SK海力士昨日宣布，SK 海力士的年收入创下历史新高，比 2022 年的纪录高出超过 21 万亿韩元，营业利润超过了 2018 年半导体超级繁荣时期的纪录。特别是，第四季度收入增长 12% 至 19.8 万亿韩元，营业利润增长 15% 至 8.1 万亿韩元，营业利润率比上一季度增长 41%，净利润达到 8 万亿韩元，净利润率为 41%。
据路透社报道，
SK 海力士第四季度营业利润超过三星
同期预测的 6.5 万亿韩元。SK 海力士强调，随着对 AI 内存的长期强劲需求，该公司通过世界领先的 HBM 技术和以盈利为导向的运营取得了历史最高成绩。
HBM 在第四季度继续保持高速增长，占 DRAM 总收入的 40% 以上
，
eSSD 的销售额也持续增长。SK 海力士预测，随着全球大型科技公司对 AI 服务器投资的增长和 AI 推理技术的重要性增加，
对 HBM 和高性能计算中必不可少的高密度服务器 DRAM 的需求将继续增加。
在预期库存调整的消费市场中，配备人工智能的 PC 和智能手机的销量将扩大，市场形势将在下半年回暖。
因此，SK 海力士计划扩大 HBM3E 供应，并在合适的时间开发 HBM4，以满足客户的需求。凭借稳定的需求，该公司旨在推动向先进工艺的过渡，这是
生产有竞争力的 DDR5 和 LPDDR5 所必需的
。对于 NAND，与去年一样，该公司计划以盈利为导向的运营和灵活的销售策略来满足市场需求。
1月22日，SK海力士在其公司公告板上宣布，
将发放相当于每月基本工资1500%的绩效奖金总额。
这包括 1,000% 的利润分享 （PS） 奖金和 500% 的特殊绩效奖金。PS 奖金是根据年度绩效分配的奖励，最高可达员工年薪的 50%（相当于每月基本工资的 1,000%）。
韩国两大半导体大厂
三星和SK海力士对极紫外线（EUV）微影技术采取不同策略，引起业界关注
。两家EUV不同政策正值高度市场竞争时刻，能看出各自处境。
据报导，组织重整计划，
三星
全球制造和基础设施总部下成立新工作小组（TF）名为「EUVSynergyTF」，视为提高先进制程良率的举动。EUVSynergyTF任务是管理EUV设备，提高微影曝光和追踪设备使用率，
目标是最大限度提高EUV各种材料和零件良率。
SK海力士今年却解散EUVTF，并入未来技术研究院
，突显
SK海力士关注长期技术进步，而不是提高产量
。SK海力士2021年EUV生产第四代10纳米级DRAM，目前利川M16工厂有十多台EUV。SK海力士未来技术研究所预估准备导入下代EUV，即High-NAEUV，最快2025下半年收到第一台High-NAEUV。
韩国市场人士表示，
三星将EUV用于改善良率与提高产能，表示代工与HBM落后的三星急于寻找突破处
。
SK海力士则用于技术发展，为保持领先地位，并为将来做好准备，可看出两家公司面临不同的挑战
。
海力士的业绩说明会主要PPT如下，里面有很多关键信息，
我把他们highline并解读出来
，帮助读者抓住重点，
并挖掘相关产业链的投资机会
。
24Q4收入同比75%增长、环比12%增长。DRAM环比是量价齐升，NAND环比是量价齐跌。
DRAM环比涨价10%，主要是因为HBM的贡献
；NAND环比跌价5%左右。
表征重资产的半导体公司盈利能力，
最关键指标不是净利润，而是EBITDA
。24Q4海力士EBITDA环比11%增长、同比214%增长，营运利率41%、EBITDA率高达57%，说明这是一个很不错的生意。
尤其当下，半导体产能体现的是国力，是全球各国竞相争取获得的能力。
这张ppt提到：在AI需求推动下，
存储已经从标准产品转变成定制产品
。这是一个很关键的信息和判断，这意味着存储行业属性
从过去的强周期属性转变成高毛利率定制属性
，当然这里指的是高端产品。行业属性的变化，
意味着对于高端存储企业具备提估值的能力
。
我们从右下2015-2024历年营收和运营利润柱状图也可以清晰地看到海力士营收和利润的成长属性和强周期属性。
海力士HBM的
全球第一位置是进一步加强
，
公司用了reinfocing这个词
。
24年海力士的HBM收入增长了4.5倍，意味着是23年的5.5倍。
传统DRAM产品盈利能力也因为DDR5和LPDDR5占比提升得到了加强。由此可以判断
DDR5/LPDDR5相关产业链的投资机会
。因为
相对于DDR4，DDR5的升级不仅仅是速率升级，对很多配套芯片需求也是增加明显的。
海力士对下游三大市场（个人电脑、移动终端、服务器）的判断如下：
-
企业级PC 更新操作系统和AIPC，AIPC的渗透率会提升至30%-40%，因而需要更大容量的内存（16/24/32 GB）
-
移动终端的AI化，渗透率达到30%，需要使用更高性能的LPDDR5X/LPDDR5T。
-
服务器市场AI化除了需要HBM之外，还需要高密度的 SV DRAM。定制的HBM在未来2-3年的订单是明确的（意味着未来2-3年HBM的产能都被订购一空）。
但是对
普通DRAM和NAND
的需求展望却不乐观。
因为季节性因素+高库存因素
，预计DRAM单价低个位数环比下降、NAND单价高个位数环比下降。
海力士
预计HBM收入在2024年增长4.5倍的基础上，2025年还要超过翻倍增长
。增长的
主要需求是定制ASIC厂商（博通等）
，说明定制 XPU会是一个重要趋势。
24年底全球第一个16层HBM3E的产品
使用的是高级MR-MUF技术
。MR-MUF是海力士的独门技术，是区分与三星成为全球龙头的最关键技术。MR-MUF是啥？
Mass Reflow Molded UnderFill。翻译成中文就是回流焊-塑封填料技术。可能很多人并不知道，其中这里面的关键材料-填料，就是由中国国内厂商提供的。
有关这块，我以前专门写过一个公众号，大家可以从我过往的微信公众号里面找到。
