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2024世界氮化镓大会将在深圳举办

充电头网 · 公众号 · · 2024-03-16 20:37

正文

前言

2024世界氮化镓大会（ 2024 World GaN Conference），由充电头网发起，自2021年在深圳举办首场大会，已经连续举办多届。大会立足现代化国际都市群粤港澳大湾区，每年吸引来自氮化镓产业的行业学者、专家、从业人员数千人出席，是全球颇具影响力的专业能源半导体大会。

行业文化打造，在亚洲第三代半导体产业峰会上倡导发起的世界氮化镓日 (7月31日)，已经获得业界关注，成为氮化镓行业重要的纪念日。

以氮化镓、碳化硅为首的第三代半导体发展，对支撑国家双碳目标实现、高度智能化、数字化及电气化的社会，扮演举足轻重的角色。从最初的65W发展到如今的18W-300W PD快充，氮化镓器件向市场证明了其优越的性能及带来的体积和成本优势，其可靠性也逐步被市场所认可。

氮化镓的应用领域正从手机快充快速向数据中心、通信电源、光伏逆变器及电动车领域扩展，新能源汽车，光伏以及储能的高速发展，为第三代半导体在大功率场景应用铺平了道路，也为第三代半导体带来了新的平台。目前已经有氮化镓器件应用在大功率户外电源产品上，将氮化镓低损耗的特性引入，减轻设备重量，提升消费者的使用体验。

2024年3月22日，充电头网将举办2024世界氮化镓大会，邀请数十位氮化镓企业，分享市场最新动态和干货，共同探讨行业的现在与未来。

确认出席2024世界氮化镓大会的演讲企业有

第三代半导体产业技术创新战略联盟

润新微电子（大连）有限公司

英诺赛科

Power Integrations

纳微半导体

苏州纳芯微电子股份有限公司

江苏能华微电子科技发展有限公司

Transphorm Inc.

成都氮矽科技有限公司

英飞凌科技（中国）有限公司

爱思强

广东致能科技有限公司

北京华峰测控技术股份有限公司

演讲企业介绍

第三代半导体产业技术创新战略联盟

第三代半导体产业技术创新战略联盟是在国家科技部、工信部、北京市政府等的支持下，由第三代半导体相关科研机构、院校、优势企业等自愿发起并在民政部门正式注册成立的社团法人，是为第三代半导体及相关新兴产业提供全方位创新服务的新型组织。联盟通过在全球范围内集聚和共享创新资源，构建以市场为牵引，研发、产业、资本深度融合的产业创新体系，引领第三代半导体的跨区域、跨学科、跨行业的协同发展。联盟现有法人会员260多家，覆盖产业链、创新链、服务链各环节。

演讲嘉宾：高伟博士

职位：第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长

演讲主题：第三代半导体功率电子产业及标准进展

嘉宾介绍：

高伟，女，2011年获得北京工业大学微电子学与固体电子学博士学位；现任第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长，主要从事第三代半导体应用与标准化工作；承担和参与多项国家、地方科技研发项目；获得国家质检总局、国标委2016 年“中国标准创新贡献奖”二等奖。牵头及参与7项国家标准的编写；发表《SiC MOSFET功率器件标准研究》等多篇文章。

润新微电子（大连）有限公司

润新微电子(大连)有限公司是华润微电子旗下专注第三代半导体材料和电子元器件技术开发及产品应用的半导体高新技术企业。前身大连芯冠科技有限公司，由海外归国团队2016年3月17日创立于大连高新区。公司采用整合设计与制造(IDM)的商业模式，主要从事硅基氮化镓外延材料及电子元器件的研发、设计、生产和销售，产品主要应用于三电：电源、电机、电池，覆盖电源管理、太阳能逆变器、新能源汽车及高端电机驱动等科技产业。

公司于2019年3月份发布了国内第一款650伏硅基氮化镓功率器件产品，性能达到国际领先水平。在射频领域，产品定位为10GHz以下的射频通讯和射频能量市场。

润新微电子致力于推动我国第三代半导体产业发展，通过技术创新为业界带来高性能、高可靠性的硅基氮化镓外延材料与器件产品以及应用解决方案，助力5G通讯、新能源汽车、高端装备等战略产业飞速发展。

