【日程更新】衬底、外延及生长装备分会：问道先进工艺装备进展，探讨材料强国之新路径

科技强国，第三代半导体材料成为中国高科技产业的重要关注点，在国家政策的扶持和新基建引领下，第三代半导体产业也将成为未来半导体产业发展的重要引擎。

2020年11月23-25日，第十七届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2020）暨2020国际第三代半导体论坛（IFWS 2020）将在深圳会展中心举行。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办。南方科技大学与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办。

碳化硅、氮化镓是重要的第三代半导体材料。在大功率高频器件中具有重要的应用，其材料水平直接决定了器件的性能。作为论坛的重要组成部分，本届“衬底、外延及生长装备”分会主题涵盖碳化硅和GaN生长材料、衬底、同（异）质外延薄膜、测试表征和相关的设备，将特别邀请国内外知名专家参加，对SiC和GaN从机理到工业化进程进行系统的探讨。

其中，北京大学物理学院教授、理学部副主任沈波，山东大学教授、晶体材料国家重点实验室副主任徐现刚领衔担任本届分会主席，中国科学院苏州纳米所研究员徐科、中科院长春光机所研究员黎大兵、河北工业大学教授毕文刚、中电科装备集团有限公司首席技术官王志越、中微公司高级副总裁杜志游，北方华创科技集团股份有限公司副总裁、首席科学家吴军，江苏南大光电材料股份有限公司技术总监杨敏等来自产业链不同环节的中坚力量共同担任分会委员，提供坚实的支持。

期间，日本名古屋大学教授宇治原彻将带来关于CFD模拟预测系统在SiC生长中应用的精彩报告。澳大利亚格里菲斯大学昆士兰微纳米技术中心研究员Jisheng HAN将分享关于SiO2/SiC界面的物理机制的研究成果。沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学副教授Iman S. ROQAN将做关于原位无位错多晶GaN层在宽范围衬底上生长高效率的无催化剂GaN纳米线的分享。中微半导体设备（上海）股份有限公司副总裁兼MOCVD产品事业部总经理郭世平将分享AMEC用于绿色和蓝色微型LED的MOCVD开发新进展。苏州纳米技术与纳米仿生研究所副研究员张璇带来关于二次注入和活化退火提高室温铝注入剂量的报告。深圳大学副教授刘新科将带来“大面积MoS2-on-GaN范德华异质结的光子器件应用”的报告。江苏南大光电材料股份有限公司CTO/副总裁杨敏分享“新材料研发助力中国第三代半导体”的报告。北京大学物理学院高级工程师杨学林将分享“硅基氮化镓厚膜外延技术及碳杂质相关缺陷物理研究”。广州南砂晶圆半导体技术有限公司研发中心主任、山东大学副教授彭燕将做“SiC单晶材料及产业化进展”的主题报告。

本届论坛紧扣国家“新基建”、“十四五”等前瞻利好政策，以“把握芯机遇·助力新基建”为主题，届时两场国际性盛会同台亮相，先进技术热点高度聚焦，政产学研用行业领袖齐聚，共商未来产业发展大计。

11月23-25日，深圳见！

问道先进工艺装备进展

探讨材料强国之新路径

“衬底、外延及生长装备技术分会”

时间：2020年11月25日上午08:30 -12:00

地点：深圳会展中心·五层玫瑰厅2

【日程安排】

（备注：请以会议当天日程为准。）

【部分嘉宾】

 沈波  

北京大学理学部副主任、教授

沈波，男，1963年生，江苏扬州市人，北京大学理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任、物理学院长江特聘教授、国家杰出青年基金获得者、基金委创新研究群体带头人，国家973计划项目首席科学家、国家863计划“半导体照明”重点专项总体专家组成员、国家863计划“第三代半导体”重点专项总体专家组组长、国家“战略性先进电子材料”重点专项总体专家组成员，享受国务院特殊津贴。先后在南京大学、中国科技大学和日本东北大学获得学士、硕士和博士学位。曾任日本东京大学产业技术研究所研究员，东京大学先端科技研究中心、千叶大学电子学与光子学研究中心客座教授、日本产业技术综合研究所访问教授。

