华为公开3个半导体专利，凸显重要进展

国家知识产权局信息显示， 12 月 21 日华为技术有限公司有多条专利申请公开。

一是“芯片、芯片的制备方法及电子设备”专利。 5G 公众号（ ID ： angmobile ）注意到该专利展现了华为在芯片设计与制造工艺方面的创新能力，主要关注降低背侧配电网架构中的源漏极接触电阻，通过改变源漏极、源漏极接触件的结构来实现低电阻，这是芯片技术领域的一个重要突破。这种技术创新不仅有助于提升芯片的性能 / 运行速度和稳定性，还能降低功耗，能够满足未来电子设备对高性能芯片的需求，提高电子设备的整体表现。

二是“碳化硅衬底及其制备方法、半导体器件、电子设备”专利。 碳化硅（ SiC ）作为一种新型的半导体材料，在半导体器件中具有广泛的应用前景。华为此次公布的 SiC 衬底技术是一项重要的技术创新。根据专利摘要，这项技术可以使 SiC 衬底内部应力分布更加均匀，并且可以将两个测试点之间的应力差控制在 35Mpa 以内，同时单个测试点的应力绝对值不超过 30Mpa 。这意味着华为可能已经找到了一种有效的方法来解决 SiC 材料中存在的应力问题，从而提高了材料的质量和性能。 5G 公众号认为这种改进对于提高基于 SiC 的半导体器件的良率和可靠性具有重要意义。

三是“基材及其制备方法、半导体生长设备”专利。 5G 公众号注意到该专利在半导体材料制备技术方面取得了突破性的创新。该专利提供了一种新型的基材及其制备方法，以及使用该基材的半导体生长设备，旨在解决半导体材料制备过程中由于基材受损而影响晶体生长质量的问题。这种创新性的基材设计和制备方法有望为半导体材料的制备打开新的局面，推动半导体技术的进一步发展。

具体地，该专利提出的基材结构独特，由基底、第一材料层和第二材料层组成，且第一材料层部分材料渗入基底，这种设计能提升基材稳定性和生长效率，是半导体材料制备技术的创新；第一材料层中 TaxCy 等特定材料的选择及配比，体现了华为在材料科学领域的深入研究和创新思维，为解决基材受损影响晶体生长质量问题提供了新的材料方案。