今日芯品：村田超小尺寸的编码器开关micro ES 即将量产

村田制作所成功研发出超小尺寸的编码器开关micro ES，并已开始提供样品，该产品的量产开始时间预计为2017年12月。预计该产品将主要用于智能手表、蓝牙耳机、智能眼镜等设备上。

作为擅长提供小型、超小型产品的元器件供应商，村田在与许多可穿戴设备客户的沟通中，了解到可穿戴设备上需要小型且具有优越操作性的用户界面。Micro ES就是基于这一背景，通过精密加工技术和模块化技术，将增量型旋转编码器和轻触开关一体化，在3.4✕3.2✕2.3mm（除去突起部位）的超小型尺寸上实现点击感、两相脉冲输出和按压开关功能，来满足可穿戴客户的实际需求。

2017年12月26日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳推出基于恩智浦（NXP）和英飞凌（Infineon）产品的快速充电解决方案。

随着快充电源的普及，享受了快充的便捷之后，用户们开始逐渐摈弃普通速度充电的电源，无线充电大规模应用的趋势已经十分明显。大联大品佳此次推出的NXP和Infineon快速充电方案包括：

1.TEA1901SCP直接充电接口控制器/TEA1905x USB-PD/Quick Charge接口控制器---它是市场上率先将USB PD3.0和Quick Charge2.0、3.0组合在一起的产品之一。其可与TEA1936x和TEA199x配合使用，通过小型手机壁式充电器提供高能效，采用行业最新的接口协议，而无需使用复杂的技术。TEA1901SCP直接充电接口控制器结合了各种先进的快速充电协议，为电池和系统提供广泛的电压和电流调节回路与保护。

2.Infineon BSZ086P03N3C MOSFET，这款Infineon的OptiMOS™ P通道电源MOSFET设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的AEC标准。应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和eMobility。

3.Infineon的IPAN65R650CE是650V，650mΩ，10.1A，N沟道功率MOSFET，它属于Infineon的CoolMOS™ CE高压功率MOSFET的技术平台，根据超结原理（SJ）设计，旨在满足消费者的需求。随着产品系列的扩大，英飞凌推出了500V、600V、650V、700V、800V和900V的高压MOSFET。

图示1-大联大品佳推出的基于NXP和Infineon产品的快速充电解决方案系统方案图

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