【国信电子胡剑团队】华虹半导体：第四季度业绩符合指引，进入高资本开支投入期

剑道电子 · 公众号 · · 2024-02-28 10:05

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报告发布日期：2024年2月18日

报告名称: 《华虹半导体（01347.HK）-第四季度业绩符合指引，进入高资本开支投入期》

分析师：胡剑 S0980521080001 / 胡慧 S0980521080002 /

周靖翔 S0980522100001 / 叶子 S0980522100003

联系人：詹浏洋/李书颖/连欣然

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核心观点

4Q23营收和毛利率达指引，1Q24预计继续业绩筑底

公司发布未经审核业绩：4Q23实现销售收入4.55亿美元(YoY -27.8%，QoQ -19.9%)，毛利率为4.0%(YoY -34.2pct，QoQ -12.1pct)，均位于指引区间(营收4.5-5.0亿美元，毛利率3%-5%)。2023年公司总计实现销售收入22.86亿美元(YoY -7.7%)，毛利率降至21.3%(YoY -12.8pct)，母公司拥有人应占利润降至2.80亿美元(YoY -37.8%)。公司指引1Q24销售收入约4.5-5.0亿美元之间，毛利率约在3%-6%之间，与4Q23业绩相当。

MCU、电源管理、NOR等需求下降，4Q23出货量环比下降12%

4Q23付运折合8寸晶圆951千片(YoY -4.1%，QoQ -11.7%)，产能利用率为84.1%(YoY -19.1pct，QoQ -2.7pct)。其中8寸晶圆收入2.51亿美元(YoY -36.9%，QoQ -16.2%)，产能利用率91.0%(YoY -14.9pct，QoQ -4.3pct)；12寸晶圆收入2.70亿(YoY -27.7%，QoQ -24.2%)，产能利用率77.5%(YoY -9.1pct，QoQ -2.7pct)。当前MCU、电源管理、智能卡、NOR等需求下降，IGBT及CIS需求增长。2023年公司总计付运折合8寸晶圆4103千片(YoY +0.4%)，产能利用率94.3%(YoY -13.1pct)。

无锡新厂预计2024年底投产，公司进入高资本开支投入期

4Q23公司资本开支1.94亿美元，其中华虹8寸0.29亿美元、华虹无锡1.22亿美元、华虹制造1.81亿美元。截至4Q23末，公司折合8英寸月产能增加至39.1万片，其中华虹无锡已到达到9.45万片12寸晶圆的月产能；华虹无锡制造项目建设阶段在按计划推进中，预计将于2024年底建成投片，形成1.5-2万片12寸月产能，于3Q25完成第一阶段即4万片月产能建设，并在三年内逐步形成8.3万片12寸晶圆的月产能。因此我们预计公司2024年-2026年资本开支将显著提升，两座新晶圆产线陆续投产亦带来显著折旧提升。

风险提示

下游需求放缓；新工艺导入不及预期；扩产不及预期。

国信电子团队

胡剑： 电子行业首席分析师，复旦大学电子系学士，复旦大学世界经济系硕士，法国EDHEC商学院交换生。2021年8月加入国信研究所，之前任华泰研究所消费电子行业首席，2018年第一财经最佳分析师电子行业第3名，2019年证券时报金翼奖分析师电子行业第2名，2019年II China科技行业入围，2019年新浪财经金麒麟新锐分析师电子行业第1名，2020年II China科技行业第2名。（执业资格编号：S0980521080001）

胡慧： 电子行业高级分析师，上海财经大学会计学士，北京大学物理博士，CPA、CFA，发表多篇SCI论文，并获得1项国家发明专利，2021年8月加入国信研究所，之前任华金研究所电子组长，主要覆盖半导体板块。（执业资格编号：S0980521080002）

周靖翔： 美国犹他大学计算机工程硕士学位，电子工程学士学位，应用数学学士学位。2021年10月加入国信研究所，拥有5年半导体行业研发经验，曾先后就职于中芯国际和华为海思，参与多项国内领先半导体工艺开发及全球领先SoC芯片开发项目。（执业资格编号：S0980522100001 ）

叶子： 北京师范大学化学学士，香港中文大学材料科学与工程博士，香港中文大学物理系博士后，南方科技大学深港微电子学院访问学者，研究领域包括半导体物理与薄膜沉积技术、光电化学等；2020年加入国信证券，国信证券应用经济学博士后，主要覆盖半导体板块。（执业资格编号：S0980522100003）

詹浏洋： 清华大学电子工程系工学学士、硕士，清华大学经管学院经济学学士(第二学位)，中级经济师(金融专业)。曾参与国家高技术研究发展计划(863计划)科研项目，发表SCI论文1篇，并赴国外参加相关学术会议报告。2022年6月加入国信研究所，之前任华润置地投资管理主管。（执业资格编号：S0980122060008）

李书颖： 香港中文大学（深圳）统计学学士，悉尼大学金融硕士，2022年8月加入国信研究所。（执业资格证：S0980122080309）

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