Nat. Synth.：范德华表面上量子点的外延生长

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成果介绍

零维量子点(QDs)具有本征量子限制效应和尖锐的离散能级，被认为是量子信息器件的重要组成部分。当前的制造策略在组合设计或界面工程方面往往表现出有限的适应性。

有鉴于此，近日， 中科院半导体所翟慎强研究员，魏钟鸣研究员和刘峰奇（共同通讯作者）等提出了一种范德华(vdW)外延策略，通过调制vdW表面和量子点之间的界面耦合来生长本征量子点 。本文在不考虑晶格失配约束的情况下制备了通用的III-V(MX，M=Ga，In；X=As，Sb)和IV-VI(SnTe)量子点，使量子点具有更多的本征特性。本文进一步证明了生长的InSb量子点/MoS ₂ 在近红外区域表现出宽的光响应，这是由于它们的vdW界面上有效的电荷转移通道。本工作报道了一种量子点全固态外延的合成途径，有望扩大量子点的光电应用范围。

图文导读

图1. MoS ₂ 上InSb QDs的vdW外延。

图2. 在MoS ₂ 上生长InSb量子点的vdW外延机制的理论模拟。

图3. 晶片级FL云母上均匀分布的InAs量子点的vdW外延。

图4. vdW表面上III-V和IV-VI量子点的通用制备。

图5. InSb量子点/MoS ₂ 异质结的光电探测。

文献信息

Epitaxial growth of quantum dots on van der Waals surfaces

（ Nat. Synth. , 2024, DOI:10.1038/s44160-024-00562-0）

文献链接：https://www.nature.com/articles/s44160-024-00562-0

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