1995年迄今一直从事III族氮化物（又称GaN基）宽禁带半导体材料、物理和器件研究，在GaN基量子结构的MOCVD外延生长、强极化/高能带阶跃半导体二维电子气输运性质、 宽禁带半导体缺陷物理、GaN基微波射频器件和功率电子器件、AlGaN基深紫外发光材料和器件等方面取得了在国内外同行中有一定影响的研究成果。先后主持和和作为核心成员参加国家973计划、863计划和自然科学基金重点项目等20多项国家级科研课题，先后与华为、京东方、彩虹集团、广东光大集团和中国电科13所、55所等企业开展了一系列科研合作。迄今发表学术论文300多篇，论文被引用4000多次，获得/申请国家发明专利50多件，在国内外学术会议做大会和分会邀请报告20多次， 多次担任国际学术会议顾问委员会、程序委员会、组织委员会主席和委员，先后获国家技术发明二等奖、国家自然科学二等奖、江苏省科技进步一等奖和教育部科技进步一等奖。部分研究成果实现了产业化应用，并产生了显着的经济和社会效益。

徐现刚   

山东大学教授

晶体材料国家重点实验室副主任

1992年获得山东大学凝聚态物理博士学位，师从于蒋民华院士。2000年留美回国-至今，获教育部特聘教授，2000年度国家杰出青年科学基金获得者，973首席科学家，主要从事半导体材料制备及其应用研究的工作。 

自1989年至今一直从事MOCVD化合物半导体薄膜材料的生长及器件应用工作，制备出多种量子异质结构材料，应用到多种半导体器件如：半导体激光器、发光二极管等。积极响应国家号召，践行产学研结合，把科技创新的成果产业化；自2000年开始SiC单晶生长和加工工作，先后突破了2~6英寸SiC单晶的生长与衬底加工技术，解决了超硬SiC单晶衬底的加工难题，制备出基于SiC衬底的GaN超高亮度发光二极管。

先后承担了多项863、973、国家重大专项等课题。获得多项表彰和奖励，如1995年洪堡学者， 1999年在美国获得由IEEE颁发的Best Paper Award，2000年获得“国家杰出青年基金”，2003年“山东省科技进步一等奖”、“山东省留学回国创业奖”，2005年获“山东省十大杰出青年”，2007年获“政府特殊津贴奖”，2013年获得“山东省技术发明一等奖”等。至今已发表超过150篇相关论文及会议报告。

宇治原彻

日本名古屋大学教授

宇治原教授1993年本科毕业于京都大学的工学院，并于2000年取得京都大学工程学博士学位。1999年至2004年，他在日本东北大学材料研究中心任职助理教授。2004年他加入名古屋大学，在研究生工程院任副教授。目前他是名古屋大学未来电气可持续材料及系统研究所教授。

宇治原教授现在的专业领域包括晶体生长、溶液生长、汽相生长、碳化硅、功率器件、太阳能电池、半导体光电、旋转观察、生物设备、半导体质膜混合器件和脂质二重层。研究领域包括应用材料科学、晶体工程、电子材料、电气材料和金属的物理性质。

Jisheng HAN  

澳大利亚格里菲斯大学

昆士兰微纳米技术中心研究员

于1984 年和1989 年在中国山东大学取得固体物理专业学士和硕士学位，1999 年在澳大利亚南澳大学取得材料学博士学位。

1984 年至1995 年期间在山东大学任教，1995-1996 年在澳大利亚University of New South Wales 材料科学与工程系担任Research Fellow，1999-2020年在澳大利亚Queensland Microtechnology Facility 担任Research Fellow, Senior Research Fellow and Principle Research fellow, 此外，2006 年开始Jisheng Han还主持了QsSemiconductor (Australia) Pty Ltd 公司工艺研发工作。

Jisheng Han在材料科学、传感器研究和半导体等方面具有二十多年的丰富经验，担任10多家国际期刊的评论员包括Science Report, IEEE Transaction on Electron Devices, Electron Devices Letters etc.  2002年，成功制造出SiC MOSFET器件，并研究出基于SiC低成本肖特基二极管。

近年来，在包括IEEE，应用物理期刊等多家期刊出版物发表文章近百篇，出版了多本SiC方面的书籍。培养出数十名博士研究生，并拥有多项中国和美国专利，其在SiC领域的研究获得了国家基金，风险投资及格里菲斯大学的数百万澳元资金支持。

Iman S. ROQAN

沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学副教授

Iman Roqan从沙特阿拉伯Umm-Al-Qura大学的物理系毕业后，从英国圣安德鲁斯大学和赫瑞瓦特大学获得了物理学的光子学和光电子器件硕士学位。然后，她获得了博士学位。她于2008年获得英国苏格兰斯特拉斯克莱德大学的物理学博士学位。在攻读博士学位期间，她获得了多个英国物理研究所（IOP）以及其他一些协会奖项。自2009年以来，她一直是阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）创始教授，并且是KAUST半导体和材料光谱学小组的负责人。她曾在伦敦帝国学院（Imperial College London）任教5年，并在斯特拉斯克莱德大学（University of Strathclyde）任教2年。