演讲嘉宾：谭锦华

职位：市场销售副总

演讲主题：润新微D-mode GaN赋能高效能源应用

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英诺赛科

英诺赛科是全球领先的第三代半导体高新技术企业，致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，当前产能15000片/月，产品设计及性能处于国际先进水平。英诺赛科提供从15V-900V的高、中、低压全功率氮化镓产品，涵盖晶圆、分立器件、驱动芯片三大品类，并为客户提供全氮化镓方案设计参考。自2015年成立至今，英诺赛科已获专利700多项，累计出货量超4亿颗。产品可广泛应用于消费电子、数据中心、汽车电子及新能源等前沿领域。

英诺赛科，用氮化镓打造绿色高效新世界！

演讲嘉宾：杜发达

职位：英诺赛科产品应用高级主任工程师

演讲主题：《氮化镓驱动电能变换高效高速发展》

嘉宾介绍：

杜发达，华南理工大学电力电子与电力传动专业硕士学位，对功率拓扑、磁性器件、控制环路等关键技术具备丰富的理论基础和实践经验。现任英诺赛科产品应用部高级主任工程师一职，主要负责氮化镓器件的应用评估与大功率解决方案的开发工作。

PPT介绍：

氮化镓作为第三代半导体材料，凭借优异的性能获得广泛关注，其商业化进程不断加速。当前，氮化镓已在快充、适配器等消费领域充分显示发展潜力，降低系统成本的同时，实现了更高的效率和功率密度。随着AI人工智能、云计算、新能源的快速发展，传统的供电解决方案已无法满足此类应用场景的供电需求，氮化镓在数据中心、光伏储能、电动汽车等工业和汽车领域也开始崭露头角，为产业发展带来新的思路和突破。

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Power Integrations

Power Integrations, Inc.是一家专注于高压电源管理及控制领域的高性能电子元器件及电源方案的供应商，总部位于美国硅谷。 PI所推出的集成电路和二极管为包括移动设备、家电、智能电表、LED灯以及工业应用的众多电子产品设计出小巧紧凑的高能效AC-DC电源。Power Integrations的SCALE门极驱动器可提高大功率应用的效率、可靠性和成本效益，其应用领域包括工业电机、太阳能和风能系统、电动汽车和高压直流输电等。自1998年问世以来，Power Integrations的EcoSmart节能技术已节省了数十亿美元的能耗，避免了数以百万吨的碳排放。由于Power Integrations的产品对环境保护的作用，Power Integrations的股票已被归入到由Cleantech Group LLC及Clean Edge赞助的环保技术股票指数下。

演讲嘉宾：蒋海华

职位：FAE经理

演讲主题：1250V 氮化镓开关IC扩展了氮化镓应用范围

嘉宾介绍：

曾任深圳麦格米特电气股份有限公司工程师，深圳市朗科智能电气股份有限公司工程师，凹凸电子(深圳)有限公司副经理。多年来一直从事电源产品的研发及技术支持，对各类电源产品的电路原理，器件选型，变压器设计，以及EMC安规等均有较深的研究。现任Power Integrations FAE经理，专注于AC/DC电源管理芯片的推广与应用。

PPT介绍：

氮化镓(GaN)开关为提高多种应用中的功率变换效率提供了强有力的工具。该技术已开始超越原始器件650V开关的限制，在开关应用中的工作电压最高可达1250V。随着电压的增加，必须重新评估氮化镓、硅和碳化硅器件的相对性能，以确定不同技术的优劣利弊。做到这一点并非易事，因为采用宽禁带(WBG)开关可提高功率变换效率，同时也意味着，效率变化虽然在减少热损耗方面意义重大，但也可能会被工作模式、电路间差异（特别是在磁性元件方面）甚至封装对布局的影响所掩盖。在本次演讲中，我们将剔除与电路相关的限制，重点关注开关本身的性能，为每种开关的相对性能提供一个基准。

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纳微半导体

纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）成立于2014年，是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司。GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC™碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过250项已经获颁或正在申请中的专利。氮化镓功率芯片已发货超过1.25亿颗，碳化硅功率器件发货超1200万颗。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。

