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本文由国君电子王聪团队根据
Semicon China期间报告整理，感谢。
今日盛美半导体举办新品发布会，推出前道Ultra ECP（镀铜)、Ultra SFP（无应力抛铜）、Ultra Tahoe（浓硫酸单片清洗）设备，显著提升生产效率，降低生产成本，提升良率，新增合计拓宽市场10亿美金+。
我们认为ACMR无论从收入体量/增速、自主研发能力、客户覆盖面都是中国半导体设备首屈一指的的公司，是最受益本轮大陆晶圆厂扩产的公司之一。假设全球清洗设备市场30亿，保守估计公司市占率25%（公司SAPS+TEBO+Ultra-C产品涵盖50%市场），保守估计对应7.5亿美金收入，保守2倍市销率对应15亿的未来市值体量，且仍没有考虑到清洗设备市场自身的增长，以及公司在镀铜，封装等领域其他产品线的开拓。继续推荐。
新品发布会全文纪要（听录，仅供投资者参考，具体以公司新闻稿为准）：
【产品一】局部电镀设备：Ultra ECP map
技术核心点
：该项局部电镀技术，第一个电极代表是一个垫片，四个电极依次打开，好处就是单一电极轮流打开，保证电流镀只在局部发生。利用盛美独家专利——局部电镀，就能做出很薄的籽晶层，在进行电镀之前我们要用PVD先溅射一层铜的籽晶层，完成后再上面进行电镀。目前孔径已经是纳米级别，将越来越小，所以电镀层不能太厚否则将会将孔封死无法进行填充。因为很薄，所以电流比较大，可以用局部电镀来解决。
该项技术工艺先进，优越性大，可以很好的控制电流
，可以保证均匀的电流可以用在40纳米、28纳米、14nm以及更加先进的制程中。未来我们的设计进入市场之后，将使得市场更具有一定的竞争性。
【产品二】抛光设备：Ultra SFP 365 Tool
抛光设备的总市场规模较小现阶段约为2亿美金，但是技术含量非常高，所以未来市场将逐步增长。随着AI芯片的发展， AI芯片封装的难度将越来越大，技术难点在于多管脚化，保证cpu和memory之间的良好连接进行数据交换十分重要，目前市场中的3D TSV技术在散热性方面仍然存在一些问题，我们的新设备可以应用于2.5D。
图中所示的镀层只有一层，但是实际一般是多层的。在不同层之间需要用铜线进行互连，首先需要做好沟道，然后再将铜电镀进去，镀完之后需要进行抛光，抛光过程至关重要，目前所用的机械化学研磨（CMP）所用的抛光粉成本较高，抛光5微米厚度的镀层需要花费约20美金。
我们的新产品是使用电抛光，电抛光的化学液可以重复使用
。
在电抛光设备运行时，硅片将反转（加反向电流转动），旁边装置头将液体（磷酸）喷上来，然后利用电抛光抛去多余的铜。
使用完毕后，电抛光液流回之后可以进行重复使用。新产品的抛光液成本是CMP技术的十分之一。
该项技术是盛美半导体的独家核心专利。
在实际的使用过程中，工艺分为三步：先使用电抛光技术完成95%左右的铜抛光量，剩下的部分再利用CMP技术，除了多余的铜镀层之外，还要利用湿法刻蚀去除阻挡层。实际应用中成本将减少至少80%，成本约为2-3美金。该设备以后可以利用到先进封装技术中，公司将在两到三个月之后向客户供货。
【产品三】清洗设备：Ulta C Tahoe
这款设备的突出特点是：节省化学液更加环保。
在半导体工艺的清洗过程中所用的高温硫酸（具有碳化效应，温度大概为140或者150度以上），这一过程暂时还没有办法取代，到目前为止一直用了二三十年，它最大的坏处是难处理高污染。早期槽式清洗机利用用高温硫酸清洗，但是在50nm以下制程清洗效率和质量都不高，所以逐渐被淘汰。现阶段28nm制程以下一般采用单片清洗，在实际清洗过程中当高温的硫酸往下喷时，5%的硫酸是和硅片接触，剩下95%并没有起到化学作用，只起传递热量的作用热量，因此硫酸消耗巨大（光上海地区硫酸使用量是一年是6万吨）
盛美的新设备可以将把硫酸量使用量降低十倍
，先利用槽式清洗机（类似洗碗机原理），初步用硫酸进行清洗（未彻底清洗干净），拿出来以后，放入另一边的单片器中，加入碱和HF，就可以彻底清洗干净。所以该新设备是一个合成机。总之：盛美半导体的第三种新产品将bench和single的优势相结合，可减少90%的硫酸，只需要10%的硫酸用量，估计每年硫酸费用可以节省1200万美金，除了节省金钱，还可以有效减轻环境指标压力，利用第三种产品新技术，可以实现30个fab厂每年生产100万片wafer，而不再是上海地区环境指标限制的3个fab厂每年10万片wafer，足足提高10倍。第三种产品的主要应用就是在离子注入、刻蚀、CVD等之后的清洗， 这一块也是其核心优点。现在全球清洗市场约为30亿美金，第三类产品占据20%，即6亿美金市场，前面两类产品市场分别各为2亿美金，也就是说盛美半导体新产品占据的总市场高达10亿美金。
【现场提问】
1、抛光及电镀设备的工艺节点大概是？
