最近的一个现象让我细思极恐。
先是前天我刷视频号的时候，微信推送给我一个讲光刻机的短视频。该视频号主是个大妈，夫妻俩加起来超过110岁，视频号内容主要是开着问界M9各地自驾游。
一个年过半百退休大妈，突然拿着工信部的一个极简的目录来讲光刻机，讲得那么激动，自称热泪盈眶。
为什么视频号会给我推送一个旅游自驾退休大妈给我讲光刻机？
后来昨晚微信上有几个微信好友不约而同地给我发来一张表格，并问我如何看待国产光刻机？
最后是今天，朋友圈上有一堆人转发有关光刻机的各种文章。
历史教科书及各种统治阶级媒体宣传称：“人民群众是历史的创造者”。如果非要确保该论断正确性的话，只能说这是一个愿望而非事实。
一股隐形的力量正在借助现代科技手段，左右着群体的思绪。
对于理性个体来讲，如何能不被左右？这个难度是增加的，需要比以往更拥有独立的思辨逻辑能力。但糟糕的现实是，简中媒体中，再理性的个体也是处于被动喂料的尴尬境地。这些料即使是事实，也是选择性的事实，而不是全面性的事实。
观点正确与否，并不与所持观点人数的多寡有关。
放弃评判观点，追求事实真相才是应该做的。
有关这块，最早是工信部微信公众号“工信微报”9月9号发布“
《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》印发
”。具体内容如下：
各省、自治区、直辖市及计划单列市、新疆生产建设兵团工业和信息化主管部门，有关中央企业：
为促进首台（套）重大技术装备创新发展和推广应用，加强产业、财政、金融、科技等国家支持政策的协同，现将《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》印发给你们，请据此做好相关工作。
这是一个目录，目录很长，包括电子专用装备在内的一级目录有13个，包括集成电路装备在内的二级目录有几十个，包括氟化氩光刻机在内的三级目录数目高达数百个，如下图所示：
被安放在数百个设备中而没有特别强调出来，
很难说是这是一个很突出的、值得“热泪盈眶”的品类。
被各种自媒体热炒并非偶然，
后面隐藏着一只巨大的手，其目的也许并非善良
。
出于一个
秉承“严肃、客观、正直”价值观的科技自媒体
，我觉得应该
为社会做点有价值
的事。
首先，氟化氩的化学式就是ArF。ArF是激光源，用来产生波长193nm的激光。
光刻机
按照精度由粗到精分类排序依次为：g线、i线、KrF、ArF、EUV
，如下图。
ArF按照光路介质（空气或水），
又可以分为ArF Dry
（干法，介质为空气）
和ArFi
（湿法，i=immersion
浸没式，介质为水）。因为水的折射率为1.33，在空气中波长为193nm的光线进入水中波长就会变成193/1.33=145nm，波长变短，精度就变高。所以
ArFi可以认为比ArF Dry更先进
。所以
ASML最新一个季度财报按照精度依次分类就是：I-line、KrF、ArF Dry、ArFi、EUV，如下图
。（有关ASML更详细情况可参考我7月份写的公众号文章：
光刻机，你以为的ASML和真实的ASML
）
根据ASML的报表可以看出，
全球光刻机主要需求量（超过80%）在EUV和ArFi
，而
ArF Dry、KrF、I线都算是相对比较低端的光刻机
。
ArF Dry（干法）和ArFi（湿法）
的应用分界线是65nm制程
。导致应用差异除了上面提的干湿法产生的波长差异之外，很重要的差异在于是否采用多重光刻方式（多重方式可以提高制程精度）。
至于ArFi能经得住几重光刻，就看每次光刻的精度，即上面工信部表格中的套刻指标。
但坦率说，8nm的套刻精度并不是什么特别优秀
。一般来说
4nm的套刻精度，来做28nm制程是问题不大的
。但是
8nm的套刻精度来做28nm就有可能导致严重的性能问题
。
因为随着特征尺寸的降低，芯片的层数一般会持续增加，
套准误差可能会在多个层级中累积
。这些误差可以叠加起来，导致更大的综合偏差。比如，28nm的层数为64，10nm的层级为128，那么128层会具有更大的套准误差累积。
总之说这么多，就是《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》中的2.1.6氟化氩光刻机
并不是什么值得热泪盈眶的先进设备
，光刻机相关制造企业依然任重道远。
客观地说，国产光刻机与ASML的差距还是巨大的（上面ASML的报表图就能说明一切），而且
随着ASML的High N/A的EUV光刻机放量，这个差距还在拉大。
至于为什么国产光刻机产业差距如此之大，与其他设备横向相比这种比较反差这么明显？
我认为根源是国产光刻机产业机制问题。
