朱贻玮：对比，差距；思考，原因

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历史上在同一年份在不同地方出现相似的现象，但是过了几十年后两者恰发展到差异极大的不同。

让我们来看看发生在半导体集成电路行业里的例子。

1968 年 2 月 8 日中国决定在北京建立 878 厂（东光电工厂）。就在同一年 7 月 18 日，在美国加州圣克拉拉成立了英特尔公司。 50 余年过去了，中国第一个集成电路专业化工厂 878 厂早已退出历史舞台，而美国英特尔公司营业额自 1992 年以后 20 多年里（除了 2017 和 2018 年外）位居全球第一。 2019 年达到 657.9 亿美元。

1987 年 6 月北京成立燕东微电子联合公司。同年 1987 年 2 月，在台湾新竹成立了台湾积体电路公司，简称台积电。 30 多年过去了，台积电发展成为世界上最大的集成电路芯片代工制造公司，从 6 英寸线开始，不久后建成 8 英寸线，又快步进入 12 英寸线；技术水平上跟着美国跑，最后赶上并超过美国领跑全球。而燕东公司从 4 英寸线起步， 20 年后才进入 6 英寸线，直到 2019 年才建成 8 英寸线，于 2020 年投入生产。

一、对比 ， 差距

1. 878 厂 VS 英特尔

北京 878 厂 在 1969 年试制出双极型 TTL 型中速与非门电路，之后陆续推出 STTL 型高速电路和双极型线性电路，并且各成系列投入批量生产。在上世纪 70 年代，在封闭的计划经济时代为国内各工业部门（从二机部到七机部）和科研院所提供了各种应用整机所需的众多集成电路。产品质量类别齐全，Ⅲ类、Ⅱ类、Ⅰ A 类，乃至Ⅰ类电路应有尽有。当时北京 878 厂和上海无线电 19 厂被业界称为“南北两霸”，在一年两次（春季和秋季）全国电子元器件订货会上门庭若市，供不应求。北京大学电子仪器厂采用 878 厂生产的 TTL 中速电路和 STTL 高速电路研制成国内第一台一百万次大型电子计算机。 1978 年建成小净化车间后开始上大规模集成电路。在国内领先采用 2 英寸硅片搞 PMOS 电路，试制出计算器电路，接着搞 NMOS 电路，试制出三片式 4 位微处理器电路。 1980 年在国内第一家建成大净化车间，在国内首先建成 3 英寸硅片生产线，打通双极型模拟电路工艺同时，开始试制 CMOS 小规模电路。上世纪 80 年代中期三大本产品说明书标志 878 厂发展的顶峰。但是之后大净化车间 3 英寸线没有投入大批量生产，大规模集成电路也没有冲上去。在国家改革开放后受到走私电路和大量进口国外集成电路的冲击， 878 厂到上世纪 80 年代后半期～ 90 年代惨淡经营，进入 21 世纪后就悄然退出历史舞台。

美国英特尔公司成立后直接上 MOS 电路，先是主攻 DRAM 存储器电路，后来在与日本竞争中退出来，转向主攻运算器电路。在 1971 年推出世界上第一款 4004 型 4 位微处理器电路，不久改型为 4040 型。到 1974 年从 4 位 4040 型发展到 8 位 8080 型。之后快速往前发展，经过 8085 型，到 1978 年推出首款 16 位机 8086 型，到 1982 年又推出另一款 16 位机 80286 型。 1985 年推出第一代 32 位 80386 型， 1989 年推出新的 32 位 80486 型。到 1993 年更推出新一代的奔腾型，本该叫 80586 ，因为当时规定不能用数字申请专利而选名“奔腾”。 1997 年奔腾Ⅱ问世， 1999 年奔腾Ⅲ问世， 2000 年奔腾 4 问世。从奔腾 D 开始为 64 位。到 2003 年推出奔腾 4E 系列，采用 90 纳米（ nm ）工艺。之后经过 65nm 、 45nm 、 32nm 、 22nm 、 14nm ，进展至 10nm 。英特尔公司依循摩尔定律持续不断地追加投资，建设新的芯片制造线提高工艺技术水平，开发新产品，引领 PC 计算机主频和性能不断提高，从而长期占领全球 PC 计算机市场而不衰。

