【东北钢铁赵丽明】微导纳米（688147）深度报告：深耕ALD用于光伏半导体，步步为营推出CVD设备

公司 是一家面向全球的半导体、泛半导体 高端微纳装备 制造商。 公司 形成了以原子层沉积（ ALD ）技术为核心， CVD 等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系，专注于先进微米级、纳米级薄膜设备的研发、生产与应用， 已开发出适用于光伏、半导体等应用领域的多款薄膜沉积设备，涵盖 ALD 、 PEALD 二合一、 PECVD 系列产品，并提供配套产品及服务 。

ALD 技术广泛适用于不同环境下的薄膜沉积。 CVD 与 PVD 工艺 存在厚度控制和膜层均匀性的问题， 生成的 膜很难 突破 10nm 以下的厚度极限。此外， 在深宽比达到 10:1 以上时， CVD 与 PVD 工艺无法保证下游工艺需要的近 100% 覆盖率的技术要求。与之相比，由于 ALD 技术的表面化学反应具有自限性，因此拥有优异的 三维共形性 、大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点，在光伏、半导体、柔性电子等新型显示、 MEMS 、催化及光学器件等诸多高精尖领域均拥有良好的产业化前景。

薄膜沉积设备是太阳能电池片制造环节的关键设备，其制备的薄膜直接影响电池片的光电转换效率。 TOPCon 、 HJT 等 N 型电池进入规模化推广应用阶段，根据电池不同工艺和所需的薄膜性质，所采用的薄膜沉积设备会有所不同。 TOPCon 电池生产线除原钝化和 减反膜 的沉积需求外，还增加了隧穿层和掺杂 多晶硅层镀膜 需求。 HJT 电池制造环节中的非晶硅沉积设备和透明导电薄膜设备均需要用到薄膜沉积设备。未来，随着 N 型电池技术的不断成熟，将会催生出更多的设备需求，薄膜沉积设备在 N 型 电池产线建设 中的投资比重也有望增加。

晶 圆制造 环节中，薄膜沉积设备制备的各类薄膜发挥着导电、绝缘、阻挡污染物等重要作用，直接影响半导体器件性能。 公司半导体设备在新型存储和硅基 OLED 领域已取得开创性进展 ， 客户类型涵盖了逻辑、存储、化合物半导体、硅基 OLED 等。未来， 制程的 不断提高以及存储技术、新型半导体材料制备技术和多重曝光技术的快速发展，将对薄膜沉积设备产生更多的需求。

盈利预测与投资评级： 预计 2024-2026 年公司营业收入分别为 39. 99 / 50.17 / 57.15 亿元， 归母净利润 分别为 5. 86 /7. 71 /9. 86 亿元。公司新签订 单快速 增长，半导体设备持续突破，盈利能力有望提升，给予公司“买入”评级。

风险提示： 产品验证进度不及预期的风险；产品需求不及预期的风险；市场竞争激烈导致产品价格下降的风险；业绩预测和估值判断不及预期的风险。