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电子科技大学王曾晖、夏娟、朱健凯、徐博等《中国科学:信息科学》:基于二维半导体ReSe2的高频-超高频纳米机电谐振器

低维 昂维  · 公众号  ·  · 2024-09-18 17:34

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《中国科学:信息科学》英文版 (SCIENCE CHINA Information Sciences ) 近日发表了电子科技大学的研究成果,文章题为“ HF-VHF NEMS resonators enabled by 2D semiconductor ReSe 2 ,于 2024 年第 67 卷第 10 期刊出。电子科技大学王曾晖、夏娟、朱健凯、徐博为通讯作者;电子科技大学基础与前沿研究院为第一完成单位。该研究得到了国家杰出青年科学基金、国家自然科学基金原创探索计划等项目的支持。

二维半导体为构建新型纳米器件提供了大量的机会,作为其中的代表二硒化铼 ReSe 2 已在二维激光、晶体管和光电探测器等领域取得了一系列进展。研究 们通过干法转移技术,制备了从单层到超百层的 30 余个圆形 ReSe 2 鼓膜谐振,器件工作在高频 - 超高频范围。在进一步对器件谐振的实验数据进行总结和分析后,研究人员们成功确定了二维 ReSe 2 晶体的杨氏模量为 110 GPa ,并确立了 ReSe 2 纳米机电器件的频率设计规律。上述成果有望为新型 ReSe 2 纳米器件的设计及其应用提供重要的指导,并推动二维 ReSe 2 纳米机电器件的发展。

ReSe 2 的晶体结构,基于 1-3 ReSe 2 材料的纳米机电器件,及此类器件的频率设计规律和二维 ReSe 2 晶体的杨氏模量提取。

【论文链接】
https://doi.org/10.1007/s11432-024-4047-2

,以及各种测试分析,







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