2. 燕东 VS 台积电

中国大陆电子工业部关于集成电路 “七五”行业规划（ 1986-1990 年）要在上海和北京重点发展集成电路。在国家成立电子振兴领导小组办公室之后，北京地区也成立了电子振兴领导小组办公室。北京地区电子振兴办在 1986 年 3 月组织 774 厂和 878 厂共同编写了用 4 亿元人民币建设一条 5 英寸 2 ～ 3 微米大规模集成电路生产线初步方案，向国家电子振兴办作了汇报。但由于期望国家出资 2 亿元未能落实而作罢。在这一大方案和另一中方案都不可能实现的情况下，最后采用小方案：利用 878 厂已经引进的 4 英寸仙童线一部分二手设备，以及北京市半导体器件二厂在建、而未建完的 5000 平方米净化厂房，两厂组建新公司，建设 4 英寸芯片生产线，于 1987 年 6 月成立北京燕东微电子联合公司。由于首都钢铁公司曾承诺要出建设资金，北京市把燕东公司等 4 单位（还有 878 厂、北京市半导体器件二厂和沙河研究所）划归首钢。可是结果首钢食言，在燕东等 4 单位技术骨干协助首钢与日本电气公司（ NEC ）谈成合资之后，因为 4 单位职工强烈要求，北京市又把 4 单位划回电子口。燕东公司重新千辛万苦地筹集建设资金。在电子部先出 830 万元之后，北京市有关单位才跟进投资。经过组团赴美考察，到 1993 年底与美国 BIT 公司谈成转让合同， 1994 年夏天燕东派培训人员到 BIT 公司实习后，将 BIT 公司 4 英寸全线设备运至北京，经过安装调试合格后交付燕东使用。然后进行工艺试验，流通双极型模拟电路制程，到 1996 年 6 月底燕东公司 4 英寸芯片生产线才通过国家验收。

由于资金原因燕东公司用 5 年时间才建成净化厂房及配套动力设施，又经过 5 年才引进 4 英寸线。此时已到“九五”计划（ 1996 ～ 2000 年）初期，国家重点扶持的 5 个企业：无锡华晶、绍兴华越、上海贝岭、上海飞利浦和北京首钢日电均已建成投产，有 4 英寸、 5 英寸和 6 英寸线，每家实力都比燕东强。前两家为国有企业，后三家为中外合资企业。燕东领导为了企业生存决定采用“退一步 进两步”的策略，在不放弃模拟电路情况下，回过头来搞分立器件。公司领导班子年轻化后组织技术力量攻下背面金属化工艺难关后，分立器件进入市场。在分立器件站稳之后逐步扩大模拟电路产量，最后达到分立器件和集成电路各占一半的局面。经过 8 年艰苦努力，到 2003 年底 4 英寸线达到月产 20000 片的水平。这就实现了第一个“进一步”。之后到 2007 年 3 月建成 6 英寸线。又经过近 6 年努力，到 2013 年底达到月产 30000 片水平，从而实现了第二个“进一步”。这样，“退一步 进两步”的战略决策经历 17 年得以实现。

在国家于 2014 年成立大基金之后，燕东公司在大基金大力支持下，从 2017 年开始到亦庄北京经济技术开发区建设 8 英寸净化厂房，到 2019 年年底 8 英寸线设备开始投入生产。

台湾积体电路公司于 1987 年 2 月 24 日在台湾新竹科学园区成立。创始人张忠谋首创晶圆代工模式，在台湾工业研究院电子所的厂房里建设台湾第一条 6 英寸线，采用 MOS 电路工艺。台积电自己没有产品，专门为设计公司和 IDM 公司代工。之后自行建设净化厂房，先是 6 英寸线，然后是 8 英寸线。到 1994 年在台湾证券交易所上市，后来又在 1997 年到美国上市。依靠不断地扩大投资，在工艺技术水平上持续不断地追赶美国先进水平。到 1999 年台积电推出可商业量产的 0.18 微米铜制程服务，在工艺技术水平上逐步赶上了美国英特尔公司。 2000 年并购世大半导体公司，拉大与位居代工第二位的联华电子的距离，从此稳居全球代工第一。 2003 年战胜美国 IBM ，早一年研发出 0.13 微米（ 130 纳米）芯片，之后技术不断向前推进，从技术跟随者发展为技术引领者，当今在技术水平上位居世界第一，是全球首家提供 7 纳米和 5 纳米代工服务的工厂，生产世界上最先进的芯片，并且要建 3 纳米，乃至 2 纳米的芯片生产线。