Roqan教授是沙特阿拉伯第一位在沙特阿拉伯建立国际实验室的沙特阿拉伯，她致力于独特的高度复杂的超快光谱系统。此外，她在光电子器件的半导体和材料光谱学方面拥有丰富的经验。后来，她在宽带隙半导体的增长和器件制造方面进行了研究。

Roqan教授在沙特阿拉伯以及美国，英国，欧洲，中国和日本的国际机构和公司内部发起了许多成功的合作。她在物质-光相互作用的超快激光器方面的知识和经验使她能够探索新方法来生长高质量半导体纳米结构，例如GaN和ZnO纳米线以及用于光电应用的纳米管。

Roqan教授已在高影响力的同行评审期刊上发表了100多篇论文，并拥有11项美国专利。她被邀请参加许多国际会议以及在欧洲组织会议。她还是中东和KAUST唯一获得美国物理学会和美国物理学教师协会极负盛名的教学奖的人，该奖旨在通过教学提高对物理学的理解和欣赏。她接受培训的所有中学生都参加了每年在美国举行的ISEF和SWEEEP等国际比赛。她的学生是2013年获得沙特阿拉伯物理学类ISEF奖第一名。Roqan教授是IEEE的高级成员和多个国际协会的成员，如物理研究所民选议员和美国物理学会的成员以及材料研究学会。

郭世平  

中微半导体设备（上海）股份有限公司

副总裁兼MOCVD产品事业部总经理

郭世平博士现任中微公司副总裁兼MOCVD产品事业部总经理，主要从事MOCVD设备的开发和管理工作。郭世平博士具有30多年从事化合物半导体材料外延工艺开发、设备研发及营运的经验，2001年至2006年历任美国EMCORE公司研究员、资深研究员，2006年至2012年在美国IQE-RF公司历任资深研究员、氮化镓部门营运和研发总监，主要从事氮化镓晶体管和发光材料MOCVD外延生长的研发和营运工作。

他于1991年从中国科学技术大学硕士毕业，1994年在中国科学院上海技术物理研究所博士毕业并留所工作，1995年获晋升为副研究员，从事红外探测器MBE外延工艺研究。1996年他赴日本东北大学访问并从事纳米材料研究。1998年至2001年他在美国纽约市立大学从事博士后工作。现已发表一百多篇论文，并拥有近20项专利，1997年获上海市科技进步一等奖。

刘新科

深圳大学副教授

新加坡国立大学访问教授，长期从事宽禁带氮化镓以及氮化镓异质结的半导体器件研究，在Adv. Mater., Adv.Funct.Mater., Adv. Electron. Mater. IEEE EDL, IEEE TED，APL等知名期刊发表第一或通信作者SCI收录论文80篇，申请专利50项，授权专利9项（含3项PCT和1项美国专利), 科研成果被Semiconductor Today，MaterialsviewChina多次报道，科研成果被Photonic Research 和Advanced Electronic Materials选为封面文章。目前承担国家科技部重点研发计划课题和任务各一项、国家自然科学青年和面上科学基金各一项、广东省科技计划项目一项、广东省重点研发计划课题三项，深圳市基础研究布局一项、深圳市技术攻关一项等10多项科研项目。

杨学林

北京大学物理学院高级工程师

北京大学物理学院高级工程师，国家优秀青年科学基金获得者。先后在吉林大学和北京大学获学士和博士学位，东京大学博士后。近年来在Si衬底上GaN基材料的MOCVD外延生长、C杂质的掺杂调控、缺陷影响电子器件可靠性的机理研究等方面取得了多项进展。迄今在PRL、AFM、APL等期刊上共发表SCI论文70多篇，在本领域国内外学术会议上做邀请报告10多次，申请/授权国家发明专利10多件。

彭  燕

广州南砂晶圆半导体技术有限公司研发中心主任

山东大学副教授彭燕

彭燕，凝聚态物理博士，山东大学副教授/博士研究生导师，广州南砂晶圆半导体技术有限公司研发中心主任。2011年6月毕业于山东大学，同年加入晶体材料国家重点实验室工作。2017-2018年在美国田纳西大学做访问学者。主要从事宽禁带半导体材料研究工作，重点研究SiC、金刚石材料的制备、表征及应用研究，先后主持、参与国家基础研究计划、973、核高基及自然科学基金项目等10余项，发表SCI论文40余篇，申请/授权专利近30项。

【会议设置】

PART 1：全体大会

P101：开幕大会

PART 2：技术分会

P201：衬底、外延及生长装备  点击查看

P202：功率电子器件及封装技术（点击氮化镓专场+碳化硅专场）

P203：微波射频与5G移动通信  点击查看

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