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【ICNET每日芯资讯】特朗普或周三已签署行政命令,虽未直接涉及华为却意指华为

IC交易网  · 公众号  ·  · 2019-05-16 16:50

正文

ICNET每日芯资讯

1.特朗普或周三已签署行政命令,虽未直接涉及华为却意指华为

2.长江存储将宣布Xtacking 2.0闪存技术 速度堪比DDR4内存

3.三星32 Gb DDR4内存芯片已经出样

4.外媒透露苹果英特尔合作失败内幕:矛盾从iPhone XS时已开始

5.MLCC需求转晴6月迎新单

6.华为P30拉动半导体供应链Q2出货


1.特朗普或周三已签署行政命令,虽未直接涉及华为却意指华为


特朗普周三已签署了一份行政命令,宣布国家进入紧急状态,禁止美国公司使用会造成国家安全风险的公司制造的电信设备,尽管该命令并未直接涉及华为,但为禁止与华为开展业务铺平道路。


这项行政命令援引了《国际紧急经济权力法》,该法赋予总统管理商业的权力,在应对威胁美国的国家紧急情况时,对商业进行监管。此外,该命令将指示商务部与其他政府机构合作,在150天内制定执行计划。


美国一直在积极推动其他国家不要在下一代5G网络中使用华为的设备,并称之为“不值得信任”。2018年8月,美国特朗普总统签署了一项新法案。作为《国防授权法案》的一部分,该法案禁止美国政府和政府承包商使用华为和中兴的部分技术。



2.长江存储将宣布Xtacking 2.0闪存技术 速度堪比DDR4内存


在今天举行的GSA Memory+高峰论坛上,长江存储联席首席技术官汤强表示,长江存储将在今年8月正式推出Xtacking 2.0技术。



据介绍,采用Xtacking技术,可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路,有利于选择合适的先进逻辑工艺,使得NAND获取更高的I/O接口速度及更强的操作功能。存储单元将在另一片晶圆上独立加工。当两片晶圆各自完工后,Xtacking技术只需一个处理步骤就可将二者键合接通电路,且成本增加有限。



汤强表示,目前世界上最快的3DNAND的I/O速度目标值是1.4Gbps,大多数NAND供应商仅能供应1.0Gbps或更低的速度。利用Xtacking技术,有望大幅提升NAND的I/O速度到3.0Gbps,提升三倍左右,相当于DDR4的性能。


此外,Xtacking还可实现更高的存储密度,在工艺上,研发时间可缩短三个月,能更快的适应上市时间。汤强最后表示,Xtacking依然处于不断进化之中,相信,Xtacking将是存储的未来!



3.三星32 Gb DDR4内存芯片已经出样


三星最近开始对其32 Gb容量的DDR4内存芯片进行出样,提升存储密度后的新产品将有助于DRAM封装厂更容易进行高容量存储器模块的生产。三星的32 Gb A-die DDR4-2666芯片由两个堆叠的16 Gb DDR4裸片组成,采用该公司的10纳米级工艺技术生产。



三星提供两种版本的32 Gb DDR4封装:一种采用2G x8结构,另一种采用1G x16结构。前者被存储器控制器视为两个DRAM存储器设备,而后者被视为一个设备。DDP(双芯片封装)采用标准78或96球FBGA外形尺寸,使用1.2V的工业标准电压。三星没有透露其32 Gb DDR4-2666 DDP的定价,但很明显它们将以比较高的价格出售,因为它们只能从三星获得,而且它们比SDP更难建造。




4.外媒透露苹果英特尔合作失败内幕:矛盾从iPhone XS时已开始


外媒The Information近期发表文章,探讨了苹果公司在5G芯片方面与英特尔的种种纠结,以及他们与高通重新建立合作关系的部分细节。根据报道,实际上苹果对英特尔的不满比之前的一些报告所提及的时间要早得多,在Phone XS、iPhone XS Max和iPhone XR那时候就已经开始了,而不仅仅是因为英特尔在5G芯片方面的落后。







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