到了 21 世纪，很早就建设了 12 英寸线，又到台南科学园区新建 12 英寸厂，后来再到中部科学工业园区盖厂。因此产量不断增加，营业额逐年快速上升。 2019 年营收 346.3 亿美元，净利 111.8 亿美元，净利率高达 32 ％。在全球代工业中占据半壁江山，市场占有率高达 52 % 。

二、思考 ， 原因

从前面所述看出，两起都是在同一年份出现的事情，只是发生的地点不同，几十年过去了，各自产生的结果恰大不相同。这就值得思考，究竟是什么原因造成的？由哪些因素在起作用？

1. 英特尔 VS 878 厂

美国英特尔公司是由集成电路发明者之一的 Robert Noyce （诺伊斯，首任 CEO ）和 Gordon Moore （摩尔，第二任 CEO ）两人在 1968 年共同创立的，就是这位摩尔在仙童公司任职时于 1965 年 4 月提出了著名的“摩尔定律”：集成电路芯片上所集成的晶体管数目，每隔 18 个月翻一番。第三人是 Andrew Grove （格鲁夫）。

初期英特尔主要业务是存储器电路，尤其是 DRAM 产品，从 4K 位到 16K 位，英特尔是重要生产商。但由于大批日本公司进入，英特尔占比急剧下降，到 256K 位时英特尔占比仅为 1.3 ％。因此，在担任 COO 的格鲁夫的坚持下，英特尔退出 DRAM 业务，转向主攻运算器电路，即 PC 的处理器上，如前所述，从 4 位经过 8 位 16 位，到 1985 年推出 80386 进入 32 位， 1989 年又推出新的 32 位 80486 型，英特尔成为世界上微处理器的主要生产商，营业额逐年上升。到 1992 年英特尔营业额超过日本电气公司，一跃成为全球第一，之后 24 年一直保持第一。只是 2017 和 2018 两年韩国三星超过英特尔，但是到了 2019 年英特尔又夺回第一。

英特尔为什么这么成功？这是因为它位于美国硅谷地区，由集成电路发明人之一诺伊斯和从仙童公司（与德州仪器公司各自研究出集成电路）出来的、提出摩尔定律的摩尔两人所创立。第三人则是格鲁夫，正是格鲁夫在 1987 年起担任第三任 CEO 后，创立了强烈的中央集权制度，他的名言是：“只有偏执狂才能生存”。偏执狂讲的就是危机感。公司的价值观中有：以客户为导向、鼓励尝试冒险等。因此在与美国和日本众多公司激烈竞争中取得胜利。还在 8 位机年代时，三家美国公司展开激烈竞争 , 除了英特尔 8080 之外，还有莫托洛拉的 6800 和 Zilog 的 Z80 。但是英特尔不久又推出性能更强的 8085 。之后到 16 位机时，莫托洛拉推出 68000 ，英特尔先推出 8086 ，后又推出 80286 。之后又推进到 32 位，乃至 64 位，不断前进，先后把 Zilog 和莫托洛拉抛在后面而独占鳌头。

除了英特尔公司内部领军人物强悍和持续不断推出新产品外，不能忽视美国国家的重视和支持的作用。集成电路由美国发明，在开始十多年一直是美国在世界上领先。但是日本在 1960 年从美国转让集成电路技术后迅速发展，到 20 世纪 70 年代和 80 年代一度超过美国成为全球第一半导体生产大国，全球前 `10 名厂家之中日本占 6 席，前 3 名都是日本公司，日本电气公司（ NEC ）多年位居全球第一。为此，美国一方面打压日本，另一方面在 1991 年 4 月美国国家半导体咨询委员会主办了 90 位半导体工业专家参加的《 2000 年微电子技术研讨会》，目的是研究制定美国 2000 年微电子技术开发计划，即“ MICRO TECH 2000 ”计划，以振兴美国半导体工业的技术竞争能力。该计划致力于开发 0.12 微米半导体制造工艺，以期到 2000 年使美国半导体工业达到世界领先地位。这需要几百名科学家和工程师进行多年的努力，要将许多半导体公司、联邦政府实验室和大学从事半导体技术攻关的人力资源进行更好调配，要制订统一计划，将从事不同技术开发工作的人力资源进行集中安排，包括制造设备、材料、计算机辅助设计与模拟、生产线与市场的经济模型、封装与测试等。联邦政府的实验室与大学一起必须集中精力解决半导体工业的实际问题。这一计划执行结果，使美国半导体技术夺回第一位置，英特尔从 1992 年起就超过 NEC ，登上全球第一宝座。英特尔的成功还有一个重要原因，当 1971 年 2 月 8 日纳斯达克股市刚建立不久，成立于 1968 年才 3 年的英特尔于 1971 年 10 月 13 日就登陆纳斯达克，成功融资 820 万美元，在资金上支持了英特尔公司。这说明股票上市对初创公司发展的重大作用。

