4月18日,SK海力士半导体(中国)有限公司无锡二工厂扩建项目(C2F)正式竣工,意味着SK海力士将成为全球单体投资规模最大、月产能最大、技术最先进的10纳米级DRAM产品生产基地。
此次竣工的SK海力士二工厂建筑面积达58000平米,新增总投资86亿美元,其中16亿美元用于新建33000平米洁净厂房及其附属配套设施、70亿美元用于购买全球最先进的半导体生产设备。
SK海力士二工厂部分洁净厂房工程现已完成,搬入装备后就将开始DRAM的生产,剩余洁净厂房工程与装备入库时间将视市场情况而定。
SK海力士无锡负责人姜永守表示:
“SK海力士二工厂的竣工确保了我们的中长期竞争力。
而且,SK海力士二工厂将与原有的工厂进行联合运营,从而将生产、运营效率增至最大。
”
SK海力士CEO李锡熙在致欢迎辞时表示,SK海力士将以C2F为基础,逐步将无锡法人发展成为SK海力士中国事业的战略基地,也将通过构建具有社会价值的基础设施,开展多层次的合作。
今年3月,他也曾在一次活动中提到:
截至去年底,SK海力士已投资34亿美元用于二工厂建设,剩下的计划在今后的三到四年内集中进行。
目前,SK海力士二工厂顺利竣工,生产的第一批晶圆片具有非常好的良率,二工厂计划今年五月正式投入量产。
二工厂全部投产后,SK海力士将形成月产18万片12英寸晶圆的产能,年销售额也计划达到33亿美元。
目前,SK海力士占有中国DRAM约35%的市场份额。
待SK海力士二工厂投产后,这一份额将超过45%。
这也意味着,SK海力士将成为全球单体投资规模最大、月产能最大、技术最先进的10纳米级DRAM产品生产基地。
随着二工厂项目的持续推进,SK海力士半导体(中国)有限公司新招纳1800名高新人才,未来无锡工厂的人才规模将达到5000名,生产工艺将达到世界最尖端的10纳米技术。
销售额也将大幅提升,至此无锡工厂将承担SK海力士存储半导体生产总量的一半份额。
SK海力士自2005年在无锡投产以来,累计投资额超105亿美元(不含SK海力士二工厂),已成为江苏省单体投资规模最大、技术水平最高、发展速度最快的外资投资企业,更成为韩国高科技企业在中国、江苏投资合作经营的成功典范。