演讲嘉宾：胡烨

职位：技术市场经理

演讲主题：开启氮化镓的“芯”篇章：纳微集成驱动和无损电流采样的GaNSense™ HalfBridge方案

嘉宾介绍：

胡烨，拥有福州大学电力电子专业研硕士学位。从事AC/DC开关电源研发及AC/DC开关电源领域半导体芯片的应用工作10+年，曾在艾默生网络能源，戴洛格半导体等公司任职。工作期间申请发明专利10多项。

目前，胡烨在纳微半导体担任技术市场经理，负责氮化镓中小功率应用的市场推广工作，致力于解决客户在氮化镓应用方面遇到的痛点和难点，为广大客户创造更大的价值。

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苏州纳芯微电子股份有限公司

纳芯微电子（简称纳芯微，科创板股票代码688052）是高性能高可靠性模拟及混合信号芯片公司。自2013年成立以来，公司聚焦传感器、信号链、电源管理三大方向，提供丰富的半导体产品及解决方案，并被广泛应用于汽车、工业、信息通讯及消费电子领域。

纳芯微以『“感知”“驱动”未来，共建绿色、智能、互联互通的“芯”世界』为使命，致力于为数字世界和现实世界的连接提供芯片级解决方案。

演讲嘉宾：刘建栋

职位：技术市场

演讲主题：氮化镓驱动特性与解决方案介绍

嘉宾介绍：

刘建栋先生现任纳芯微电子技术市场一职，主要负责功率驱动产品方向的规划和市场推广。他毕业于华中科技大学，曾就职于Texas Instrument，并服务于众多知名电源公司，熟悉各类交直流电源系统结构与发展趋势，在器件选型与电路设计方面有着丰富经验。

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Transphorm Inc.

Transphorm是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99%、将功率密度提高50%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。

官网：transphormusa.cn

演讲嘉宾：张小华

职位：Transphorm中国区FAE经理

演讲主题：Transphorm引领氮化镓革命

嘉宾介绍：

张小华（Jack Zhang），电力电子与电力传动硕士毕业，曾就职于台达、通用电气、村田、哈曼等知名外企，历任研发工程师和研发经理，一直从事开关电源相关领域的应用、理论研究等工作，熟悉常用拓扑及开关电源的控制理论、仿真计算等等，对电源管理及其功率变换有着深入理解。2023年开始就职于Transphorm，任中国区FAE经理。

PPT介绍：

本次演讲将介绍Transphorm公司的概况以及其产品覆盖的应用领域，Transphorm TGAN的优势（如驱动的简易性，产品的高可靠性，无动态电阻等等），客户端量产案例情况，在实际产品里TGAN 与Si以及E Mode GaN的效率，温升，尺寸等对比。

2、更优更可靠的Transphorm氮化镓产品，引领氮化镓革命

3、经典中蕴藏着的黑科技，闪极新品经典造型充电器搭配Transphorm TP65H150G4LSG 氮化镓芯片

4、 Transphorm氮化镓芯片TP65H300G4LSG，助力充电器市场的绿色发展

5、 Transphorm推出四款耗尽型氮化镓器件，满足不同功率电源设计

成都氮矽科技有限公司

氮矽科技成立于2019年4月，是由海外归国人士、数位电子科技大学顶尖教授和行业内精英联合创办的高新技术企业。公司的总部设在成都，同时在深圳设有分公司。公司专注于氮化镓功率器件及其驱动芯片的研发和销售，致力于为电力、通信和物联网等领域的应用提供高性能、高可靠性的解决方案。

公司拥有强大的研发团队，研发人员占比超过60%，其中包括6名知名院校的博士，积极申请近50项专利，在国内分离氮化镓中出货量排名第二。依托国内独有的核心氮化镓驱动技术达成所有出货产品0-失效。

