物联网前景广阔，芯片制造为何偏爱特色工艺？

据Gartner的预测，到2020年，除智能手机、PC和平板电脑外，物联网终端出货量将达到300亿台/只，每年用于物联网终端上的芯片出货量将达到 450亿颗。如此巨大的市场前景，吸引了众多IC设计公司开发新产品。晶圆代工企业也瞄准了物联网的巨大商机，频频推出新技术，配合设计公司更快、更好地推出新一代芯片，助力物联网产业高速发展。

华虹集团旗下上海华虹宏力半导体制造有限公司（以下简称“华虹宏力”）是全球领先的特色工艺晶圆制造企业。最近几年，其在差异化特色工艺上不断创新，以持续满足物联网市场芯片设计公司的需求，其技术通过了市场的检验，获得了众多客户的认可。

华虹宏力战略、市场与发展部科长李德红认为，物联网终端的核心功能可以概括为三点：“感知+智能化+连接”。“感知”是指通过一定的传感器，例如加速计、陀螺仪、压力传感器、光学传感器、触摸传感器、指纹传感器、3D人脸识别、声学传感器等，来感知外界或环境信号；通过微控制器（MCU）或应用处理器，运行特定的软件算法来进行运算或逻辑处理，再通过蓝牙、ZigBee、NFC、Wi-Fi、5G、NB-IoT等无线通信技术，进行数据的传输，从而实现物联网对终端或外界信号的处理与信息采集。

华虹宏力的嵌入式存储器、模拟与电源管理、逻辑与射频、微机电系统（MEMS）等工艺平台，配合多项自有IP，能有效支持客户开发出高性价比、低功耗的MCU、通讯芯片、射频前端、电源、传感器等产品，亦可满足物联网独有的安全需求。

超低漏电eFlash平台 助力物联网MCU发展

Gartner报告显示，针对物联网市场， MCU于2020年的出货量将接近40亿颗，增幅远大于同期的FPGA/PLD、CPU、ASIC、MAP和ASSP。低功耗是制胜物联网应用的关键。华虹宏力专为物联网打造的0.11微米超低漏电（Ultra-Low-Leakage，ULL）嵌入式闪存（eFlash）工艺平台，具有超低功耗优势，其N/P 管静态漏电< 0.2 pA/μm，同时还支持RF-CMOS无线连接模块的集成。

图：华虹宏力0.11微米ULL eFlash平台参数

可见，华虹宏力0.11微米平台的器件漏电甚至低于业界一些55纳米低功耗平台。此外，0.11微米ULL eFlash平台还支持低电压操作模式，可在1.5至1.2V电压下稳定工作，兼顾动态、静态功耗。

SRAM IP设计时，低功耗和高速度较难平衡，需要设计者折衷考量。如果需要低功耗设计，就可以选择0.11um ULL SRAM，它的漏电电流只有0.18 um IBG工艺的5%。李德红指出，0.11um ULL平台SRAM的速度最高可达120MHz@512Kbits，能满足大部分物联网终端的需求。

从eFlash IP的设计、工艺到测试，华虹宏力都有自主团队，经验丰富，可以为客户提供灵活的定制服务。