程效能竞争力已达业界领先标准，速度较28nm增快55％，闸密度则达两倍，此外，功耗亦较28奈米减少约50％。 此14nm客户芯片现正于联华电子台南的Fab 12A晶圆厂生产中，未来将因应客户需求，稳步扩充其14nm产能。
联电宣布自主研发的14奈米鳍式场效晶体管（FinFET）制程技术， 也宣告联电已决定将厦门联芯的晶圆制程推进到28nm量产，抢食在大陆制造最大一块的手机和网通芯片代工商机。
颜博文强调，14纳米FinFET制程效能竞争力已达业界标准，速度比28 nm增快55%，闸密度达两倍，而且芯片功耗也较28nm减少约50%。
因联电28nm制程良率相当稳定，也是目前市场中端手机芯片和高端网络芯片需求最迫切的制程，预料联电将会把重心集中冲刺联芯将制程推升至28nm，挟大陆制造，挤下强敌中芯，在28nm拉升市占，让联电抢食大陆快速崛起的芯片大饼，打通任督二脉。
联电目前与和舰共持有联芯50%股权，联芯去年11月开幕，导入联电的55奈米及40奈米制程技术生产。
4.松山湖：芯片核心发明专利 每个奖5万；
松山湖一通信企业员工正在调制芯片的精度和稳定性。胡国球摄
南方日报讯（记者/黄少宏）2月22日，记者从松山湖（生态园）管委会获悉，完善后的《东莞松山湖（生态园）促进集成电路产业发展管理办法》（以下简称“征求意见稿”）正面向社会公开征集意见。
按照征求意见稿，松山湖将强化对集成电路产业（也称“IC产业”）发展的精准扶持，新增对芯片研发核心发明专利奖励等相关政策，以推动IC产业加快发展。
松山湖成IC设计产业聚集地
根据2016年底发布的《东莞集成电路产业发展白皮书》，东莞是全国最重要的电子信息制造业产地之一，云集了华为、OPPO、vivo等产业巨头，随着智能手机、消费电子、智能装备领域的发展，催生了对集成电路巨大的市场需求。据业内评估，2016年东莞IC应用市场的规模达1000亿元以上。
数据显示，东莞市2015年IC产业总产值约15.40亿元，今年预计约15.48亿元，其中封装测试环节产值为12.38亿元，IC设计环节产值约为3.10亿元。东莞IC企业主要分布在松山湖、清溪、石排、长安、黄江、厚街、虎门等区域。其中松山湖已形成小规模的产业集聚，几乎集聚全部的IC设计企业，已入驻IC设计企业超过30家，包括合泰半导体、晶宏半导体、合微、赛微、盈动高科等一批优质企业，初步形成了产业集聚效应。
其中合泰半导体由台湾IC设计领导企业、上市公司盛群半导体投资6000万元设立，是盛群半导体的大陆区总部，2015年合泰半导体的营业收入达到1亿元左右。
泰斗微电子是国内北斗导航研发领域的领头企业，是东莞首家拿到国家资质认定的集成电路设计企业。搭载泰斗微电子北斗芯片的中兴手机已经实现量产。
按照征求意见稿，完善后的产业扶持政策适用于在松山湖高新区内注册并依法实际经营，经松山湖（生态园）管委会认定的集成电路设计企业。
记者对比此前的政策发现，新政对于认定成为松山湖IC设计企业有了更为细化的申请条件。
除了要求是从事集成电路功能研发、设计及相关服务的独立法人企业；国内外知名集成电路设计企业（境内外集成电路设计产业上市公司、国内或国际排名前20的集成电路设计企业等）在园区设立的分支机构，或其投资设立的集成电路设计关联的系统集成公司或方案公司外，征求意见稿还明确提出，申请企业必须研发人数不少于4人，或研发团队占企业当年员工人数的比例不低于30%；具有保证设计产品质量的方法和能力，并建立符合集成电路要求的质量管理体系；具有与集成电路设计相适应的生产经营场所、软硬件设施等开发环境。同时，主营产品须拥有自主知识产权。
项目首次研发可获多项补贴
征求意见稿规定，符合申请条件的企业，可以享受到园区在研发、租金、产业化等方面的扶持政策。