公司瞄准新能源与国家先进基础产业方向，打造国内唯一聚焦第三代半导体氮化镓器件及其驱动器的独角兽企业, 引领氮化镓的革命性突破, 共创绿色未来。

演讲嘉宾：赖成

职位：销售副总经理

演讲主题：氮化镓功率器件发展现状与应用

嘉宾介绍：

赖成 1996～2000电子科技大学信材学院本科，磁性材料专业，之后在中国人民大学获得EMBA学位，先后服务于PULSE普思，Thomson汤姆逊，飞利浦，Power One等外资企业，于2015年开始创业，先后创立了哈威飞行/梦派信息/墨甲智能等科技类公司，并投资了多家便携式储能/元宇宙概念/物联网通讯协议公司，从2018年起就开始关注氮化镓功率器件产业，于2022年参股氮矽科技，并任职氮矽科技副总经理。

PPT介绍：

氮化镓作为重要的第三代半导体材料之一，具有禁带宽度大，击穿电压高，损耗低，高频特性优等特点，在功率器件领域已占据重要地位。传统Si功率器件普遍采用垂直结构，而氮化镓由于氮化镓单晶衬底成本高昂的限制，主要采用基于硅衬底的横向HEMT结构。在技术路线上，分为D-mode HEMT 和 E-mode HEMT两大流派。功率氮化镓在快充、家电、电源适配器、数据中心、新能源汽车、锂电池等领域同样具有巨大的潜在应用市场。氮矽科技作为一家专注功率氮化镓功率器件及驱动器研发和销售的公司，针对以上应用领域，已推出多款产品，包含650V （80mΩ ~ 400mΩ）氮化镓晶体管，多款氮化镓专用分离驱动，及多款氮化镓集成驱动产品和氮化镓集成控制器芯片。同时，氮矽科技已在快充、电源适配器、TV电源等领域推出多款应用解决方案。

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英飞凌科技（中国）有限公司

在英飞凌，我们在追求业务成功的同时积极承担企业社会责任，以期让生活更加便利、安全和环保。几近隐形的半导体已成为日常生活不可或缺的一部分。我们凭借微电子技术架起现实与数字世界的桥梁，为创建更美好的未来做出重要贡献。我们的半导体帮助实现高效的能源管理和智慧的交通出行，同时助力日益互联的世界实现安全、无缝的通信。英飞凌设计、开发、制造并销售非常丰富的半导体和系统级解决方案。我们专注于汽车和工业电子、通信和信息技术、物联网、传感器技术和安全等业务领域。产品范围涵盖标准元件、软件、定制化的终端设备和系统解决方案，以及用于数字、模拟和混合信号应用的特定元件。

演讲嘉宾: 程文涛

职位：市场应用总监

演讲主题：英飞凌氮化镓功率器件应对减碳挑战引领电源革新

嘉宾介绍：

程文涛先生在1999~2004年间从事开关电源设计工作，2004年进入半导体行业，此后一直在电源管理及相关领域从事AE以及市场工作，有着20多年的功率半导体应用和市场的丰富经验。

PPT介绍:

随着与GaN Systems的成功并购，英飞凌再度成为领先氮化镓(GaN)解决方案供应商。我们提供高度可靠的GaN e-mode HEMT和从数瓦到兆瓦的高能效全面解决方案。本演讲介绍英飞凌氮化镓技术的市场定位以及对未来发展的预期。

2、挑战芯片、GaN、协议铁人三项，英飞凌推出氮化镓快充全套解决方案

3、英飞凌推出30W-500W快充应用CoolGaN氮化镓产品

4、英飞凌推出全新CoolGaN 65W参考设计

爱思强

AIXTRON爱思强是半导体产业领先的沉积设备供应商。公司成立于1983年，总部设在德国黑措根拉特（靠近亚琛），并在亚洲、美国及欧洲设有子公司及销售办事处。爱思强的技术解决方案被全世界广泛的客户所使用，以制造先进的电子和光电子应用元件，这些元件乃基于化合物、硅或有机半导体材料。该元件被广泛用于创新应用、技术及行业，其中包括LED应用、显示技术、数据存储、数据传输、能源管理和转化、通讯、信号灯和照明技术以及其他尖端技术。