抛光新产品主要是用在先进封装，未来5G技术和AI芯片快速发展，对于数据传输要求比较高，目前TSV 3D 良率较低成本较高，2.5D在现在乃至未来是更好解决方案，所以AI技术所带来的高密度的封装和数据传输将会是一个爆发点，目前系统封装就需要这个技术，台积电的话要看他怎么做，目前认为新技术的发展驱使下，未来将对电镀以及抛光设备有更多的需求。因为线宽要镀五微米以上，要用CMP作的话，最大的问题就是一个抛光粉成本较高，还有同时抛光的镀层也比较厚也要花费很长时间，这两块的费用都会非常高，大约20到30美金。除非目前抛光液可以国产化，才可能降低一点成本。但是最核心的就是CMP的抛光液不能重复使用，因为里面有颗粒，如果重复使用就会在表面产生划痕使得产品报废，这就会造成高成本，同时CMP的废弃抛光液进行处理时也较麻烦，首先要去除里面的金属然后再打包埋入地下。
2、刚刚说到的抛光三步骤工艺可以降低80%左右的成本，请问电抛光、化学机械抛光以及刻蚀哪一步的成本降得最明显？
电镀铜大约在五微米以上甚至到十微米以上，我们利用电抛光完成95%左右的铜抛光量。剩下的部分再利用CMP技术，因为电抛光无法抛得很平。然后去除阻挡层时，我们自己开发了湿法刻蚀。这些工艺会使抛光粉的用量大大减少。
3、新技术的电抛光的抛光粉如何处理呢？
目前我们有一个新的方法，产品图中我们有一个装置还没有画出 我们可以用电镀的方式把铜再抽出来，铜将富集到阴极一个面板上，之后进行再加工处理后可以重复使用，不会产生环境污染。
4、电镀设备所使用的工艺节点是？
我们所设置的是从28nm切入，现在包括SMIC等是处于45到28nm制程之间，未来我们设备也可以用于12nm 10nm 7nm 5nm，以后将发展的越来越好。
5、为什么我们的设备不考虑与竞争对手等进行专利授权或者进行专利互换呢？
半导体设备市场没有一家用核心专利换东西，设备太排他性，涉及到市场瓜分和专利纠纷等一系列问题，一般很难共享。
6、硫酸清洗以前的技术是如何？
答：以前的技术都是在50nm以上，51nm就是批式清洗，那时候可以完成单片清洗用量的十分之一，而现在进入28nm，逐渐由批式清洗转为单片清洗，硫酸用量需要增加10倍，如果按以前老的技术进行，6万吨硫酸可以用于30个fab，由于单片硫酸清洗更干净，但硫酸用量增加了10倍，只够用于3个fab，而盛美半导体的第三类产品新技术又从单片回到批式，但不是简单的回去，是将硫酸回到批式，将wafer拿出来继续清洗，效果和单片清洗一样，但清洗硫酸用量回到了批式水平，即现在的十分之一，使新技术往下走时所增加的硫酸用量又回到原来水平，因此使用这个技术，在硫酸用量问题上可以保证10倍节省，原来的6万吨硫酸能做的不是3个fab厂10万片wafer，而是30个fab厂100万片wafer。
7、关于成本方面的问题？
答：举个例子DRAM工艺，一年如果采用盛美半导体的设备（多台），可以节省1200万美金费用，采用盛美半导体的技术每年费用大概为150万美金，如果不用盛美半导体的技术总共费用约为1300万美金，盛美半导体第三类新产品节省了90%的费用，5年约可以节省6000万美金，此外从环境方面而言，盛美半导体第三类新产品对缓解环境压力的冲击更大。
8、对fab的客户而言，晶圆厂的良率决定他的盈利能力，这个方面新开发的设备在客户采用方面目前的良率如何？新开发的设备性能很吸引人，能透露一下设备基台的售价？
答：第一台设备今年一月份已交付核心客户，正进行装机测试，良率数据应该在半年之后才可出来。但是从手头上的初步数据显示清洗效果和单片清洗无太大区别，但仍需要良率验证。关于售价方面，客户买你的设备其实不在乎售价是多少，更关心的是你的设备能为他节省多少钱，能为他创造多少价值。当然盛美半导体第三类新产品不会因为能节省费用，创造价值，而使价格过高，盛美半导体第三类新产品价格仍将是业界比较公平的水平，盛美半导体公司毛利在40-45%之间，盛美半导体第三类新产品真正的定位还没确定，但是绝不会太多偏差公司的毛利水平。
9、6亿美金的市场，现在被东京电子等公司占领，盛美半导体第三类新产品市场占有率能有多少？
答：目前单片清洗只有D公司和T公司，整个市场都有竞争性，对于盛美半导体第三类新产品能有50%的市场占有率就满意了。
10、您之前提到3种新设备都有出货，第三种设备处于测试阶段，那前两种设备也是处于测试阶段吗？还有盛美半导体的客户是国内的fab厂还是国外的厂商？
答：现在三种设备都有订单，第一台给第一个客户，是demo阶段，盛美半导体承诺做不好会将设备回收，但目前为止还没有一台设备回来，做好了客户才付钱。三种设备都有订单，但是要做好之后才可以收钱，这么做确实有风险，再送出去给客户之前盛美半导体自己得有一个评估，这个设备到底能不能被接受。
11、有没有一个预测的数据可以告诉我们，比如今年能卖出多少台？接下来多长时间能卖出多少台？