关于北京 878 厂退出历史舞台的原因，我在《未曾忘却的记忆：回旋在酒仙桥地区的集成电路梦》一文中作过分析，现转述于此 ：

为什么国家重点培养扶植的第一个半导体集成电路专业化工厂、曾被业者誉为 “北霸天”的 878 厂后来会衰落下去，一步一步退出历史舞台？这一问题始终没有人深入探讨分析原因。在此时此处我想发表我个人的 5 点见解，供大家思索参考。

首先，虽然 878 厂是我国 2 英寸线和 3 英寸线第一家，但在大净化车间 3 英寸线通线投产后没能达到规模经济的产量。采用多品种小规模 CMOS 电路作为主要产品系列没能构成大量生产的条件。后来曾想接产沙河研究所的 5 块彩色电视机电路，虽有市场需求，但因产品本身未过关，没能接产成功。

其次， 878 厂虽为部里重点发展单位，但后来缺乏稳定的强有力的厂长领导。建厂初期较长时间担任厂长的邝少凡在四机部设立中国电子器件工业总公司时被调去参加组建工作。之后各任厂长干不了几年就换厂长，这样只顾短期经营，缺乏长期规划。不像无锡 742 厂从棉花巷开始，搬至大王基之后，一直发展到后来组成华晶公司，长期由王洪金担任厂长和总经理，对企业经营长期实行强有力的领导，后来又在四机部及之后电子部持续大力支持下，使企业有更大的发展。

第三，计划经济时代，国营工厂产生利润全部上缴国家，工厂需要技术改造时要立项申请批准后才能获到资金予以实施。据 878 厂财务科长说，计划经济年代 878 厂上缴利润曾达当初总投资额的 8 倍。但在改革开放后，上级单位中国电子器件工业总公司把大量资金投到深圳去了。而且，当四机部下决心上电视机时，广播电视处选择配套的集成电路生产点时，选中了位于无锡大运河旁、风景优美的锡山公园附近的 742 厂。从此部资金支持重点转向无锡 742 厂。之后 878 厂很难再取得部里资金支持。

第四，集成电路芯片业不进则退。 878 厂在投产 3 英寸线后，器件总公司曾从美国仙童公司引进一条 4 英寸二手设备线，三分之二给了甘肃 871 厂，三分之一给了 878 厂。但是当初 878 厂领导没有及时抓住搞技术改造，后来北京市领导决定组建北京燕东微电子联合公司时， 878 厂把 4 英寸设备投到燕东公司去了。这对 878 厂而言，失去了继续前进的机会。

第五，集成电路企业要长盛不衰，就要不断开发新工艺、研制新产品。 878 厂在技术科内曾设有新工艺组，也曾成立新品科，但是没有持之以恒。在由双极型电路往 MOS 型电路发展过程中，曾欲接产沈阳 47 所 6800 系列产品和 EPROM 产品，但从 47 所转来的 6800 系列各产品，除 6850 这一接口电路外，都没有全面达到性能参数指标，而不能定型投产； EPROM 在小净化车间投片多批，参数都达不到指标，在财会科周子学提议下停止再投片。工厂没能得到国内研究所的有效支持也是因素之一。

现在进一步思考，还有下列几个原因：

（一）当 1973 年 9 月中日恢复邦交一周年之际，我国组团赴日考察半导体产业，全团 14 人，团员一半为科技界，一半为产业界，集成电路制造厂只有 878 厂 2 名。参观的 8 家日本集成电路制造公司中，日本电气（ NEC ）当时就表示可以转让 3 类电路的技术和 3 英寸线成套工艺设备，为双极型数字电路和模拟电路，以及 MOS 电路。美元报价是 1 类电路 3000 万， 2 类电路 4000 万， 3 类电路 5000 万。回国后代表团向国防科委副主任钱学森作了汇报。可惜当时国家资金缺乏，项目资金只有 1500 万美元，又处于文化大革命中，正值四机部出“蜗牛事件”，江青批判王诤部长“洋奴哲学、爬行主义”之际。因此错失了这次从国外引进技术的机遇。

