传三星V10 NAND将采用长江存储晶栈®Xtacking®技术

据韩媒报道，2月24日消息，三星已与长江存储（YMTC）达成专利许可协议，涉及3D NAND闪存中的混合键合技术。 根据协议，三星将从第10代V-NAND（V10）开始，采用长江存储的专利技术，以解决高堆叠层数下的可靠性问题，并加速下一代产品的量产进程。

此前，三星在NAND生产中主要采用COP（Cell on Peripheral）技术，其中外围电路放置在一个晶圆上，而单元堆叠在其上方。然而，随着层数超过400层，底层外围电路压力导致可靠性下降，因此需要采取替代方案。

据悉，长江存储的晶栈®Xtacking®技术是一种创新的三维NAND闪存架构，旨在提高存储密度、I/O接口速度和生产效率。该技术通过在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元，然后通过金属互联通道（VIA）将两片晶圆键合在一起，从而实现更高的存储密度和更快的I/O速度。

图源：长江存储

2018年，长江存储首次推出晶栈®Xtacking®技术，并在同年发布了基于该技术的64层三维闪存产品。

2020年，基于晶栈®Xtacking®架构的64层三维闪存产品实现量产，并获得“年度技术突破奖”。

2022年，晶栈®Xtacking® 3.0技术发布，搭载该技术的第四代TLC三维闪存X3-9070在更小的芯片中实现了1Tb的存储容量和高达2400MT/s的I/O传输速率。

2023年，长江存储宣布下一代晶栈®Xtacking® 4.0技术的研发计划，预计将进一步提升I/O接口速度和操作功能。

目前，长江存储的晶栈®Xtacking®技术自四年前开始量产，已迭代至第四代。

除长江存储外，混合键合领域的关键专利持有者还包括美国Xperi和台积电，但长江存储的技术成熟度与量产经验使其成为三星的首选。

目前长江存储通过Xtacking技术在全球申请近2000项专利，混合键合领域形成完整壁垒。三星也认为，在下一代 NAND 如 V10、V11 和 V12 中很难绕过现有专利。

根据计划，三星V10 NAND计划于2025年下半年量产，堆叠层数达420-430层，目标应用于高性能固态硬盘（SSD）和AI数据中心。

三星与长江存储的合作不仅是技术授权，更是全球存储产业范式转变的标志——从封闭竞争转向开放协作。长江存储凭借混合键合技术突破，确立了中国在半导体核心领域的话语权，而三星则通过合作巩固了技术领先地位。

双方合作可能形成“三星主导制造、YMTC提供技术”的分工模式，加速行业技术迭代。未来，这一模式或推动更多跨国技术联盟，加速行业创新周期。（责编：Jimmy）

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