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2016
年11月17日，Qualcomm Incorporated（今日宣布，其子公司QualcommTechnologies, Inc.（QTI）和三星电子有限公司延续双方十年之久的战略性晶圆代工合作，将采用三星10纳米FinFET制程工艺打造QualcommTechnologies最新款顶级处理器——Qualcomm®骁龙™835处理器。
在下一代顶级处理器中采用三星先进制程的决定，突显了Qualcomm Technologies作为移动平台技术领军企业的不懈努力。
Qualcomm Technologies. Inc.
产品管理高级副总裁Keith Kressin表示：“我们非常高兴继续与三星合作，共同开发引领移动行业的产品。全新10纳米制程节点的采用，预计将使我们顶级系列的骁龙835处理器带来更低的功耗与更高的性能，同时也让我们能够增加诸多全新功能，从而提升未来的移动终端用户体验。”
今年10月，三星宣布率先在业界实现了10纳米 FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。通过采用10纳米FinFET工艺，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，预计将会显著提升电池续航。
另外，消息表示骁龙835将支持全新的Quick Charge 4.0快充技术，最高功率可达28W，Quick Charge 4能在大约15分钟或更短时间内，充入高达50%的电池电量。通过Qualcomm Technologies的平行充电技术Dual Charge，与使用QC 3.0相比，用户可享受到高达20%的充电速度提升，以及高达30%的效率提升，同时还集成了对USB Type-C和USB-PD的支持。
高通QC 4.0快充技术（图片源于网络）
早期也有消息称高通和三星合作，高通将下一代处理器全部交由三星代工，作为交换条件，三星下一代产品S8，半数以上需要使用骁龙835处理器。如今看来这个消息可信度很高，既然三星和高通已经达到深度合作的关系，相信下一代的Galaxy S8很有可能是首发搭载高通骁龙835处理器的手机。
目前基本已经确定三星将会在2017年2月份的MWC上发布这款旗舰产品——GalaxyS8，从时间上看，也符合骁龙835正式商用的日期。对如今的三星来说，S8无疑是决定命运的一款手机，期待三星能够为我们带来一款足够惊艳的Galaxy S8。
三星执行副总裁及晶圆代工业务主管JongShik Yoon表示：“我们很高兴有机会与Qualcomm Technologies进行密切合作，采用我们的10纳米 FinFET工艺生产骁龙835。作为我们晶圆代工业务的一项重要里程碑，此次合作显示了对于三星领先制程工艺的信心。”
目前，骁龙835已经投入生产，预计搭载骁龙835的商用终端将于2017年上半年出货。骁龙820/21处理器已经拥有超过200款设计发布或正在开发中，骁龙835正是其后续产品。
高通这次没有披露具体架构，如果和文中一样，使用10nm的工艺较三星的14nm工艺，可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。那么使用和三星14nm相当的台积电 16nmFFplus工艺的Kirin 960在面世才一个多月，就已经被高通反超了。
所以高通骁龙又开始了屠榜了吗 ？
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