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时间安排
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内容
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8
月1日（周四）
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16:00-22:00
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报到
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19:30-20:40
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《第三代半导体微波射频技术路线图（2020-2035）》
研讨会
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8
月2日（周五）
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新材料技术特邀报告
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9:00-10:00
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开幕式
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10:00-10:30
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中国新材料产业发展战略
干勇 中国工程院院士、国家新材料产业发展专家咨询委员会主任
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10:30-10:50
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休息
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10:50-11:20
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第三代半导体射频电子器件进展与展望
郝跃 中国科学院院士,西安电子科技大学副校长，国家自然科学基金委信息学部主任
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11:20-11:50
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稀土材料发展现状及应用前景
黄小卫 中国工程院院士、北京有色金属研究总院教授
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11:50-12:10
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材料全生命周期的环境友好发展
聂祚仁 中国工程院院士、北京工业大学副校长
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午餐
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第三代半导体微波射频技术研讨会
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13:30-13:50
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5G网络部署及技术需求
杨 骅 TD产业联盟秘书长
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13:50-14:10
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下一代射频器件用GaN基异质结构的外延技术
沈 波 北京大学教授
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14:10-14:30
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高质量氮化镓材料技术进展与应用
徐 科 中科院苏州纳米所研究员，苏州纳维科技有限公司董事长
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14:30-14:50
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高品质sic单晶生长技术研究
杨 昆 河北同光晶体有限公司总工
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14:50-15:10
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茶歇
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15:10-15:30
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化合物半导体射频器件在5G领域的发展与思考
蔡树军 中国电子科技集团第十三研究所副所长
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15:30-15:50
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化合物半导体射频器件技术进展
李忠辉 中电集团55所首席专家
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15:50-16:10
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微波功率器件及关键技术
张进成 西安电子科技大学微电子学院副院长，宽带隙半导体技术国防重点科学实验室副主任
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16:10-16:30
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以系统方法实现氮化镓射频功率器件的高可靠性
张乃千 苏州能讯高能半导体有限公司董事长
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16:30-16:50
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5G基站对中高频器件需求探讨
段滔 大唐移动通信设备有限公司高级射频专家
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16:50-17:10
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智能汽车对第三代半导体的需求
牛萍娟 天津工业大学信息学院副院长，CASA京津冀委员会常务副主任
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