意法半导体2017年计划支出11亿美元，升级12英寸产线

据麦姆斯咨询消息，STMicroelectronics（意法半导体）在其分析师日期间，宣布公司计划在2017年的资本支出约为10~11亿美元。不过，其资本支出的详细计划并未披露。ST首席执行官Carlo Bozotti还表示，公司位于Crolles的8英寸晶圆制造厂（Fab）将有可能升级至12英寸晶圆工艺。

ST首席财务官Carlo Ferro称，ST的资本支出从2016年的6亿美元增长至2017年的最高11亿美元，是为了支持对2017年下半年及未来预期的更高的需求而做出的决定。不过，Bozotti和Ferro都强调，ST的资本支出与营收比，将在未来的多年经济周期中保持平均10%以下。

ST在2017年初，作为2016年第四季度财报的一部分宣布了其2017年的资本支出，并称“在2017年的下半年有一个重要产品需要放量支持”。业界许多观察家据此认为ST获得了苹果2017年9月或10月将要发布的新款iPhone的订单。

ST是目前市场上能够将3D传感技术应用至其它设备（包括苹果iPhone）的少数几家厂商之一。业界基本断定ST将为苹果iPhone 8定制3D光学传感器。而据供应链透露，这颗传感器性能会非常强大，不过在量产期间却遇到了点麻烦，ST需要更多时间去备货。因而，有可能会影响iPhone 8的正常上市计划。

ST强调，其多款产品助涨了2017年下半年的强劲营收增长预期，以及资本支出的增长需求。Ferro称，ST的资本支出增长计划，是因为其产品优势正在扩大，并且越来越多的产品系列的市场表现正在走强。

在分析师日的问答环节，Bozotti被问及ST的下一座12英寸Fab计划。Bozotti将在2018年6月卸任CEO一职，但他并没有搁置这一想法。Bozotti称：“目前的首要目标是将Crolles的Fab产能提升至5000片晶圆/周。在Crolles，我们确实有机会进行下一步动作。从长远来看，像ST这样的公司是需要一座更大的12英寸Fab。我们已经有了8英寸Fab，smartpower可以上马12英寸产线。”

“我们拥有大量的未来将制造的专有技术：嵌入式闪存、图像传感器、射频（RF）应用的具有相变存储的FDSOI、功率碳化硅、BCD（BIPOLAR-CMOS-DMOS） Smartpower以及MEMS传感器和执行器等。不过，我们不会向下涉及14nm工艺，”Bozotti说道。

“长远来看，我们可以通过扩张和转换来拥有12英寸BCD产线。那不需要花费十亿美元。这将会是技术演进的一部分。嵌入闪存的BCD也是一样，”不过，Bozotti还说道，“ST正在开始将其BCD工艺外包给代工厂。保持平衡很重要，汽车产品线我们不会选择外包。”

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