（二）在计划经济年代，所有项目都要经国家计委批准，每年由计委统一安排分配资金。当时 878 厂要上集成电路项目，跟着四机部里主管干部只能报到计委机电司副司长一级，到不了计委主任处，更到不了国家领导人那儿。而两弹一星则是党中央和国务院直接抓的重大工程。

（三） 1985 年国家试点体制改革，决定把电子工业部在全国各地直属的 170 家电子工厂下放到所属省、直辖市，只留下为电视机配套的陕西咸阳的 4400 厂和江苏无锡的 742 厂，前者生产显像管，后者生产电视机用集成电路，而仍保留各研究所归部直接管理。这样，在北京的 878 厂和 11 家 7 字头工厂全都下放到北京市。部内直属的其他集成电路厂（ 871 、 873 、 877 、 879 、 4433 厂）也都下放到所在省里。地方上的资金就远不如部一级。

（四） 1968 年 878 厂刚建厂时，第一批技术人员是从 774 厂（北京电子管厂）三室调来的 6 名大学毕业后工作才 2 ～ 6 年的年轻技术人员，他们在三室研制半导体器件，其中 3 人研制固体电路仅 2 ～ 3 年。还有当年到北京无线电工业学校共同筹建 878 厂时学校里的几名半导体学科老师和半导体车间几名技术人员。再加上一批刚分配来的大学毕业生，为清华、北大和南开三校。就凭这些技术人员与工人们的忘我劳动支撑起中国第一个集成电路专业化工厂的运转。既没有从国外留学回国的半导体专家，也没有国内大学教授和研究单位的研究人员。到后来引进 3 英寸线后，部里才从石家庄十三所调来俞忠钰（北大半导体第一届毕业生）担任总工程师，两年后又提为厂长。但当厂长两年尚未把大净化车间 3 英寸线进入大批量生产时就被上调去接任中国电子器件工业总公司总经理兼总工程师职务。 1987 年后为建设燕东公司，又从 878 厂调去一批企业领导和技术骨干。

总之， 878 厂的兴衰历史印证了钱学森在晚年说的一席话：《 60 年代我们全力投入“两弹一星”我们得到很多， 70 年代我们没有搞半导体，我们为此失去很多。》

2. 台积电 VS 燕东

台积电公司是由张忠谋创立，由他首先推行代工模式，不同于美国、欧洲和日本的 IDM 模式。

张忠谋，浙江宁波人。在美国德州仪器公司工作 20 年，位居第三位。 1985 年被邀到台湾，担任工业研究院院长，台积电公司成立后出任台积电总裁，后长期担任董事长，直至 2018 年退位，年龄高达 87 岁。

台积电为合资公司，荷兰飞利浦公司占股 27.5 ％，岛内公司占股 24.2 ％，台湾政府占股 48.3 ％。台湾政府用开发基金投了 1 亿美元。台积电从飞利浦转让来当时最先进的 2 微米制程技术，工艺起点高。当时试验采用代工模式是为了支持岛内 IC 设计公司，但后来证明可以进入国际舞台，为海外 IC 设计公司服务，乃至 IDM 公司，这是因为客户的产品设计可以得到较大的保障和较稳定的产能 ; 而自己不用设计产品，也不用去找产品的市场，只要专注于工艺技术的提高，因而受到客户订单的不断增多而带动产能不断增长的需求。这是台积电能快速发展壮大的根本原因。

台积电取得成功的原因除了从引进飞利浦技术之外，后来又得到美国 IBM 公司的技术授权和德州仪器公司技术团队的帮助，以及大量从美国引进人才，比如首任首席技术官胡正明是加州伯克利大学教授，以及其得意门生梁孟松，研发队长蒋尚义，康奈尔大学博士蔡力行，乔治亚工学院博士余振华等等。正是由于工艺技术起点高，又从美国大量引进人才，因此在技术水平上先是追随美国，逐渐逼近赶上进入先进行列，最后位居前茅引领全球。工艺从 3 微米起步， 1990 年达 1 微米， 2003 年达 0.13 微米，即 130 纳米（ nm ）， 2004 年达 90nm, 随后 65nm,45nm,40nm,28nm,20nm ， 2015 年达 16nm ， 2016 年达 10nm ， 2017 年达 7nm ， 2019 年进入 5nm ，预计 2021 年将进入 3nm 。

台积电如何从一个后来者战胜众多对手，成长为半导体领域的王者，这也得益于上个世纪 70 年代台湾当局所采取的产业政策。由于 1980