北方华创捷报频传，ALD设备首次交付，国产装备再结硕果

半导体行业资讯 · 公众号 · 半导体 · 2017-12-17 00:21

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中国北方，华夏创新！

近日北方华创捷报频传。 2017 年 11 月 22 日，国内首台 8 寸金属刻蚀设备进入中芯国际天津厂； 2017 年 11 月 30 日， 12 寸立式氧化炉 THEORIS O302 进入长江存储； 2017 年 12 月 5 日， 12 英寸原子层沉积 (Atomic Layer Deposition ， ALD) 设备进驻上海集成电路研发中心。 15 天，三台关键设备进入大生产线和研发线，为国产高端装备在国内集成电路芯片生产线的应用再谱新篇章，是国产高端装备应用工艺的再一次的重要突破。

8 英寸金属刻蚀设备： NMC508M 应用于 8 英寸 0.13um 及以下技术代 Al 金属刻蚀工艺。 Al 金属刻蚀是集成电路制程中的一道重要工艺步骤，广泛用于存储器及逻辑产品中。该设备基于公司多年在集成电路刻蚀设备技术积累基础上，针对终端用户的需求进行了设备的深度定制开发。在 8 英寸传统刻蚀技术基础上集成应用了多项 12 英寸刻蚀设备的先进技术，关键技术指标达到国际先进水平。

扩散氧化炉

12 寸立式氧化炉： THEORIS O302 具有先进的颗粒控制技术、高精度温度场控制技术、先进的微环境氧含量控制技术、后期维护费用低等特点，具备 12 英寸晶圆干氧氧化、湿氧氧化、 DCE 氧化等工艺能力，可应用于 LOGIC 、 DRAM 、 NAND 等产品工艺制程，成为客户的 POR （ Process of Record ）机台（扩产优先采购机台）。此前已经批量应用于中芯国际、上海华力大生产线，获得用户好评。此次应用于长江存储 3D NAND Flash 制程，扩展了国产立式氧化炉的应用领域，为国产集成电路装备商业化应用踏出了又一个坚实的步伐。

Promi系列ALD设备

12 英寸 ALD 设备： ALD 设备是先进集成电路制造工艺中必不可少的薄膜沉积设备， ALD 工艺具有工艺温度低、薄膜厚度控制精确及台阶覆盖率高等优点。在集成电路特征线宽发展到 28 纳米节点后， ALD 工艺应用日益广泛。北方华创微电子自 2014 年开始布局 ALD 设备的开发计划，历时四年，成功推出应用于集成电路领域的量产型单片 ALD 设备—— Polaris A630 ，应用于沉积集成电路器件中的高介电常数和金属栅极薄膜材料，设备的核心技术指标达到国际先进水平。