其中，研发扶持政策明确，对高新区内的集成电路设计企业按照项目实际情况给予一定的财政扶持。园区集成电路设计企业立项之初应在相应部门委托的第三方专业机构进行备案（具体以申报指南为准），通过评审的同一项目首次研发可进行补贴扶持。
具体包括：对使用远程电子设计自动化（EDA）软件的费用补贴50%，同一企业年度补贴额度不超过170万元；对购买IP费用补贴最高25%，同一企业年度补贴额度不超过80万元。
对购买多项目晶圆（MPW）项目给予该项目费用50%的补贴，同一企业年度补贴额度不超过100万元；对设计企业购买光罩的费用补贴30%，同一企业年度补贴额度不超过150万元；
对在进行集成电路测试与分析项目，按照企业实际支付的测试、分析费用的50%予以资助，同一企业年度补贴额度不超过50万元。
此外，相比旧版政策，新政还增加了对企业在自主芯片设计攻关上的专利扶持。按照征求意见稿，企业在自主设计芯片过程中获得关键性发明专利，每个发明专利奖励5万元，同一企业年度补贴额度不超过30万元。
IC设计企业租金扶持力度加大
进一步扩大对IC设计企业的租金扶持力度，是新政的另一大亮点。征求意见稿透露，对在松山湖高新区注册成立并经过认证的集成电路设计企业，管委会拟给予其24个月内，租金标准不超过45元每平方米，租赁面积1000平方米内的租金补贴。具体补贴方式为：企业租赁面积在200平方米（含）以下的，全额补贴；企业租赁面积在200平方米以上、1000平方米（含）以下的，200平方米的面积全额补贴，超出200平方米的面积补贴50%；企业租赁面积在1000平方米以上的，200平方米的面积全额补贴，800平方米的面积补贴50%。
对比旧版政策，新政在租金补贴的最大面积限制上增加了好几倍。显然，伴随着松山湖IC设计企业的成长和发展诉求，新政也因地制宜优化在租金扶持上的设计。
另外值得关注的是，在产业化扶持方面，征求意见稿还规定，若集成电路设计企业获得松山湖高新区内科技银行的贷款，且银行贷款利率上浮不超过基准利率的30%，按照不超过企业当年实际付息费用的90%给予贷款贴息。企业贴息总额当年最高不超过100万，最高资助两年。同一笔贷款已享受国家、省、市或高新区其他贴息政策的，按照“就高不重复”原则进行差额贴息扶持。
松山湖（生态园）管委会表示，希望政策的制定能够最大限度汇集民智、反映民意，任何单位和个人若对征求意见稿有意见的，可在2月24日前以书面形式向松山湖（生态园）管委会台湾高科技园管理局提出。南方日报
5.顺络电子:创新提升竞争力,电感龙头再次腾飞；
公司发布业绩快报,2016年度实现营业总收入17.36亿元,同比增长31.36%;实现归属于上市公司股东的净利润3.58亿元,同比增长35.93%。
竞争力持续提升,2016年高速成长:公司实现营业总收入17.36亿元,同比增长31.36%。公司秉承“产品多样性、行业应用多样性和区域多样性”的经营策略,从进口替代到在新产品上与全球行业龙头竞争。
公司不断加大研发投入,不断进行变革和创新,推动公司未来业绩持续增长。2016年,公司加大了对陶瓷产品投入,陶瓷指纹产品增长迅速。同时新型高端电感产品,包括0201叠层电感、WPN合金粉功率电感、铁氧体绕线电感均呈快速增长。同时公司在核心材料和工艺取得重大突破,汽车电子有实质进展。
公司核心在于创新:公司虽然已经是国内电感领域绝对龙头,但公司始终预判行业趋势,预研新品。储备的无线充电线圈、NFC、陶瓷件以及电子变压器得到市场逐步认可,未来放量出货可期,公司的预判能力得到验证。在小型化趋势下,0201叠层电感等新产品与世界级供应商同台竞技。
新产品、新市场继续推动新增:消费端,预计全网通、通讯、工控、5G、物联网以及面板大尺寸趋势向好下,加上电感新产品放量,公司电感业务将持续高速增长。公司电子变压器体积小,电源转化率高等,广泛用于消费电子、汽车、通讯等领域,被更多客户认可,预期继续推动增长。随着大陆汽车产业趋势向好以及汽车电子渗透率提升,新市场有望推动公司产品线持续增长。
