高通搞事情啊！性能炸裂的骁龙835处理器来了 支持QC4.0快充！

【TechWeb报道】现在安卓智能手机中最为旗舰的型号就属高通821了，这个被厂商和用户公认为满血版的芯片，恐怕在过几个月后也要退居二线。高通公司宣布将与三星电子合作共同开发下一代骁龙835处理器，最大特色是采用三星10纳米制程工艺打造，同时支持Quick Charge 4.0快充技术。

根据展示会上的介绍，它是第一款利用三星10nm技术制造的手机芯片，明年上半年将会搭载到成品手机上面。

高通为何选择和亦敌亦友的三星合作共同研发骁龙835处理器?

主要原因还是三星在今年10月份，就率先公布了10纳米工艺的量产，与上代14纳米工艺相比，10纳米可以减少30%的芯片尺寸，同时提升27%的性能以及降低40%的功耗。该芯片已经开始批量生产，最早的手机有可能在明年MWC大会登场。

三星10纳米工艺技术，能够直接帮助高通骁龙835处理器具备更小的SoC尺寸，让OEM厂商可以进一步优化移动设备的机身内部结构，比如增加电池或是实现更轻薄的设计等等。

当然按照常理来讲，制程工艺的提升也会改善电池续航能力。

高通骁龙835还有一个亮点就是快充升级，按照高通的说法，QC 4.0加入了Dual Charge技术，相比QC 3.0来说，充电速度可提升20%，效率则能提升30%。

同时，QC 4.0还加入了对USB Type-C和USB-PD的支持。高通产品管理高级副总裁Alex Katouzian表示，QC 4.0能在大约15分钟或更短时间内，充入高达50%的电池电量。

高通骁龙835处理器最快将在明年一季度实现量产，所以真正搭载它的智能手机，估计要在2017下半年开售了。不过既然三星和高通联合开发，三星Galaxy S8会不会是最早搭载该芯片的手机呢？