专栏名称: 高分子科学前沿
高分子界新媒体:海内外从事高分子行业及研究的小分子聚合起来
目录
相关文章推荐
高分子科技  ·  青科大华静教授团队 Angew/Chem. ... ·  昨天  
高分子科学前沿  ·  东方理工申清臣课题组招博士生 ·  2 天前  
高分子科技  ·  北科大王东瑞教授课题组 ... ·  4 天前  
高分子科技  ·  NTU夏焜/清华大学高华健/浙江大学王冠楠 ... ·  3 天前  
高分子科技  ·  扬州大学吴德峰教授团队 ... ·  5 天前  
51好读  ›  专栏  ›  高分子科学前沿

南理工翟腾、南工大孙硕AM:“神兽”归笼——硼基官能团增强卤素键提升金属-碘电池稳定性

高分子科学前沿  · 公众号  · 化学  · 2025-03-20 07:25

正文

【研究背景】

得益于氧化还原反应的高理论比容量和高天然丰度,碘在能源存储领域中引起了极大关注。然而实际应用中,溶解的碘单质及多碘离子(I 3 /I )“神兽”们在非水或水系电解液中极易产生穿梭效应(shuttle effect),使得基于碘的氧化还原反应的电池(如金属-碘电池)的寿命快速衰减。

为应对碘的穿梭效应,前期研究已通过物理或物化方法将I 2 /I 3 /I “神兽”们束缚在电极表面。但是这种策略受限于电极表面积,无法在电极表面以外的区域限域I 2 /I 3 /I ,因而高载量碘正极的发展尚有空间。

【研究概述】

近日, 南京理工大学 翟腾教授 与南京工业大学 孙硕教授 提出了 一种基于增强卤素键的应对碘的穿梭效应策略。该策略通过功能化电极表面,增强碘分子之间的卤素键,实现了束缚电极表面和近表面区域的碘分子,大幅提升了金属-碘电池的循环稳定性

A close up of a website

AI-generated content may be incorrect.

他们的设计思路来源于多碘离子(I 3 到I 29 )相互结合倾向强,可通过卤素键(XB)形成链状结构。卤素键表示为R−X∙∙∙B,其中与R−基团共轭的卤素原子(X)作为XB电子供体,B为XB电子受体。卤素键的键能可达~150 kJ mol −1 ,远高于固体碘中的伦敦色散力(0.05 - 40 kJ mol −1 ),与弱共价键的键能相近。此外,R基团的吸电子能力越强,则XB键能越大。

图1. Na-I 2 电池中可溶性I 2 /I 3 /I 限域机理图

具体而言,研究者们将缺电子B元素引入R基团。他们在多孔碳纤维电极表面上引入−B(OH) 2 。B和O之间电负性差异大,导致−B(OH) 2 中两个羟基的稳定性降低,使其在含碘电解液中容易发生单取代反应生成–B(OH)I 3 官能团,从而将I 3 锚定在电极基底HOCF表面。

更重要的是,–B(OH)I 3 与I 2 之间形成卤素键,进一步强化了HOCF表面附近的多个I 2 分子之间的相互结合(图1),形成了具有强结合性质的HOCF/I 2 正极(HOCF–BI n ),可用于高性能金属-I 2 电池。

在Na-I 2 电池中,HOCF–BI n 表现出优异的循环稳定性(在1 A g –1 下循环充放电5000次后容量保持率78%)和低自放电率(48小时自放电26%)。通过电极表面的官能团调控I 2 与多碘化物中的增强卤素键,是一种制造稳定、低成本金属-碘电池的新途径。

南京理工大学 夏晖教授 兰司教授 为本工作的共同通讯作者, 杨洪烨 为共同一作。

【数据速览】

图2. 电极HOCF–BI n 的形态和结构表征。a. HOCF–BGs(未负载碘)和HOCF–BI n 样品的扫描电子显微(SEM)图;b. HOCF–BGs样品的透射电子显微(TEM)图;c. HOCF–BGs和HOCF–BI n 样品的高分辨透射电子显微(HR-TEM)图;d. HOCF–BGs和HOCF–BI n 样品的孔径分布曲线。插图为HOCF–BGs和HOCF–BI n 样品的孔径分布对比。

图3. HOCF–BI n 化学作用分析。a. 装有HOCF–I 2 和HOCF–BI n 样品(0.5×0.5 cm²)的密封瓶,样品在1 M NaClO 4 的EC/DEC(1:1,v/v)溶液中浸泡24小时,溶液中含5 wt% FEC。为对比,添加了含有相似碘含量的相同溶液;b. HOCF–BGs和HOCF–BI n 的固态核磁共振氢谱;c. HOCF–I 2 和HOCF–BI n 样品的拉曼光谱;d1. 对HOCF–BGs和HOCF–BI n 中X射线PDF [Tr]峰的高斯线性组合拟合结果;d2. HOCF–I 2 和HOCF–BI n 样品在3.2~4.0 Å范围内的G(r)图;e 1 . HOCF–BI n 中XB键形成机制示意图;e 2 . HOCF–BI n (n=7)的静电势分布。ESP表示静电表面势,红色区域代表电子贫乏区,蓝色区域代表电子富集区。

图4. HOCF–BI n 正极电化学性能表征。a. HOCF–I 2 和HOCF–BI







请到「今天看啥」查看全文