投资建议:鉴于公司行业内产品和技术的领先地位,我们给予公司买入-A投资评级,6个月目标价为22.8元。我们预计公司2017-2018年营收增速分别为28%、27%,净利润增速分别为29.1%、28.6%,每股收益分别为0.61元,0.79元。
风险提示:终端市场增速不及预期、新产品出货不及预期 安信证券
6.中国半导体产业涨幅高份额小 产业结构亟需调整
过去中国IC芯片行业被人称为“两头在外”的处境，一方面制造自给率不足、销售主供海外，然从2014年国务院发布“集成电路发展纲要”之后，IC设计行业正在发生变化，未来真正的“中国芯”——以中国制造为主、供应内需市场将是大势所趋。
2014年国务院发布的“集成电路发展纲要”，为IC行业发展立下了发展目标，按照政策目标，到2020年芯片自给率将达到40％，到2025年达到50％。要扭转中国芯过去“两头在外”的处境。在《纲要》的指引下，中国半导体产业维持了高速发展的态势，全行业的年均增长率一直维持在2位数，增长速度上达到了预期目标。相对于其他国家增长幅度明显。
根据WSTS最新资料统计，2016年全球半导体市场全年总销售值达3，389亿美元，较2015年成长1．1％；其中分国家与区域来看，2016年美国半导体市场总销售值达655亿美元，较2015年衰退4．7％；日本半导体市场销售值达323亿美元，较2015年成长3．8％；欧洲半导体市场销售值达327亿美元，较2015年衰退4．5％；亚洲地区半导体市场销售值达2，084亿美元，较2015年成长3．6％。
亚洲地区的销售成长有很大部分来自于中国市场的力道。再看看2016年第四季的数字：16Q4美国半导体市场销售值达190亿美元，较上季（16Q3） 成长11．3％，较去年同期（15Q4） 成长10．1％；日本半导体市场销售值达85亿美元，较上季（16Q3） 成长1．2％，较去年同期（15Q4） 成长10．5％；欧洲半导体市场销售值达84亿美元，较上季（16Q3） 成长1．7％，较去年同期（15Q4） 成长1．3％；亚洲地区半导体市场销售值达571亿美元，较上季（16Q3） 成长4．7％，较去年同期（15Q4） 成长15．2％。其中，中国大陆市场销售305亿美元，较上季（16Q3）成长7．4％，较去年同期（15Q4）成长20．4％。
中国IC市场销售在全球已具举足轻重的地位。行业专家指出，每年中国大陆消费近1000亿美元的集成电路产品，芯片是中国最大的进口商品。
当前中国已是世界第一大汽车市场、第一家电制造大国，空调、冰箱等产量均超过世界总产量的一半。中国将成为3000万辆汽车市场、年产空调约1．5亿台、冰箱8000多万台、彩电1．5亿台、洗衣机7000多万台。若以汽车、家电内能有一定比例应用国产芯片对产业的效果将不可估量。
此外，十三五规划内实施制造强国战略和支持战略性新兴产业发展，包括人工智能、智能硬件、新型显示、移动智能终端、5G、先进传感器、可穿戴设备等应用领域，也都将是未来中国集成电路产业新的增长点。
行业专家指出，尽管中国的芯片IC设计业近几年一直保持在25％左右，远远高于全球同行的增长速度，但设计产业规模上看，集成电路产品的总销售不过228亿美元左右，在全球半导体市场中的份额仍然只有6．8％，与每年中国消1000亿美元的集成电路产品相比，仍是相当大的差距。
而本地企业对这些产品的贡献率微不足道，IC产业结构急需调整，IC设计业主要使用境外的加工资源和依赖外国企业的IP核及EDA工具，同时IC制造业的主要客户为外国企业，现象没有从根本处改观。
目前中国主力晶圆厂来看，中芯国际已经做到支持国内客户的生产比较约48％，华力微电子也表示，对国内设计业者的支持将以满足50％产能满足客户的需求。 DIGITIMES
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