Nano Lett.：InSe纳米片中优越的P型开关，用于互补多功能系统

低维昂维 · 公众号 · · 2024-12-13 11:37

主要观点总结

文章介绍了韩国科学技术院的研究人员展示了具有vdW底部接触的优越双极性InSe晶体管，该晶体管实现了p型开/关电流比大于10^9，并且具有可重构的互补多功能。该研究还展示了双极性到单极性的转变，包括n型和p型晶体管以及负和正极性整流器和击穿二极管。此外，文章还提到了上海昂维科技有限公司提供的二维材料单晶和薄膜等耗材、器件和光刻掩膜版定制等微纳加工服务以及各种测试分析。

关键观点总结

关键观点1: 研究展示双极性InSe晶体管的优越性

韩国科学技术院的研究人员展示了具有vdW底部接触的InSe晶体管，具有双极性特性，实现了p型开/关电流比大于10^9。

关键观点2: InSe晶体管具有可重构的互补多功能

该研究展示了双极性到单极性的转变和可重构的互补多功能，包括n型和p型晶体管以及负和正极性整流器和击穿二极管。

关键观点3: 研究成果具有潜在应用价值

该研究对于互补集成微系统的应用具有潜在价值，通过引入部分栅极耦合架构，实现了整流极性和比率的栅极可调。

关键观点4: 提供二维材料相关服务和产品

上海昂维科技有限公司提供二维材料单晶和薄膜等耗材、器件和光刻掩膜版定制等微纳加工服务以及各种测试分析。

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成果介绍

范德华（vdW）InSe因其优异的电子迁移率和适中的带隙而受到关注，从而实现了各种应用。然而，InSe固有的n型行为限制了其主要用于n型器件，限制了其在互补集成微系统中的应用。

有鉴于此，近日，韩国科学技术院Kayoung Lee等展示了具有vdW底部接触的优越双极性InSe晶体管，实现了p型开/关电流比大于10 ⁹ ，肖特基势垒高度接近理想的肖特基-莫特极限。通过引入部分栅极耦合架构，本文还展示了双极性到单极性的转变和可重构的互补多功能，包括n型和p型晶体管以及负和正极性整流器和击穿二极管。在没有复杂异质结、化学掺杂和多栅极布局的情况下，整流极性和比率可以栅极可调从3.5×10 ⁷ 到~10。正负击穿是可逆的，击穿电压和开关比都可以超过10 ⁸ ，并且是电可调的。