基于单层非晶MoO
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纳米片的痕量致癌芳香胺SERS检测
该研究团队成功制备了在可见光区域具有LSPR效应的单层非晶MoO
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纳米片,探究了电磁场增强与等离子体共振诱导的热电子转移(PIHET)之间的协同效应,成功应用于痕量致癌芳香胺分子的检测,并提出在具有LSPR效应的非晶半导体中EM-PIHET协同作用机制:等离子体共振向外辐射电磁场,产生电磁场增强效应(EM);同时,等离子体共振可以诱导界面的PIHET产生化学增强,进而实现具有可见光区域LSPR效应的非晶半导体基底中电磁场-热电子转移(EM-PIHET)协同效应。
对于R6G、MB、MO等多种探针分子,a-MoO
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比c-MoO
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具有更高的SERS性能(图1a-c)。这是由于a-MoO
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的无序结构中产生了大量氧缺陷,导致CB底部Mo
5+
的4d轨道中自由电子的积累。使其在可见光区域产生了明显的LSPR吸收(图2d),通过FDTD模拟发现a-MoO
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纳米片在633 nm激光激发下具有显著的电磁场增强,而c-MoO
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没有电磁场增强,如图2e-f所示。然而,从能级结构示意图可以看到,633 nm (1.96 eV)的激发光不足以满足带间激子跃迁或光致电荷转移(PICT),因此,该体系的化学增强来自于其他电荷转移过程。
图1. a-MoO
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和c-MoO
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的SERS性能(来源:
Angew. Chem.
)
通过瞬态吸收光谱(TA)证明了a-MoO
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与MO分子之间存在热电子过程,热电子对MO分子的LUMO能级产生扰动,进而放大分子极化率,实现了化学增强。进而提出了在具有可见光区域LSPR效应的非晶半导体中电磁场-热电子转移的协同效应。此外,通过ELF和DOS的模拟发现a-MoO
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具有比c-MoO
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更高的电子离域性和电子态密度(图2),有利于促进a-MoO
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与分子之间的PIHET过程。
图2. DFT理论模拟及电荷转移示意图(来源:
Angew. Chem.
)
最后,a-MoO
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被成功应用于致癌芳香胺分子的痕量检测,实现了超低的检测限(LOD = 10
-
9
M),并基于主成分分析(PCA)和层次聚类分析(HCA)实现了对多种具有相似结构的致癌芳香胺分子的鉴别(图3)。因此,单层非晶MoO
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在致癌芳香胺分子的检测中具有一定的应用前景,对于降低致癌分子接触风险具有重要意义。
图3. 单层非晶MoO
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对多种致癌芳香胺分子的SERS检测(来源:
Angew. Chem.
)
相关研究成果发表在
Angewandte Chemie International Edition
(DOI: 10.1002/ange.202407597),北京航空航天大学博士生
孟祥雨
为第一作者,博士后
余建
和天津理工大学
匙文雄
研究员为共同一作,北京航空航天大学
郭林
教授、
王晓天
教授、中国科学院宁波材料所
林杰
研究员为共同通讯作者。