去年 11 月,高通联合三星正式发布了全新一代的旗舰处理器骁龙 835,当时已知其首发三星 10nm FinFET 工艺,还支持 QC4.0 快充标准。同时高通方面表示,骁龙 835 将于今年上半年开始正式上市。在此之前,其还将亮相本周举行的 CES 2017。
日前,外媒 Videocardz 曝光了这一处理器的详细规格的 PPT,基本上对骁龙 835 我们已经知道的非常清楚了。
首先,骁龙 835 搭载了全新的 Kryo 280 架构八核心设计,四个大核心主打性能,最高主频为 2.45GHz,四个小核心主打续航,最高主频为 1.9GHz。PPT 显示,骁龙 835 在 app 启动时间、网页浏览和 VR 方面提升 20%。
另外,骁龙 835 还带来 X16 LTE 基带,并整合 Adreno 540 GPU、Hexagon 690 DSP 等。其中,GPU 方面提供了 DX12、OpenGL ES 和 Vulkan 应用的前沿性的 3D 画面支持。DPU/VPU 方面其将支持 10 位 4K 视频。
上面说到了骁龙 835 将首次采用 10nm 制程,三星第二代 FinFET 工艺,尺寸和体积相比骁龙 820 更小,并将带来续航方面的提升。
另外,其相比骁龙 801 将在功耗上减少 50%,相比骁龙 810 而言也提升显著。
事实上,运行该处理器的测试机型的跑分之前也已在网络上曝光。从测试成绩来看,其多核心相比目前骁龙 820 成绩提升较为显著,而单核心分数则提升不大。当然,由于是测试机型,不排除其还有提升空间。
预计搭载骁龙 835 的今年首批旗舰,包括三星 GALAXY S8、LG G6、小米6、HTC 11 等。其中,三星 S8 可能推迟至 4 月发布,LG G6、HTC 11 将有望在 MWC 2017上 亮相。你对高通骁龙 835 还满意吗?