~同时加快车载GaN器件的开发速度，以尽快投入量产~
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT
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“
GNP2070TD-Z
”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量和开关特性，因此在工业设备、车载设备以及需要支持大功率的应用领域被越来越多地采用。此次，ROHM将封装工序外包给了作为半导体后道工序供应商（OSAT）拥有丰富业绩的日月新半导体（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下简称“ATX”）。
为了实现无碳社会，“提高用电量占全球一大半的电源和电机的效率”已成为全球性的社会问题。功率元器件是提高其效率的关键，SiC（碳化硅）、GaN等新材料有望进一步提高各种电源的效率。ROHM于2023年4月将650V耐压的第1代GaN HEMT投入量产，并于2023年7月将栅极驱动器和650V耐压GaN HEMT一体化封装的Power Stage IC投入量产。为了应对大功率应用中的进一步小型、高效率化的市场要求，ROHM采取在以往的DFN8080封装基础上追加的形式来强化650V GaN HEMT的封装阵容。在TOLL封装中内置第2代元件并实现产品化。
新产品在TOLL封装内置第2代GaN on Si芯片，在与导通电阻和输入电容相关的器件性能指标(R
DS（ON）
×Q
oss
*2
)方面，数值表现达到业界先进水平。这将有助于需要高耐压且高速开关的电源系统进一步节能和小型化。新产品已于2024年12月投入量产（样品价格 3,000日元/个，不含税），并已开始电商销售，通过电商平台均可购买。
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关于新产品的量产，ROHM利用其在垂直统合型一体化生产体系中所积累的元器件设计技术和自有优势，进行了相关的设计和规划，并于2024年12月10日宣布作为与台积电（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited，以下简称“TSMC”）合作的一环，前道工序在TSMC生产，后道工序在ATX生产。另外，ROHM还计划与ATX合作生产车载GaN器件。预计从2026年起，GaN器件在汽车领域的普及速度将会加快，ROHM计划在加强内部开发的同时，进一步加深与这些合作伙伴之间的关系，以加快车载GaN器件投入市场的速度。
日月新半导体（威海）有限公司 董事兼总经理
廖弘昌 表示
“ROHM拥有从晶圆制造到封装的全部生产设备，并拥有非常先进的制造技术，很高兴ROHM将部分生产外包给我们。我们从2017年开始与ROHM进行技术交流，目前正在继续探索更深合作的可能性。ATX在GaN器件后道工序制造方面的实际业绩和技术实力得到ROHM的认可，从而促成了本次合作。双方还计划针对ROHM目前正在开发的车载GaN器件也开展合作，未来也会继续加深双方的合作伙伴关系，以促进各领域的节能，为实现可持续发展的社会做出贡献。”
ROHM Co., Ltd. AP生产本部 本部长
藤谷 谕 表示
“非常高兴ROHM的TOLL封装650V GaN HEMT能够以令人满意的性能投入量产。ROHM不仅提供GaN器件，还提供其与融入自身模拟技术优势的IC等元器件相结合的电源解决方案，而且还会再将这些设计过程中积累的专业知识和理念应用到元器件的设计中。通过与ATX等技术实力雄厚的OSAT合作，ROHM不仅能够跟上快速增长的GaN市场的步伐，同时还能不断向市场推出融入ROHM优势的产品。未来，我们将继续通过提高GaN器件的性能，促进各种应用产品的小型化和效率提升，为丰富人们的生活贡献力量。”
EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能，助力应用产品进一步节能和小型化的ROHM GaN器件，该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。
・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
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适用于服务器、AC适配器（USB充电器）、通信基站电源、工业设备电源、PV逆变器、ESS（Energy Storage System/储能系统）等输出功率500W～1kW级的广泛电源系统。
ATX位于中国山东省威海市，是从事功率元器件的组装和测试的OSAT企业。公司可以生产MOSFET、IGBT、SiC、GaN等50多种封装，年产能超过57亿枚。目前产品已被广泛应用于工业设备、车载设备、可再生能源（太阳能发电等）、消费电子等领域，尤其是在电动汽车控制领域，在国际品牌市场拥有很高的市场份额。
ATX与全球排名前十的功率元器件企业建立了长期且紧密的合作关系，是一家拥有自主知识产权以及基于这些知识产权的核心技术的、下一代半导体元器件开发方面的先进企业。
GaN（氮化镓）是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。与普通的半导体材料——Si（硅）相比，具有更优异的物理性能，目前，因其具有出色的高频特性，越来越多的应用开始采用这种材料。
HEMT是High Electron Mobility Transistor（高电子迁移率晶体管）的英文首字母缩写。
评估元器件性能的指标，Q
oss
是指从输出端看的漏极源极间的总电荷量。另外，R
DS（ON）
（导通电阻）是使MOSFET启动（导通）时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，运行时的损耗（电力损耗）越少。这两者相乘得到的值越低，开关工作效率越高，开关损耗越少。
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