【可“长高”3D芯片：MIT开发无需硅晶圆基底的半导体制造方法】
#计算机芯片# 的晶体管密度正逐步接近物理极限，传统方法已难以在芯片表面继续增加更多晶体管。
因此， #芯片# 制造商开始将目光投向垂直叠加的全新方向，而不再局限于平面扩展。
这种方式类似于将平房改建成摩天大楼，通过将多个晶体管和半导体元件层叠起来，打造多层芯片。这种设计能处理远超现有电子设备的数据量，支持更多复杂功能。
然而，目前的一个关键挑战在于芯片的构建平台。笨重的 #硅晶圆# 仍是制造高质量单晶半导体元件的主要基底，但在传统架构下，每层都需要厚厚的硅“地板”，这会显著降低功能性半导体层之间的通信速度。
对此，MIT 工程师开发了一种无需硅晶圆基底的全新多层芯片制造技术。这种方法在低温条件下完成，能够保护底层电路的完整性，并突破传统硅基底带来的限制。目前，这项研究成果已发表在 Nature 上。
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#计算机芯片# 的晶体管密度正逐步接近物理极限，传统方法已难以在芯片表面继续增加更多晶体管。
因此， #芯片# 制造商开始将目光投向垂直叠加的全新方向，而不再局限于平面扩展。
这种方式类似于将平房改建成摩天大楼，通过将多个晶体管和半导体元件层叠起来，打造多层芯片。这种设计能处理远超现有电子设备的数据量，支持更多复杂功能。
然而，目前的一个关键挑战在于芯片的构建平台。笨重的 #硅晶圆# 仍是制造高质量单晶半导体元件的主要基底，但在传统架构下，每层都需要厚厚的硅“地板”，这会显著降低功能性半导体层之间的通信速度。
对此，MIT 工程师开发了一种无需硅晶圆基底的全新多层芯片制造技术。这种方法在低温条件下完成，能够保护底层电路的完整性，并突破传统硅基底带来的限制。目前，这项研究成果已发表在 Nature 上。
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