专栏名称: 半导体行业观察

半导体行业第一垂直媒体，30万半导体精英的共同关注！实时、专业、原创，专注观察全球半导体行业最新资讯、技术前沿、发展趋势。欢迎订阅摩尔精英旗下更多公众号：摩尔精英MooreRen、摩尔芯闻MooreNEWS

美光2017年规划曝光，64层3D NAND Flash在列

半导体行业观察 · 公众号 · 半导体 · 2017-02-05 12:32

正文

在Micron 2017年度的分析师会议上，这家公司给出一些方向与目标。没有任何新产品公布，但2017年Micron这家公司的产品规划可能有一个大致方向，同时也包含下一代GPU用存储的规划。

2016年，Micron与Intel的合资企业成为第二家供应3D NAND Flash的公司。当时32层的第一代3D NAND Flash已经在不少产品上导入，现在开始进入64层3D NAND Flash。然而，现阶段64层3D NAND Flash在采样阶段，预计要到2017年才会进入大量生产阶段。

512Gb的64层3D TLC NAND Flash是Micron的重点之一，但Micron也会提供256Gb的3D TLC NAND Flash。

有趣的是，256Gb TLC NAND Flash的尺寸为59mm²，或者是4.3 Gb /mm²;相比于其他竞争品牌的64层3D NAND Flash，面积要小了25％左右。

此外，Micron也在QLC NAND Flash部分有所投入，但他们没有对此揭露太多资讯。

存储部分，主要是GPU用的GDDR6以及制程的推进。

Micron预期会在2017年开始使用16nm（1Xnm）生产GDDR5存储，但确认时间不详，另外1Ynm与1Znm的制程也在进行中，其中1Ynm会率先导入，时间点在2017下半年。 SK Hynix在HBM存储的布局，Micron似乎没有任何回应，但这家公司在GDDR5X与GDDR6有着相当深的投入。