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第一次面试华为，被疯狂拷打！

嵌入式微处理器 · 公众号 · · 2024-07-11 16:17

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今天看到华为2024年校招薪资，真是羡慕啊！

211硕士刚毕业的同学算法岗已经能拿到36k*12+10w了，硬件开发最高也能拿到40w了，分别坐标在东莞、上海和北京。

想当年，我们双非本科的硬件刚毕业的时候才几千块，这差距也太大了

华为去年的校招时间在2023年9月9日，预计今年应该也在8-9月份，如果参加校招的小伙伴要抓紧时间准备了，笔试、面经这些都需要尽早看起来，时间不等人，有的同学因为实习或者其他原因错过秋招和春招的，后续会非常被动。

下面，以牛客上整理的面试题为例，我们一起看看华为面试官都喜欢问哪些问题。请大家注意，以下仅为我的个人理解，不一定正确

1、NMOS与PMOS的区别

极性： NMOS是n沟道MOSFET，PMOS是p沟道MOSFET。
导通性： NMOS在正电压下导通，PMOS在负电压下导通。
电流流动方向： 在导通状态下，NMOS中的电流从漏极流向源极，而PMOS中的电流从源极流向漏极。
逻辑电平： 在CMOS电路中，NMOS在逻辑高电平时导通，PMOS在逻辑低电平时导通。
功耗： NMOS在导通状态下消耗较小的功率，而PMOS在导通状态下消耗较大的功率。
响应速度： NMOS的导通速度较快，适用于高频应用；PMOS的导通速度较慢，适用于低功耗应用。
驱动能力： NMOS具有较低的输出电阻和较高的驱动能力，适合用于驱动低电平信号；PMOS具有较高的输出电阻和较低的驱动能力，适合用于驱动高电平信号。

2、电路时间常数的物理意义

描述电路过渡过程的快慢和能量衰减的速度，是电路分析和设计中的一个重要参数。

3、LDO电源效率的计算

效率 = VOUT /VIN × 100%

4、AD转换的精度由什么影响？什么样的AD转换速度最快？

AD转换器的精度受到多个因素的影响，包括参考电压的稳定性、量化噪声、抖动、线性度、温度漂移等因素。
其中参考电压的稳定性是AD转换器精度的重要因素，参考电压越稳定，AD转换器的精度就越高。
量化噪声和抖动也是影响AD转换器精度的关键因素，这两个因素会导致ADC输出数据的误差。
转换速度最快的AD转换器是并行式A/D转换器。

5、BOOST电路SW施加电压计算

首先我们看boost电路简化框图，从boost工作原理中我们知道当SW开关闭合的时候，电感L充电，此时Vsw=0V，当SW开关断开的时候，电感和Vin同时给负载供电，Vsw=Vin+VL=Vout+Vd。

6、互连链路阻抗特性

互连链路的阻抗特性是指信号在传输过程中遇到的电阻和电抗的总和。

7、SRAM的地址线和传输线计算（这道题目总感觉少了点啥）

地址线的数量决定了SRAM芯片的存储容量。具体来说，SRAM芯片的存储容量等于2的n次方，其中n是地址线的数量。例如，一个具有16根地址线的SRAM芯片，其存储容量为2^16 = 64KB；

数据线的数量决定了每次传输的数据量，即数据总线的位宽。例如，一个具有16根数据线的SRAM芯片，其数据总线位宽为16位，可以一次传输2个字节（16位）的数据。

8、传输线损耗由哪几部分组成？

导体损耗、介质损耗、辐射损耗等。

9、DMA和中断的引发

DMA的主要作用是实现内存与外设之间、外设与外设之间或内存与内存之间的数据快速批量传输，而无需CPU的干预。可以通过软件请求、硬件触发、定时器触发等方式引发DMA；

中断允许MCU或者CPU在处理当前任务的同时，响应外部或内部事件，可以通过外部信号、内部定时、软件触发等方式引发中断。

10、EMC指标由哪几部分组成

主要由电磁干扰（EMI）和电磁耐受性（EMS）组成，分别评估设备在电磁环境中的发射能力和对外部电磁干扰的耐受能力。

11、TCP/IP协议的层数

应用层、传输层、网络层、数据链路层、物理层。

12、SD3.0接口电压标准？

SD3.0接口信号电平可以是3.3V或1.8V。

13、RS-232C的硬件接口组成

DB25连接器定义了25根信号线，分为4组：

异步通信的9个电压信号（含信号地SG）2，3，4，5，6，7，8，20，22
20mA电流环信号 9个（12，13，14，15，16，17，19，23，24）
空6个（9，10，11，18，21，25）
保护地（PE）1个，作为设备接地端（1脚）

14、眼图的功能

眼图可以⽤来分析⾼速信号的码间⼲扰、抖动、噪声和衰减。

15、差模干扰的消除方法

差模干扰不可能被完全消除，只能通过差模信号隔离、加滤波电路、屏蔽、优化接地设计等方法抑制。

16、开关电源的基本框图和LDO的基本框图，并且描述区别

开关电源可以升压和降压、纹波较大、转化效率高；LDO只能降压，纹波低、电源抑制比高、转化效率低。

BUCK电路框图：

BOOST电路框图：

LDO电路框图：

17、画出BUCK电路功能框图，并描述电路损耗主要在哪里？

导通时，损耗主要由MOS管Q、L和C产生，MOS管导通电阻Rdson与L、C的交直流阻抗(jwL+1/jwc+DCR)损耗之和。

截止时，损耗主要由二极管D、L和C产生,二极管的压降（ΔU*I）与L、C的交直流阻抗损耗之和。

开关瞬间，如下图所示，Ton时主要由MOS管开通损耗与二极管的关断损耗之和；Toff时，主要是MOS管关断损耗(波形与MOS管打开时相反)。

18、stm32最小系统？

电源电路、复位电路、晶振电路、调试接口电路、启动电路。

19、电容电阻参数怎么选择？

电容：容值、额定电压、公差、温度参数看材料、寿命、尺寸
电阻：阻值、功率、精度、温度系数、封装尺寸

无论任何时候，打铁还需自身硬！

第一次面试华为，被疯狂拷打！

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