【会员动态】国家集成电路产业投资基金总裁丁文武一行调研第三代半导体发展情况

4月9日上午，国家集成电路产业投资基金总裁丁文武一行莅临基本半导体考察调研。

基本半导体董事长汪之涵博士向丁文武介绍了公司自主研发的碳化硅功率器件产品，包括性能达到国际一流水平的碳化硅JBS二极管和MOSFET三极管，以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圆片。

随后丁文武一行听取了基本半导体总经理和巍巍博士对公司发展情况的汇报。丁文武对基本半导体的技术创新和战略定位予以充分肯定，并鼓励公司团队再接再厉，立足创新驱动，不断发展壮大，成为中国第三代半导体产业的领军企业。

4月10日， 国家集成电路产业投资基金总裁丁文武一行 来到英诺赛科进行调研座谈。英诺赛科董事长骆薇薇博士向丁文武总裁介绍了公司近期投产的“8英寸硅基氮化镓”生产线，重点介绍了自主研发的硅基氮化镓增强型功率器件和面向5G通信的射频器件，随后参观了洁净车间和产品应用展厅。

丁文武表对英诺赛科在8英寸硅基氮化镓量产线建设、芯片研发和制造等方面取得的进展给予充分肯定，并为英诺赛科这一平台吸引到众多国际一流企业的半导体骨干人才感到振奋。希望公司要发挥人才优势，把握市场先机，同时在生产规模上再上台阶。

宽禁带半导体具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点， 可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求，是半导体材料领域最有前景的材料，市场潜力巨大。目前，宽禁带半导体已成为高温器件、节能功率器件、高频器件、微波器件、抗辐射器件领域应用最广泛的宽禁带半导体材料之一。

国内在宽禁带半导体产业化方面进度还比较缓慢，不过令人欣喜的是，国家层面已经在一定程度上认识到了相关技术对国防军工、信息技术等产业的价值，不断投入科研经费，鼓励相关单位进行技术研究，以求早日实现产业化方面的突破。

国家集成电路产业投资基金是为促进集成电路产业发展而设立，重点投资集成电路芯片制造业，兼顾芯片设计、制造、封装测试、设备和材料等产业，实施市场化运作、专业化管理。截至2017年底，大基金累计有效决策投资67个项目，累计项目承诺投资额1188亿元。据悉大基金二期筹资规模超过一期，将达到1500-2000亿元。