请浏览我们的网站www.aixtron.com，了解AIXTRON爱思强 (法兰克福证券交易所：AIXA，国际证券号码：DE000A0WMPJ6) 的更多信息。

演讲嘉宾：方子文博士

职位：总经理

演讲主题：硅基氮化镓功率半导体的高产能外延解决方案

嘉宾介绍：

方子文博士现任AIXTRON中国总经理。他于2011年加入AIXTRON, 曾担任工艺科学家，AIXTRON中国区实验室经理，市场部总监，副总经理等职，精通三五族化合物半导体MOCVD外延材料生长、制备和测试。其中包括硅基GaN材料用于功率器件, SiC材料用于功率器件, GaAs/InP激光器，及Mini/Micro LED显示面板产品使用的外延材料。

广东致能科技有限公司

广东致能科技有限公司，成立于2018年12月，是一家致力于第三代半导体氮化镓的研发与产业化的高新技术企业。公司总部设立在广州，在深圳、上海、徐州等地设有生产研发基地和市场销售中心。公司采用IDM全产业链模式,集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有高水平的氮化镓晶圆和芯片的生产能力。公司的主要产品涵盖从低压到高压的氮化镓功率器件，产品设计及性能均达到国际先进水平。

公司拥有多项全球领先的氮化镓功率器件专利，在常开型栅结构、垂直沟道技术等方面居于国际先进行列，具有完全自主的知识产权，获得多项行业嘉奖。

公司与国内多家应用头部企业开展深度合作，已实现量产。致能作为技术全球领先的第三代半导体公司，在氮化镓核心技术和关键工艺领域已实现重大突破，建立了高功率密度、高效率、高增益、低成本的氮化镓量产平台。公司完成首个1200V D-Mode高可靠性氮化镓平台，在满足1200V系统可靠性条件下，本征击穿已经达到2400V，可广泛用于工业、新能源、以及汽车等领域。实现了中国第三代半导体跨越式发展。

演讲嘉宾: 高飞

职位：销售及市场总监

演讲主题：高压氮化镓功率器件为应用创造更多可能性

北京华峰测控技术股份有限公司

北京华峰测控技术股份有限公司（科创板股票代码：688200），成立于1993年，在集成电路自动化测试设备（ATE）行业深耕超三十年，公司聚焦于模拟、混合、功率半导体器件及模块自动化测试设备的研发、生产、销售及服务。

华峰测控推出的STS8200/STS8300系列产品，凭借产品的高性能、易操作和服务优势等特点，在模拟、混合信号测试设备领域多次打破国外厂商的垄断地位，其第三代宽禁代半导体（GaN/SiC）测试解决方案达到国际先进水平。

公司产品不但在中国境内批量销售，还外销至中国台湾、美国、日本、韩国、意大利、法国、新加坡、马来西亚、菲律宾、泰国、菲律宾等10多个境外半导体产业发达地区。截至2023年底，华峰测控产品全球累计装机量超过6000台。

演讲嘉宾: 刘惠鹏

职位：市场总监

演讲主题：氮化镓(GaN)器件量产测试挑战及实践

嘉宾介绍：

2003年加入北京华峰测控技术股份有限公司至今，21年的集成电路自动化测试系统（ATE）研发及市场推广经验，2005年至2014年任研发部经理期间组织研发的STS8200测试系统全球装机量超过6000台，在模拟、电源管理芯片、第三代化合物体半导体（SiC/GaN）功率器件及功率模块测试领域有深入的研究。

PPT介绍:

氮化镓器件不同于硅基MOSFET的特性在晶圆测试及成品封装量产测试中带来了诸多的挑战，本主题重点介绍氮化镓器件在晶圆级静态参数（DC）与动态电阻(dRon)一站式，多工位、快速度、低成本的测试解决方案。介绍多站并发的测试技术在氮化镓器件成品封装量产测试中的应用，通过该技术的应用，实现了氮化镓器件静态参数(DC)、热阻（TR）、瞬态耐压（VDS(transient)），栅极电容(CgRg)同时测试，并集成DPAT功能导入量产。与此同时也在开展研究不同电压、频率、电流应力条件下对氮化镓器件动态电容，动态阈值电压，动态开关时间参数的影响，探索全新的、快速，低成本的量产测试方案。

功率器件参展商

本次展会将迎来多家功率器件参展商。