三星半导体业启步
韩国半导体在1974年才开始启步,那时韩国正在推行一种叫”新社会运动”。韩国半导体工业的第一个fab,叫韩国半导体Puchon厂,建于1974年10月。由于开张就面临财务危机，同年12月,仅生存三个月,就被李健熙（LeeKunhe）主席的私人投资兼并,后被并入三星中。
自1980年代之后,韩国半导体业才开始跨越式的进步，三星在1983年开始筹备集成电路制造,也即DRAM的研发。
64KDRAM的研发成功,对于韩国半导体业具有里程碑意义,也是迈向全球存储器强国的第一步。在那时三星电子的科研工作者,日以继夜,努力追赶,放弃一切节假日休息,靠的是一股精神及志气。
在64KDRAM研发中，韩国非常清楚自已与先进国家之间的技术（1.5微米）差距为4年半，需要一步一步地追赶，在256KDRAM（1.2微米）时这个差距己缩短为3年。在1989年10月时三星已经成功开发出16MDRAM（采用0,25微米技术）,它己领先于全球任何一家制造商。
也即三星电子从1983年开发存储器,到1989年的16M DRAM研发成功,仅利用6年的时间,前进了5代DRAM的技术,使三星电子一跃成为全球最先进的存储器制造商。
三星电子从1983年开始DRAM的研发，其中1987年就实现第一次盈利，一直到1993年16M DRAM的量产,奠定了它在全球存储器霸主的地位。
它最为关键的决策是三星在1993年时就大胆地投资兴建8英寸硅片生产线来生产DRAM。在当时全球6英寸硅片是主流地位,如英特尔与台积电分别于1992年及1996年才兴建它们的第一条8英寸生产线。因为当时投资一条8英寸生产线的费用高达10000亿韩元(相当于10亿美元以上)风险是很大。
1994年是韩国半导体工业的转折点,三星首先发布全球首块256MDRAM。当时256MDRAM意味着在手指甲大小的芯片上集成2.56亿个晶体管及2.56亿个电容。
为了超过日本半导体,三星电子在开发64MDRAM的同时就己经组建256MDRAM研发团队。70位研究人员在Hwan Chang-Kyu领导下努力奋战,经过两年的努力终于在1994年8月29日研制成功全球第一块256MDRAM芯片。
非常有兴趣的是第一批样品就实现了全功能，所以检验及测量的次数反复达10次之多，生怕有误差。由此奠定了在存储器方面韩国超过日本的基础。
三星电子成功的原因初探
1980年代后韩国政府改变半导体产业政策,转向扶持DRAM,此时三星半导体开始获得政府支持。当时韩国政府组织”官民一体”的DRAM共同开发项目,也是通过政府的投资来发展DRAM产业。
进入DRAM市场初期,三星电子首先向当时遇到资金问题的美光(Micron)公司购买64K DRAM技术，之后自已开始开发256KDRAM。为了提高技术,这时三星半导体用高薪聘请在美国半导体公司工作过的韩国人，工资比总裁高4-5倍。
另外，三星在美国建立研发中心，并配置相同的生产设备，让这些高薪人员来培训本土的工程师。然后经过培训后的工程师再回到本部，日以继夜地工作，很快三星在DRAM方面超过日本。
再有一点非常关键,在1993年全球半导体市场转弱,但是三星采用反周期的投资策略,加大投资DRAM建8英寸生产线。
1984年9月三星推出64K DRAM,但是由于DRAM价格迅速下滑,从1984年初的4美元/片,下降到1985年的30美分/片。而此时三星的生产成本是1.3美元/片。到1986年底,三星半导体累积亏损3亿美元，股权资本完全亏空。
由于DRAM市场不景气,Intel等美国公司退出存储器市场,日本公司也缩减投资规模和生产能力。由于三星的反周期投资，继续扩大产能,并开发更大容量的DRAM。当1987年产业出现转机时，加上美国政府发起对于日本半导体业的反倾销诉讼案,美国政府和日本企业达成自动出口限制协议。由于日本企业减少向美国出口,导致DRAM价格回升,三星开始首次实现盈利。
三星是从1983年开始投资半导体，搞存储器。那时韩国的半导体远没有目前的先进,有人认为韩国有劳动力成本低的优势。实际上当时在工厂中作操作的人员, 大部分是农村来的妇女,文化程度并不高，但是素质很好,她们的工作十分认真与精细。
