台积电推出增强版7nm和5nm制造工艺

据外媒报道，台积电已经悄然推出了7nm深紫外（N7/DUV）和5nm极紫外（N5/EUV）制造工艺的性能增强版本。该公司的N7P和N5P技术，专为那些需要运行更快、消耗更少电量的客户而设计。尽管N7P与N7的设计规则相同，但新工艺优化了前端（FEOL）和中端（MOL）制程，可在同等功率下将性能提升7%、或在同频下降低10%的功耗。

在日本举办的2019 VLSI研讨会上，台积电透露部分客户已可以用上7nm深紫外和5nm极紫外性能增强版本制造工艺。

据悉，N7P采用经过验证的深紫外（DUV）光刻技术,与N7相比，它没有增加晶体管的密度。那些需要高出约18~20%晶体管密度的TSMC客户，预计需要使用台积电的N7+和N6工艺——后者使用极紫外（EUV）光刻技术进行多层处理。

尽管N7和N6都是未来几年的“长”节点，但台积电会在下一个N5节点带来显著的密度、功耗和性能改进。同样，N5之后也会迎来一个叫做N5P的增强版本，辅以FEOL和MOL优化，以便让芯片在相同功率下提升7%的性能、或在同频下降低15%的功耗。

来源：摩尔芯闻