Stem Cell Rep：中美科学家成功利用电场引导神经干细胞治疗脑损伤

近日，一项刊登在国际杂志Stem Cell Reports上的研究报告中，来自加利福尼亚大学等机构的研究人员通过研究发现，利用电场或能够引导神经干细胞移植到大脑中的特定位点，相关研究或为研究人员开发新方法来有效引导干细胞对大脑损伤修复提供新的思路和希望。文章中，研究者阐明了如何利用电场来指导伤口的愈合，损伤的组织能够产生微弱的电场，研究人员揭示了这些电场如何吸引细胞进入到伤口帮助愈合。

图片来源：Junfeng Feng

研究者Min Zhao教授表示，再生医学研究的需求之一就是如何有效安全地移动并且引导干细胞进入到损伤位点进行修复，由于干细胞没有有效迁移到损伤位点往往是开发有效临床疗法的一大障碍。来自上海仁济医院的研究者Junfeng Feng也是该研究的参与者，他们共同研究阐明了如何利用电场来引导干细胞植入到大脑中。

天然的神经干细胞位于大脑深处（脑室下区和海马体），其能够发育成为其它大脑组织；为了修复大脑皮层的损伤，这些细胞不得不进行一些远距离的迁移，尤其是在人类的大脑中，而移植的干细胞或许就需要进行迁移来寻找大脑损伤的区域。这项研究中，研究人员利用大鼠开发了一种干细胞移植模型，他们将人类的神经干细胞置于吻侧迁移流（rostral migration stream，RMS)中，吻侧迁移流是大鼠大脑中携带细胞进入嗅球的一种途径，而嗅球能够控制动物的嗅觉，细胞能够发生迁移部分是因为脑脊髓液的流动，部分是在化学信号的驱动下进行的。

通过在大鼠大脑中应用电场，研究者发现他们可以促进移植的干细胞抵御流体逆流而上在大脑中寻找其它位点，在治疗后这些移植的干细胞能够在新的位点停留数周或数月时间；最后研究者Zhao说道，在大脑中对干细胞进行电场“动员”和引导或许就能够为我们提供一种新方法来促进干细胞疗法对大脑疾病、中风和损伤进行治疗。

原始出处：Jun-Feng Feng, Jing Liu, Lei Zhang, et al. Electrical Guidance of Human Stem Cells in the Rat Brain. Stem Cell Reports (2017). DOI: 10.1016/j.stemcr.2017.05.035

Cell：细胞治疗领域观察者

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